一种单晶硅生长炉的冷却式热屏装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种单晶硅生长炉的冷却式热屏装置，包括热屏主体和连接环，所述连接环与所述热屏主体的顶端固定连接，所述热屏主体通过所述连接环与单晶硅生长炉相连接，所述热屏主体为呈喇叭形的圆筒状，所述热屏主体自内而外依次设置有内筒、若干组冷却管道、隔热层、热反射层和外筒，所述内筒上设置有若干褶皱，所述冷却管道由冷却管壁与内筒组成，所述冷却管道内设置有冷却水，所述冷却管道的两端穿过所述连接环与外界联通，所述隔热层环绕所述冷却管道设置。本实用新型专利技术采用上述结构的一种单晶硅生长炉的冷却式热屏装置，能够提高热屏的隔热效果和拉晶效率，进而降低能耗，减少生产成本。少生产成本。少生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅生长炉的冷却式热屏装置


[0001]本技术涉及单晶硅生长炉
，尤其是涉及一种单晶硅生长炉的冷却式热屏装置。

技术介绍

[0002]单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。单晶硅生长炉中主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。将原料多晶体硅固体用直拉法生产为单晶硅的过程基本包括以下工序：熔化
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过冷
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拉晶
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放肩
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转肩
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等径
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收尾，这些过程都在单晶硅生长炉中完成。一般上述拉晶过程中如何提高拉晶效率及降低能耗一直是此领域研究的重点。在已知的专利文献和实际使用的硅单晶炉中，多采用单纯的热屏对来自石英坩埚的热量进行隔绝。从实际使用的效果来看，依靠简单的热屏结构隔热来提升拉晶的效率和降低能耗的效果并不是太好。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种单晶硅生长炉的冷却式热屏装置，能够提高热屏的隔热效果和拉晶效率，进而降低能耗，减少生产成本。
[0004]为实现上述目的，本技术提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅生长炉的冷却式热屏装置，其特征在于：包括热屏主体和连接环，所述连接环与所述热屏主体的顶端固定连接，所述热屏主体通过所述连接环与单晶硅生长炉相连接，所述热屏主体为呈喇叭形的圆筒状，所述热屏主体自内而外依次设置有内筒、若干组冷却管道、隔热层、热反射层和外筒，所述内筒上设置有若干褶皱，所述冷却管道由冷却管壁与内筒组成，所述冷却管道内设置有冷却水，所述冷却管道的两端穿过所述连接环与外界联通，所述隔热层环绕所述冷却管道设置。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅生长炉的冷却式热屏装...

【专利技术属性】
技术研发人员：万关良，
申请(专利权)人：永清县良晶半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：