【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及聚酯薄膜,尤其涉及粗大突起和缺陷少且低聚物析出抑制性、生产率优异的聚酯薄膜,和使用该薄膜的磁记录介质。本专利技术还涉及耐热性优异、作为薄膜使用时走行性、耐摩耗性优异、尤其适用于磁记录介质用途的聚酯组合物及其制成的薄膜,和使用该薄膜的磁记录介质。
技术介绍
聚酯薄膜,尤其聚对苯二甲酸乙二醇酯(以下称PET)薄膜,因其优异的机械特性、热特性和电特性而广泛用于产业用途,需求量也日益增大。然而,随着用途和需求扩大,各应用领域中对聚酯要求的特性和生产率也变得日益严格,尽管有供工业用、磁性材料用等多种用途的产品生产,但有待解决的课题还很多。在用聚酯薄膜作为磁记录介质的情况下,从高记录密度的观点来看,表面的粗大突起或缺陷必须尽可能少,但对于聚酯薄膜来说,作为注定会出现的问题,是低聚物问题。聚酯在其聚合时副产低聚物,而且在PET的情况下,以对苯二甲酸乙二醇酯环状三聚物为主成分的低聚物含量也多达1~3%(重量)左右,因而在制成薄膜的情况下,随着时间推移,这些低聚物会在表面上析出,从而形成粗大突起。特别是在作为磁性材料薄膜使用的情况下,以这样的表面析出低聚物为基础的粗大突起会成为磁性数据丢失的原因,因而如何抑制表面析出低聚物是一个课题。作为这样的课题的解决办法,有如特开昭58-145418号公报中公开的,添加脂肪族单羧酸酯来抑制制膜时低聚物等低分子量物质在转鼓上堆积的技术,但以该添加物中所含异物为基础的薄膜表面粗大突起的发生是个问题,而且,制膜后的低聚物析出抑制效果也不能令人满意。此外,如特开平11-188825号公报中所记载的,如果添加有机磺酸碱金属盐等添 ...
【技术保护点】
聚酯薄膜,其特征在于含有由脂肪族羧酸和脂肪族醇组成的蜡类化合物或其构成成分0.1~2.0%(重量),且最长径2μm以上的粗大突起在20个/mm↑[2]以下。
【技术特征摘要】
JP 1999-10-25 301960/99;JP 1999-9-14 259913/99;JP 1.聚酯薄膜,其特征在于含有由脂肪族羧酸和脂肪族醇组成的蜡类化合物或其构成成分0.1~2.0%(重量),且最长径2μm以上的粗大突起在20个/mm2以下。2.权利要求1记载的聚酯薄膜,其中,热处理指数在60以下。3.权利要求1或2记载的聚酯薄膜,其中,最长径2μm以上的凹状缺陷个数在20个/mm2以下。4.权利要求1~3中任何一项记载的聚酯薄膜,其中,蜡类化合物是用目孔2μm以下的过滤器过滤的蜡类化合物。5.权利要求1~4中任何一项记载的聚酯薄膜,其中,脂肪族羧酸的碳数是14~20,脂肪族醇的碳数是14~20。6.权利要求1~5中任何一项记载的聚酯薄膜,其中,含有氧化锗。7.权利要求1~6中任何一项记载的聚酯薄膜,其中,薄膜的熔融比电阻不足15×107Ω·cm。8.层压聚酯薄膜,这是由2层以上构成的层压薄膜,其中至少一层是权利要求1~7中任何一项记载的聚酯薄膜。9.磁记录介质,它是由在权利要求1~8中任何一项记载的薄膜上设置磁记录层而形成的。10.权利要求9记载的磁记录介质,其中,磁记录层是通过金属蒸气沉积形成的。11.权利要求10记载的磁记录介质,其中,磁记录层是通过底涂层形成的。12.聚酯组合物,其中含有聚酯树脂和0.005~5%(重量)的以二氧化硅与氧化铝的复合氧化物为土成分的无机微粒,其中,该无机微粒中所含硅元素与铝元素之比(摩尔比)、周期表Ia族离子中钾离子所占比例(摩尔比)、和铝元素中周期表Ia族离子所占比例(摩尔比)满足以下各式0.1≤Al/Si≤0.40.8≤K/〔周期表Ia族离子〕≤1.00.8≤〔周期表Ia族离子〕/Al≤1.2。13.权利要求12记载的聚酯组合物,其中,复合氧化物无机微粒的平均粒径是0.01~10μm,平均粒径4倍以上的该无机微粒的含有比例在1%以下,在平均粒径+20%范围内的无机微粒所含比例在总体的60%以上。14.权利要求13记载的聚酯组合物,其中,按照JIS L-1073测定的L值、a值、b值分别为L、a、b时,满足以下各式L-b≥45a≤1.5。15.权利要求13或14记载的聚酯组合物,其中,聚酯基体中含有的碱金属离子的浓度为Ma(mol/kg)、碱土金属离子的浓度为Mb(mol/kg)、磷浓度为P(mol/kg)时,满足下列方程0.3≤(Ma/2+Mb)/P≤3.0。16.聚酯薄膜,包含权利要求13~15中任何一项的组合物。17.聚酯薄膜,它是有层压结构的聚酯薄膜,其中,至少一层配置了一个包含权利要求13~15中任何一项记载的聚酯组合物的层。18.权利要求16或17记载的聚酯薄膜,其中,含有以二氧化硅与氧化铝的复合氧化物为主成分的无机微粒的层同时含有其它惰性微粒。19.权利要求18记载的聚酯薄膜,其中,其它惰性微粒的平均粒径,相对于以二氧化硅与氧化铝的复合氧化物为主成分的无机微粒的平均粒径而言,是1.5~5倍或0.2~0.67倍。20.权利要求16~19中任何一项...
【专利技术属性】
技术研发人员:森本努,筑木稔博,笹本太,
申请(专利权)人:东丽株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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