磁致电阻磁头和磁盘装置制造方法及图纸

提供了一种磁阻磁头，其中基本上抑制了巴克豪森噪声并将再现时的变化减至最小，并且提供用该磁头的一种磁盘装置。本发明专利技术的磁头和磁盘装置的特征在于提供纵向偏置层，它包括形成在一个底基层上的一个硬磁薄膜，该底基层是由一个具有体中心立方栅格晶体结构的铁淦氧磁薄膜，非晶铁淦氧磁薄膜，或具有使中心立方栅格晶体结构的反铁淦氧磁薄膜中的任一种薄膜制成。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁盘装置，更具体地说，涉及用于再现磁性记录信息的磁阻磁头。随着更紧凑和高密度磁盘装置的进展，能够产生高再现输出电压且与磁盘和磁头之间相对速度无关的磁阻磁头(MR磁头)已投入实际使用。使用时安装在磁盘装置上的MR磁头，利用各向异性磁阻效应，其中其电阻变化取决于磁薄膜的磁化方向和信号探测电流流动方向之间构成的相对角度。通过改进磁头结构和薄膜材料正在进行增强其性能的努力。当需要几个位/时2高的高表面记录密度时，可以预料，对于利用各向异性磁阻效应的任何MR礠头，将发生灵敏度的降低，所以，利用微磁阻效应的新磁头的研究与发展正在进行中，其中使它的电阻响应于两个磁薄膜中各个磁化方向间所形成的相对角度而改变，这两个磁薄膜相互叠层，在它们之间插入非导磁薄膜。在上述任何形式的MR磁头中，由于在磁阻薄膜中磁化强度的转动，发生了电阻的改变，所以，为了得到无噪声再现波形，必须尽可能多地抑制磁畴壁的运动。作为用于抑制由于磁畴壁的运动引起的巴克豪森噪声的装置，在美国专利US5018037中公开了已有技术的叠层结构，其中，在磁组薄膜上经由非磁薄膜，叠层硬磁薄膜，而公开在美国专利US5018037本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻磁头，具有一个磁阻薄膜，它利用磁阻效应可将磁信号转换成电信号，一对电极将信号探测电流提供给所说的磁阻薄膜，以及一个纵向偏置层将纵向偏置场加到所说磁阻薄膜上，所说纵向偏置层包括：一个底基层，由一个铁淦氧磁薄膜构成，和一个硬磁薄膜，形成在由铁淦氧磁薄膜构成的所说底基层上。

【技术特征摘要】
JP 1996-5-31 137963/96;JP 1995-7-25 188812/951.一种磁阻磁头，具有一个磁阻薄膜，它利用磁阻效应可将磁信号转换成电信号，一对电极将信号探测电流提供给所说的磁阻薄膜，以及一个纵向偏置层将纵向偏置场加到所说磁阻薄膜上，所说纵向偏置层包括一个底基层，由一个铁淦氧磁薄膜构成，和一个硬磁薄膜，形成在由铁淦氧磁薄膜构成的所说底基层上。2.按照权利要求1所述的一种磁阻磁头，其特征在于由所说铁淦氧磁薄膜构成的所说底基层是具有体中心立方栅格的晶体结构的一个铁淦氧磁薄膜。3.按照权利要求1所述的一种磁阻磁头，其特征在于由所说铁淦氧磁薄膜构成的所说底基层是一个非晶铁淦氧磁薄膜。4.一种磁阻磁头，具有一个磁阻薄膜，它利用磁阻效应可将磁信号转换成电信号，一对电极将信号探测电流提供给所说的磁阻薄膜，以及一个纵向偏置层，将纵向偏置场加到所说磁阻薄膜上，所说纵向偏置层包括一个底基层，由一个反铁淦氧磁薄膜构成，和一个硬磁薄膜，形成在由反铁淦氧磁薄膜构成的所说底基层上。5.按照权利要求4所述的一种磁阻磁头，其特征在于由所说反铁淦氧磁薄膜构成的所说底基层包括具有体中心立方栅格的晶体结构的一个反铁磁淦氧薄膜。6.按照权利要求1-5中的任一项所说的一种磁阻磁头，其特征在于所说磁阻薄膜包括一个铁淦氧磁层，它显示各向异性磁阻效应，和一种横向偏置层，它将横向偏置场加到所说磁薄膜上。7.按照权利要求6所述的一种磁阻磁头，其特征在于通过经由一个衬层薄膜邻近所说磁阻薄膜形成的一个软磁薄膜施加所说的横向偏置场。8.按照权利要求1-5中的任一项所说的一种磁阻磁头，其特征在于所说磁阻薄膜包括一种多层薄膜，它包含第1磁薄膜，一个非导磁薄膜中间层，和第2磁薄膜，其中通过在所说第1磁薄膜，和邻近所说第1磁薄膜构成的反铁淦氧磁层之间交换相互作用来固定在所说第1磁薄膜中的磁化方向，并且在没有外磁场存在情况下，在所说第2磁薄膜中的磁化方向基本上垂直于在所说第1磁薄膜中的磁化方向，而所说磁阻薄膜的电阻按照在所说第1磁薄膜和所说第2磁薄膜中的磁化方向之间的相对角度的改变而改变。9.按照权利要求1到8中任一项所述的一种磁阻磁头，其特征在于所说硬磁薄膜包括一种合金，合金中含有作为其主要成分的Co和M1，此处M1是选自Cr，Ta，Ni，Pt和Re组中的至少一种元素，或一种合金并添加含有Co，M1和M2的氧化物，此处M2是选自氧化硅、氧化锆，氧化铝，和氧化钽组中的至少一种氧化物。10.按照权利要求2，6，7，8，9中的任一项所述的一种磁阻磁头，其特征在于具有所说体中心立方栅格的晶体结构的所说铁淦氧磁薄膜是Fe，Fe-Ni合金，Fe-Co合金、或Fe-Ni-Co合金。11.按照权利要求2，6，7，8，9中的任一项所述的磁阻磁头，其特征在于具有所说体中心立方栅格晶体结构的所说铁淦氧磁薄膜包括Fe，Fe-Ni合金，Fe-Co合金、或Fe-Ni-Co合金中的至少一种，并且添加M3，此处M3是选自Si、V、Cr、Nb、Mo、Ta和W组中的至少一种元素。12.按照权利要求11所述的一种磁阻磁头，其特征在于具有所说体中心立方栅格晶体结构的所说铁淦氧磁薄膜是含有Fe和Cr作为主要成分的一种合金。13.按照权利要求12所述的一种磁阻磁头，其特征在于含有Fe和Cr作为主要成分的所说合金具有5-45原子百分比的Cr。14.按照权利要求3，6，7，8或9的任一项所述的一种磁阻磁头，其特征在于所说非晶铁淦氧磁薄膜是含有Co和M4的一种非晶合金，此处M4是选自Ti，V，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta，Y，Ru，Rh，Pd，Cu，Ag，Au和Pt组中的至少一种元素。15.按照权利要求4到9中任一项所述的一种磁阻磁头，其特征在于具有所说反铁淦氧磁薄膜的所说底基层是含有作为主要成分的Cr、Mn和M5的合金，此处M5是选自Cu、Au、Ag、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Re、Os、Ir和Pt组中的至少一种元素。16.一种磁阻磁头，具有一个磁阻薄膜，其电阻响应于磁场变化，一个横向偏置层显示软磁性质，它将一个横向偏置场加到所说磁阻薄膜上，一个衬层膜由非磁材料制成，它按磁性分开所说横向偏置层和所说磁阻薄膜，...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边克朗，川边隆，田所茂，神尾浩，今川尊雄，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]