低频辐射单元及可分离的多频基站天线制造技术

本实用新型专利技术提供了一种低频辐射单元，包括介质基板、辐射体、馈电结构和侧边地结构；所述辐射体设于所述介质基板上；所述侧边地结构固定在反射板上，并位于所述辐射体的侧面；所述馈电结构一端连接所述辐射体，另一端连接所述侧边地结构。借此，本实用新型专利技术低频辐射单元可简化低频辐射单元的结构，能够实现天线尺寸小型化。本实用新型专利技术还提供一种可分离的多频基站天线，包括有第一反射板，第一反射板上可拆卸式连接有多个所述低频辐射单元和多个高频辐射单元；并且可将低频辐射单元与第一反射板分离，再将低频辐射单元可拆卸式连接于第二反射板上，使得低频辐射单元、高频辐射单元可分别独立地工作。独立地工作。独立地工作。

【技术实现步骤摘要】
低频辐射单元及可分离的多频基站天线


[0001]本技术涉及无线通信的基站天线
，尤其涉及一种低频辐射单元及可分离的多频基站天线。

技术介绍

[0002]随着移动通信技术的快速发展，5G基站的数量在快速地增多，站点资源紧张的问题日益显现。为了快速部署，5G站点主要在原有4G站点资源上增加5G天线及设备，因此多频基站天线成为主流。其中，4G和5G融合的A+P基站天线(即有源和无源一体化天线)在空间尺寸、风载、管理上更有优势，有着很好的发展前景，是未来的一个趋势。
[0003]A+P基站天线为4G、5G融合一体化天线，包括A(Active，有源)天线单元和P(Passive，无源)天线单元，所述A天线单元为5G的高频天线加设备，一般为2600MHz或3500MHz频段；所述P天线单元为4G的低频天线加设备，一般为690
‑
960MHz频段。现有的A+P基站天线，一般为上下拼凑结构，上面为A天线单元，下面为P天线单元，此种形式往往天线尺寸过长，导致风载过大；另一种实现方式为，将P天线单元安装在A天线单元的反射板，这样虽然可降低天线长度，但是A+P基站天线只能一体工作，无法分离。
[0004]综上可知，现有技术在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。

