一种半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括衬底以及在衬底上设置的外延层，外延层用于形成具有多个沟槽的半导体图案层，在外延层上设置有多个凸台结构，每个凸台结构包括隔离凸台和环设于隔离凸台周侧的牺牲层，隔离凸台用于定义相邻两个沟槽的隔断区。以此通过牺牲层来对光刻胶层在凸台结构表面的收缩进行预先补偿，使得隔离凸台能够在图案化光刻胶层具有一定收缩的情况依然可以得到较好的保留，从而避免未考虑光刻胶收缩时直接使凸台结构作为隔离凸台，导致最终形成的隔离凸台被过刻蚀，进而容易引发沟槽底部桥接的现象。现象。现象。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]随着科技的进步，半导体器件已经在各个领域内被广泛使用。在制备半导体器件的过程中，通常需要在某一层级上制作多个沟槽，为了保证器件的正常功能，需要使得相邻两个沟槽之间相互隔断，从而避免相邻两个沟槽的底部对底部形成桥接。
[0003]现有工艺通常在用于制作形成沟槽的层级上的隔断位置涂覆光刻胶，然后通过光刻的方式，形成多个隔断的沟槽，但由于其并未考虑光刻胶在光刻过程中边缘会向内收缩，容易使得相邻两个隔断的沟槽发生底部对底部的桥接现象，影响器件的性能。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种半导体器件，以改善现有相邻两个沟槽之间容易发生底部桥接的现象。
[0005]为实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：
[0006]本技术实施例的一方面，提供一种半导体器件，包括衬底以及在衬底上设置的外延层，外延层用于形成具有多个沟槽的半导体图案层，在外延层上设置有多个凸台结构，每个凸台结构包括隔离凸台和环设于隔离凸台周侧的牺牲层，隔离凸台用于定义相邻两个沟槽的隔断区。
[0007]可选的，凸台结构为第一柱状结构，第一柱状结构沿平行衬底方向的截面为椭圆形。
[0008]可选的，隔离凸台为第二柱状结构，第二柱状结构沿平行衬底方向的截面为长方形。
[0009]可选的，长方形与椭圆形内接。
[0010]可选的，多个凸台结构在外延层上阵列设置。
[0011]可选的，阵列为矩形阵列。
[0012]可选的，相邻两排凸台结构交错设置。
[0013]可选的，外延层为介电层。
[0014]可选的，凸台结构为介电结构。
[0015]本技术的有益效果包括：
[0016]本技术提供了一种半导体器件，包括衬底以及在衬底上设置的外延层，外延层用于形成具有多个沟槽的半导体图案层，在外延层上设置有多个凸台结构，每个凸台结构包括隔离凸台和环设于隔离凸台周侧的牺牲层，隔离凸台用于定义相邻两个沟槽的隔断区。在上述结构的表面涂覆整层的光刻胶，对其进行曝光显影等工序使其在相邻两个凸台结构之间的区域露出，并将该区域作为沟槽的形成区域，该区域可以是多个间隔设置的区域，从而形成多个互相隔断的沟槽，然后进行刻蚀，从而在外延层上形成多个沟槽，在形成
多个沟槽的过程中，因为在光刻工艺使得光刻胶会有一定的收缩，从而露出凸台结构的牺牲层，且该牺牲层在刻蚀过程中被去除，避免隔离凸台被过刻蚀。以此通过牺牲层来对光刻胶层在凸台结构表面的收缩进行预先补偿，使得隔离凸台能够在图案化光刻胶层具有一定收缩的情况依然可以得到较好的保留，从而避免未考虑光刻胶收缩时直接使凸台结构作为隔离凸台，导致最终形成的隔离凸台被过刻蚀，进而容易引发沟槽底部桥接的现象。牺牲层的形状、环设于隔离凸台的厚度可以根据在凸台结构上涂覆的光刻胶的收缩量、收缩位置进行合理设置。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0018]图1为本技术实施例提供的一种半导体器件的结构示意图之一；
[0019]图2为本技术实施例提供的一种半导体器件的凸台结构的结构示意图；
[0020]图3为图1中A
‑
A的剖视图；
[0021]图4为本技术实施例提供的一种半导体器件的结构示意图之二；
[0022]图5为图4中B
‑
B的剖视图。
[0023]图标：100
‑
衬底；200
‑
外延层；210
‑
沟槽；300
‑
凸台结构；310
‑
隔离凸台；320
‑
牺牲层。
具体实施方式
[0024]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0025]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施例中的各个特征可以相互结合，结合后的实施例依然在本技术的保护范围内。
[0026]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0027]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍
微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0029]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0030]本技术实施例的一方面，提供一种半导体器件，如图1和图2所示，包括衬底100以及在衬底100上设置的外延层200，外延层200用于形成具有多个沟槽210的半导体图案层，在外延层200上设置有多个凸台结构300，每个凸台结构300包括隔离凸台310和环设于隔离凸台310周侧的牺牲层320，隔离凸台310用于定义相邻两个沟槽210的隔断区。
[0031]示例的，如图1所示，提供一种半导体器件，该半导体器件包括衬底100、外延层200和多个凸台结构300，其中，衬底100则用于作为该半导体器件的基础支撑以及生长基底，即半导体器件的后续外延结构均以该衬底100为基础进行制作。为了有效提高半导体器件的质量，在衬底100上进行制作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上设置的外延层，所述外延层用于形成具有多个沟槽的半导体图案层，在所述外延层上设置有多个凸台结构，每个所述凸台结构包括隔离凸台和环设于所述隔离凸台周侧的牺牲层，所述隔离凸台用于定义相邻两个所述沟槽的隔断区。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凸台结构为第一柱状结构，所述第一柱状结构沿平行所述衬底方向的截面为椭圆形。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离凸台为第二柱状结构，所述第二柱状结构沿平行所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘乃硕，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：新型
国别省市：