半导体晶圆的制造方法及半导体制造设备技术

技术编号：30709674 阅读：15 留言：0更新日期：2021-11-10 11:00

本揭露的实施例提供一种半导体晶圆的制造方法，包括经由一排出口供应载体气体进入位于一上腔体与一下腔体之间的一封闭环境，使载体气体与储存在下腔体内的一物料进行反应而生成一加工气体；改变下腔体相对排出口的旋转角度；以及经由一下游管道组件自封闭环境将加工气体供应至放置有一半导体晶圆的一加工腔。工气体供应至放置有一半导体晶圆的一加工腔。工气体供应至放置有一半导体晶圆的一加工腔。

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【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆的制造方法及半导体制造设备

[0001]本揭露是关于一种半导体晶圆的制造方法及半导体制造设备，特别是关于一种利用加工气体对半导体晶圆加工的方法及半导体制造设备。

技术介绍

[0002]半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数字相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，接着使用微影制程图案化所形成的各种材料层，以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。在集成电路的材料及其设计上的技术进步已发展出多个世代的集成电路。相较于前一个世代，每一世代具有更小更复杂的电路。然而，这些发展提升了加工及制造集成电路的复杂度。为了使这些发展得以实现，在集成电路的制造以及生产上相似的发展也是必须的。
[0003]在半导体装置的制造中，多种制造工具是依序被使用，以制造集成电路在半导体晶圆之上。举例而言，半导体装置透过多种沉积制程(例如:化学气相沉积或物理气相沉积)而形成在半导体晶圆之上。虽然已有多个对于沉积制程的改进被提出，但并非在所有层面上都令人满意。因此，提供沉积制程的改进方案以减轻或避免由于沉积不均匀等因素而导致晶圆报废的状况即具有需求。

技术实现思路

[0004]本揭露的一实施例提供一种半导体晶圆的制造方法，包括经由一排出口供应一载体气体进入位于一上腔体与一下腔体之间的一封闭环境，使该载体气体与储存在该下腔体内的一物料进行反应而生成一加工气体；改变该下腔体相对该排出口的一旋转角度；以及经由一下游管道组件自该封闭环...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的制造方法，其特征在于，包括:经由一排出口供应一载体气体进入位于一上腔体与一下腔体之间的一封闭环境，使该载体气体与储存在该下腔体内的一物料进行反应而生成一加工气体；改变该下腔体相对该排出口的旋转角度；以及经由一下游管道组件自该封闭环境将该加工气体供应至放置有一半导体晶圆的一加工腔。2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的制造方法，其特征在于，其中改变该下腔体相对该排出口的旋转角度的操作是在该载体气体的供应期间执行。3.根据权利要求1所述的半导体晶圆的制造方法，其特征在于，还包括:侦测该加工气体在该下游管道组件的浓度；以及当该加工气体的侦测浓度低于一阀值时，改变该下腔体相对该排出口的距离。4.根据权利要求3所述的半导体晶圆的制造方法，其特征在于，其中该排出口与该物料的距离保持在一既定范围内。5.一种半导体制造设备，其特征在于，包括：一承载件；一驱动单元，连结该承载件并配置用于驱动该承载件的运动；一下腔体，固定于该承载件并配置用于储存一物料；一上腔体，可活动的连结于该下腔体并与该下腔体形成一封闭环境；一上游管道组件，连结该上腔体并与该封闭环境连通，其中该上游管道组件通过一排出口供应一载体气体进入该封闭环境；以及一下游管道组件，连结该上腔体并与该封...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗谚展，曾银彬，刘定一，许凯翔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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