【技术实现步骤摘要】
此专利申请已要求了美国临时专利申请系列号No.60/219,843的优先权。本专利技术涉及在用银基合金制造的光学贮存介质中使用的反射层或半反射层。在通常的预记录光盘，如CD唱盘的结构中一般存在着四个层。第一层一般由光学级聚碳酸酯树脂制造。这一层是用公知的技术制造的，这一般从将树脂注塑或压塑成盘开始的。此盘的表面被模制或冲压产生极小的和精确定位的小坑或小突起。这些小坑和小突起有预先确定的尺寸，以及如下面要解释的，最终是在该盘上储存信息的载体。在冲压以后，在信息坑和突起上面放置一层光反射层。此反射层一般用铝或铝合金制造，其厚度一般为大约40～大约100纳米(nm)。此反射层一般由许多已知的蒸汽淀积技术如阴极喷镀或热蒸发中之一来淀积。《科克·奥斯莫化学技术百科全书》(Kirk-Othmer，Encyclopedia of Chemical Technology)第3版，卷10，p.247～283对这些和其它淀积技术如辉光放电、离子电镀和化学蒸汽淀积进行了详细的说明，此说明在此引作参考。然后在反射层上涂布一层溶剂基或紫外线固化型的树脂，一般在此后就是标签。第三层在搬动时和在...
【技术保护点】
一种光储存介质，该介质包括： 在至少一个主要表面上具有特征花纹的第一层；和 与第一层相邻的第一涂层，此第一涂层包括第一金属合金；其中第一金属合金包括银和锌；而且其中银和锌数量之间关系定义为Ａｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［ｙ］时，０．８５＜ｘ＜０．９９９９，而０．０００１＜ｙ＜０．１５。
【技术特征摘要】
US 2001-4-13 09/834775;US 2000-7-21 60/2198431.一种光储存介质，该介质包括在至少一个主要表面上具有特征花纹的第一层；和与第一层相邻的第一涂层，此第一涂层包括第一金属合金；其中第一金属合金包括银和锌； 而且其中银和锌数量之间关系定义为AgxZny时，0.85＜x＜0.9999，而0.0001＜y＜0.15。2.如权利要求1的介质，而且其中0.001≤y≤0.10。3.如权利要求1的介质，其中所述第一涂层直接接触所述第一金属合金。4.如权利要求1的介质，该介质进一步包括在至少一个主要表面上具有特征花纹的第二层；和与第二层相邻的第二涂层。5.如权利要求1的介质，该介质进一步包括在至少一个主要表面上具有特征花纹的第二层，此第二层包括一种介电材料；在至少一个主要表面上具有特征花纹的第三层，此第三层包括一种光学可重新记录材料；和在至少一个主要表面上具有特征花纹的第四层，此第四层包括一种介电材料。6.如权利要求5的介质，其中光学可重新记录材料是一种可相变材料。7.如权利要求6的介质，其中光学可重新记录材料进一步包括选自下面的可相变材料Ge-Sb-Te、As-In-Sb-Te、Cr-Ge-Sb-Te、As-Te-Ge、Te-Ge-Sn、Te-Ge-Sn-O、Te-Se、Sn-Te-Se、Te-Ge-Sn-Au、Ge-Sb-Te、Sb-Te-Se、In-Se-Tl、In-Sb、In-Sb-Se、In-Se-Tl-Co和Si-Te-Sn。8.如权利要求5的介质，其中光学可重新记录材料是一种磁-光材料。9.如权利要求8的介质，其中光学可重新记录材料进一步包括选自Tb-Fe-Co和Gd-Tb-Fe的磁-光材料。10.如权利要求1的介质，其中第一金属合金包括镉，其含量是大约0.01a/o百分数～大约20.0a/o百分数银的存在量。11.如权利要求1的介质，其中第一金属合金包括锂，其含量是大约0.01a/o百分数～大约10.0a/o百分数银的存在量。12.如权利要求1的介质，其中第一金属合金包括锰，其含量是大约0.01a/o百分数～大约7.5a/o百分数银的存在量。13.如权利要求1的介质，其中第一金属合金包括选自金、铑、铜、钌、锇、铱、铂和钯以及它们的混合物的金属，其中此金属含量是大约0.01a/o百分数～大约5.0a/o百分数银的存在量。14.如权利要求1的介质，其中第一金属合金包括选自钛、镍、铟、铬、锗、锡、锑、镓、硅、硼、锆、钼和它们的混合物的金属，其中此金属含量是大约0.01a/o百分数～大约5.0a/o百分数银的存在量。15.一种光储存介质，该介质包括在至少一个主要表面上具有特征花纹的第一层；和与第一层相邻的第一涂层，此第一涂层包括第一金属合金；其中第一金属合金包括银和铝；而且其中银和铝数量之间关系定义为AgxAlz时，0.95＜x＜0.9999，而0.0001＜z＜0.05。