铜镶嵌结构的制作方法技术

本发明专利技术公开一种铜镶嵌结构的制作方法，其包含提供一介电层，接着形成一镶嵌孔洞于介电层中，然后进行一沉积制作工艺以形成一铜金属层填入镶嵌孔洞并且覆盖介电层的上表面，之后进行一研磨制作工艺以移除在镶嵌孔洞之外的铜金属层，在研磨制作工艺之后，进行一修复制作工艺以修复铜金属层，其中修复制作工艺包含将铜金属层放置在压力1.25托耳、温度介于摄氏350至410度之间、通入氢气和氮气的混合气体的一反应室中进行修复制作工艺，其中氢气和氮气的混合气体的氢气和氮气的流量比值介于0.3至0.61之间，修复制作工艺的时间介于60至180秒之间。之间。之间。

【技术实现步骤摘要】
铜镶嵌结构的制作方法


[0001]本专利技术涉及一种铜镶嵌制作工艺，特别是涉及一种以高温低压的加热方式修复铜表面的镶嵌制作工艺。

技术介绍

[0002]随着集成电路的集成度增加，多重金属内连线的制作便逐渐成为许多半导体集成电路制作工艺所必须采用的方式。过去曾经使用铝来作为元件之间内连线的材料。然而，随着元件的特征尺寸日益缩小，使用铝来作为元件之间内连线的材料已渐感不敷需求。铜因为具有比铝更低的电阻以及较低的电致迁移行为，目前的趋势普遍使用铜以取代铝作为元件之间内连线的材料。
[0003]而铜镶嵌技术是目前最受欢迎的金属内连线制作工艺组合，铜镶嵌制作工艺是将铜直接沉积在预先定义有沟槽(trench)与通孔(via)等开口的介电层中，通常是使用光刻加上蚀刻的方式将沟槽与通孔等开口定义于介电层中。一方面，镶嵌制作工艺可以分成单镶嵌制作工艺或双镶嵌制作工艺。单镶嵌制作工艺是只要形成沟槽或通孔的其中一者，而双镶嵌制作工艺是要将沟槽与通孔一起堆叠形成在同一个位置上。另一方面，镶嵌技术若依介电层的干蚀刻方式的不同来分类的话，目前大致上可分为沟槽优先(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜镶嵌结构的制作方法，包含：步骤(a)：提供介电层；步骤(b)：形成镶嵌孔洞于该介电层中；步骤(c)：进行沉积制作工艺以形成铜金属层填入该镶嵌孔洞并且覆盖该介电层的上表面；步骤(d)：进行研磨制作工艺以移除在该镶嵌孔洞之外的该铜金属层；以及步骤(e)：在该研磨制作工艺之后，进行修复制作工艺以修复该铜金属层，其中该修复制作工艺包含：将该铜金属层放置在压力1.25托耳、温度介于摄氏350至410度之间、通入氢气和氮气的混合气体的反应室中进行该修复制作工艺，其中该氢气和氮气的混合气体的氢气和氮气的流量比值介于0.3至0.61之间，该修复制作工艺的时间介于60至180秒之间。2.如权利要求1所述的铜镶嵌结构的制作方法，另包含在步骤(e)之后，进行步骤(f)，该步骤(f)包含形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴杰龙，高峰，谈文毅，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：