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用小磁场显示大磁阻变化的磁阻效应元件及应用该元件的存储元件。在基板１上设置半导体膜２，在半导体膜２上设置半导体膜３，在半导体膜３上设置非磁性金属膜４，非磁性金属膜４上设有良好方型磁化曲线的磁性膜５，在基板１下设置电极６，在磁性膜７上设置电极...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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