16.如权利要求15的介质，而且其中0.001≤z≤0.03。17.如权利要求15的介质，其中所述第一涂层直接接触所述第一金属合金。18.如权利要求15的介质，该介质进一步包括在至少一个主要表面上具有特征花纹的第二层；和与第二层相邻的第二涂层。19.如权利要求15的介质，该介质进一步包括在至少一个主要表面上具有特征花纹的第二层，此第二层包括一种介电材料；在至少一个主要表面上具有特征花纹的第三层，此第三层包括一种光学可重新记录材料；和在至少一个主要表面上具有特征花纹的第四层，此第四层包括一种介电材料。20.如权利要求19的介质，其中光学可重新记录材料是一种可相变材料。21.如权利要求20的介质，其中光学可重新记录材料进一步包括选自下面的可相变材料Ge-Sb-Te、As-In-Sb-Te、Cr-Ge-Sb-Te、As-Te-Ge、Te-Ge-Sn、Te-Ge-Sn-O、Te-Se、Sn-Te-Se、Te-Ge-Sn-Au、Ge-Sb-Te、Sb-Te-Se、In-Se-Tl、In-Sb、In-Sb-Se、In-Se-Tl-Co和Si-Te-Sn。22.如权利要求19的介质，其中光学可重新记录材料是一种磁-光材料。23.如权利要求22的介质，其中光学可重新记录材料进一步包括选自Tb-Fe-Co和Gd-Tb-Fe的磁-光材料。24.如权利要求15的介质，其中第一金属合金包括锰，其含量是大约0.01a/o百分数～大约7.5a/o百分数银的存在量。25.如权利要求15的介质，其中第一金属合金包括镉，其含量是大约0.01a/o百分数～大约20.0a/o百分数银的存在量。26.如权利要求15的介质，其中第一金属合金包括选自锂、锌和它们的混合物的金属，其中此金属含量是大约0.1a/o百分数～大约15.0a/o百分数银的存在量。27.如权利要求15的介质，其中第一金属合金包括选自金、铑、铜、钌、锇、铱、铂和钯和它们的混合物的金属，其中此金属含量是大约0.01a/o百分数～大约5.0a/o百分数银的存在量。28.如权利要求15的介质，其中第一金属合金包括选自钛、镍、铟、铬、锗、锡、锑、镓、硅、硼、锆、钼和它们的混合物的金属，其中此金属含量是大约0.01a/o百分数～大约5.0a/o百分数银的存在量。29.一种光储存介质，该介质包括在至少一个主要表面上具有特征花纹的第一层；和与第一层相邻的第一涂层，此第一涂层包括第一金属合金；其中第一金属合金包括银、锌和铝；而且其中银、锌和铝数量之间关系定义为AgxZnyAlz时，0.80＜x＜0.998，0.001＜y＜0.15，和0.001＜z＜0.05。30.如权利要求29的介质，而且其中0.001≤y≤0.05和0.001≤z≤0.03。31.如权利要求29的介质，其中所述第一涂层直接接触所述第一金属合金。32.如权利要求29的介质，该介质进一步包括在至少一个主要表面上具有特征花纹的第二层；和与第二层相邻的第二涂层。33.如权利要求29的介质，该介质进一步包括在至少一个主要表面上具有特征花纹的第二层，此第二层包括一种介电材料；在至少一个主要表面上具有特征花纹的第三层，此第三层包括一种光学可重新记录材料；和在至少一个主要表面上具有特征花纹的第四层，此第四层包括一种介电材料。34.如权利要求33的介质，其中光学可重新记录材料是一种可相变材料。35.如权利要求34的介质，其中光学可重新记录材料进一步包括选自下面的可相变材料Ge-Sb-Te、As-In-Sb-Te、Cr-Ge-Sb-Te、As-Te-Ge、Te-Ge-Sn、Te-Ge-Sn-O、Te-Se、Sn-Te-Se、Te-Ge-Sn-Au、Ge-Sb-Te、Sb-Te-Se、In-Se-Tl、In-Sb、In-Sb-Se、In-Se-Tl-Co和Si-Te-Sn。36.如权利要求33的介质，其中光学可重新记录材料是一种磁-光材料。37.如权利要求36的介质，其中光学可重新记录材料进一步包括选自Tb-Fe-Co和Gd-Tb-Fe的磁-光材料。38.如权利要求29的介质，其中第一金属合金包括锰，其含量是大约0.01a/o百分数～大约7.5a/o百分数银的存在量。39.如权利要求38的介质，其中锰的含量是大约0.01a/o百分数～大约5.0a/o百分数银的存在量。40.如权利要求29的介质，其中第一金属合金包括镍，...
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