技术实现思路

[0005]针对上述的缺陷，本技术的目的在于提供一种低频辐射单元及可分离的多频基站天线，本技术低频辐射单元可简化低频辐射单元的结构，能够实现天线尺寸小型化；并且，本技术多频基站天线可分别独立地工作。r/>[0006]为了实现上述目的，本技术提供一种低频辐射单元，包括介质基板、辐射体、馈电结构和侧边地结构；所述辐射体设于所述介质基板上；所述侧边地结构固定在反射板上，并位于所述辐射体的侧面；所述馈电结构一端连接所述辐射体，另一端连接所述侧边地结构。
[0007]根据本技术所述的低频辐射单元，所述辐射体包含两组正交分布的偶极子，分别在所述介质基板的
±
45
°
方向上分布放置，两组所述偶极子的辐射臂包括相互垂直的垂直线路和水平线路。
[0008]根据本技术所述的低频辐射单元，所述垂直线路和所述水平线路的长度相等，且长度均为0.1～0.4个波长。
[0009]根据本技术所述的低频辐射单元，所述辐射体的所述垂直线路和所述水平线路中间设有多段弯折线路来实现第一高频滤波枝节；所述弯折线路包括两条纵向线段和一条横向线段，两条所述纵向线段的上端分别与所述横向线段连接，两条所述纵向线段的下端分别与所述垂直线路或所述水平线路连接；所述弯折线路等效为LC并联谐振电路，所述弯折线路本身等效为电感结构，所述弯折线路的两条所述纵向线段之间的缝隙等效为电容结构。
[0010]根据本技术所述的低频辐射单元，所述弯折线路的宽度小于所述垂直线路和所述水平线路的宽度。
[0011]根据本技术所述的低频辐射单元，所述介质基板包括方形基板，所述方形基板的四个侧边中间处分别向外延伸出一矩形臂；
[0012]所述辐射体的所述辐射臂印刷在所述方形基板和所述矩形臂上。
[0013]根据本技术所述的低频辐射单元，所述馈电结构包括两条馈电线路，每条所述馈电线路的一端连接所述辐射体，另一端连接所述侧边地结构。
[0014]根据本技术所述的低频辐射单元，所述馈电线路包括不同宽度的分段结构，以高低阻形式来实现第二高频滤波枝节，所述第二高频滤波枝节等效为LC并联谐振电路。
[0015]根据本技术所述的低频辐射单元，所述侧边地结构为矩形绝缘板。
[0016]本技术还提供一种可分离的多频基站天线，包括有第一反射板和第二反射板；
[0017]所述第一反射板上可拆卸式连接有多个高频辐射单元和多个所述的低频辐射单元；
[0018]所述低频辐射单元脱离所述第一反射板后，将所述低频辐射单元可拆卸式连接于所述第二反射板上。
[0019]根据本技术所述的可分离的多频基站天线，所述低频辐射单元的所述介质基板通过支撑件可拆卸式连接于所述第一反射板或者所述第二反射板上；和/或
[0020]所述低频辐射单元的所述侧边地结构可拆卸式连接于所述第一反射板或者所述第二反射板上。
[0021]根据本技术所述的可分离的多频基站天线，多个所述低频辐射单元组成至少一列低频线阵，所述低频线阵分布于所述第一反射板或所述第二反射板上；
[0022]所述多个高频辐射单元组成至少一列高频线阵，所述高频线阵分布于所述第一反射板上。
[0023]根据本技术所述的可分离的多频基站天线，每列所述低频线阵对应有一所述侧边地结构，每列所述低频线阵中的各所述低频辐射单元的所述馈电结构分别与所述侧边地结构连接。
[0024]根据本技术所述的可分离的多频基站天线，相邻两个所述高频辐射单元之间的间距为0.3～0.7个波长；和/或
[0025]相邻两个所述低频辐射单元之间的间距为0.3～0.8个波长。
[0026]根据本技术所述的可分离的多频基站天线，所述多频基站天线为有源和无源一体化天线，所述高频线阵构成有源天线单元，所述低频线阵构成无源天线单元。
[0027]本技术低频辐射单元包括介质基板、辐射体、馈电结构和侧边地结构，所述辐射体设于介质基板上；所述侧边地结构固定在反射板上，并位于辐射体的侧面；所述馈电结构分别与辐射体和侧边地结构电性连接。借此，本技术低频辐射单元的馈电采用无巴伦形式，在侧边馈电，从而简化了低频辐射单元的结构，能够实现天线尺寸小型化。另外，本技术可分离的多频基站天线，包括有第一反射板，第一反射板上可拆卸式连接有多个所述低频辐射单元和多个高频辐射单元；并且可将低频辐射单元与第一反射板分离，再将低频辐射单元可拆卸式连接于第二反射板上，使得低频辐射单元、高频辐射单元可分别独
立地工作。所述可分离的多频基站天线优选为有源和无源一体化天线。
附图说明
[0028]图1是本技术优选低频辐射单元的立体结构示意图；
[0029]图2为本技术优选低频辐射单元的辐射体的正面结构示意图；
[0030]图3为本技术优选辐射体的局部线路的结构示意图；
[0031]图4为本技术优选辐射体的第一高频滤波枝节的等效电路图；
[0032]图5为本技术可分离的多频基站天线的立体结构示意图；
[0033]图6为本技术可分离的多频基站天线的正面结构示意图；
[0034]图7为本技术可分离的多频基站天线的高频、低频独立工作的示意图。
[0035]附图标记
[0036]低频辐射单元100；
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介质基板10；
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方形基板11；
[0037]矩形臂12；
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辐射体20；
ꢀꢀꢀ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低频辐射单元，其特征在于，包括介质基板、辐射体、馈电结构和侧边地结构；所述辐射体设于所述介质基板上；所述侧边地结构固定在反射板上，并位于所述辐射体的侧面；所述馈电结构一端连接所述辐射体，另一端连接所述侧边地结构。2.根据权利要求1所述的低频辐射单元，其特征在于，所述辐射体包含两组正交分布的偶极子，分别在所述介质基板的
±
45
°
方向上分布放置，两组所述偶极子的辐射臂包括相互垂直的垂直线路和水平线路。3.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，所述垂直线路和所述水平线路的长度相等，且长度均为0.1～0.4个波长。4.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，所述辐射体的所述垂直线路和所述水平线路中间设有多段弯折线路来实现第一高频滤波枝节；所述弯折线路包括两条纵向线段和一条横向线段，两条所述纵向线段的上端分别与所述横向线段连接，两条所述纵向线段的下端分别与所述垂直线路或所述水平线路连接；所述弯折线路等效为LC并联谐振电路，所述弯折线路本身等效为电感结构，所述弯折线路的两条所述纵向线段之间的缝隙等效为电容结构。5.根据权利要求4所述的低频辐射单元，其特征在于，所述弯折线路的宽度小于所述垂直线路和所述水平线路的宽度。6.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，所述介质基板包括方形基板，所述方形基板的四个侧边中间处分别向外延伸出一矩形臂；所述辐射体的所述辐射臂印刷在所述方形基板和所述矩形臂上。7.根据权利要求1所述的低频辐射单元，其特征在于，所述馈电结构包括两条馈电线路，每条所述馈电线路的一端连接所述辐射体，另一端连接所述侧边地结构。8.根据权利要求7所述的低频辐射单元，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾志，邱小凯，吴祖德，郭亚军，崔益阳，
申请(专利权)人：摩比天线技术深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：