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本发明公开一种铜镶嵌结构的制作方法，其包含提供一介电层，接着形成一镶嵌孔洞于介电层中，然后进行一沉积制作工艺以形成一铜金属层填入镶嵌孔洞并且覆盖介电层的上表面，之后进行一研磨制作工艺以移除在镶嵌孔洞之外的铜金属层，在研磨制作工艺之后，进行一...
该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。

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