光学信息存储介质和在光学信息存储介质上记录信息和/或从光学信息存储介质上再现信息制造技术

一种光学信息存储介质包括导入区、用户数据区和导出区。数据在全部或部分导入区中被记录为凹坑摆动，并且数据在光学信息存储介质的剩余区被记录为凹坑。一种在光学信息存储介质上记录信息和／或从光学信息存储介质上再现信息的方法。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光学信息存储介质和在光学信息存储介质上记录信息和/或从光学信息存储介质上再现信息的方法。更具体地讲，本专利技术涉及这样一种光学信息存储介质，在其中数据在导入区的全部或部分中被记录为凹坑摆动(pit Wobble)并且在光学信息存储介质的剩余区被记录为凹坑，及一种在光学信息存储介质上记录信息和/或从光学信息存储介质再现信息的方法。
技术介绍
光盘通常被用作无需接触光盘在光盘上记录信息和/或从光盘再现信息的光学拾取设备的信息存储介质。光盘根据其信息记录容量被划分为压缩盘(CD)或数字通用光盘(DVD)。CD和DVD还包括650MB的CD-R、CD-RW，4.7GB的DVD+RW、DVD随机存取存储器(DVD-RAM)、DVD-R/可重写(DVD-RW)等等。只读盘包括650MB的CD、4.7GB的DVD-ROM等。另外，具有20GB或更大记录容量的高密度数字通用盘(HD-DVD)已经被开发。然而，根据被兼容地用于再现设备的光学信息介质类型，上述提及的光学信息介质被标准化。因此，用户可方便地使用光学信息介质，并且购买光学信息介质的费用可被节省。将没有被标准化的存储介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学信息存储介质包括：导入区；用户数据区；和导出区，其中，数据在至少部分导入区被记录为凹坑摆动并且数据在光学信息存储介质的剩余区被记录为凹坑。

【技术特征摘要】
KR 2002-9-6 10-2002-0053953;KR 2003-5-20 10-2003-01.一种光学信息存储介质包括导入区；用户数据区；和导出区，其中，数据在至少部分导入区被记录为凹坑摆动并且数据在光学信息存储介质的剩余区被记录为凹坑。2.根据权利要求1所述的光学信息存储介质，其中，数据在其中被记录为凹坑摆动的区域是在其中关于符合相同物理格式的存储介质的未更改的信息被记录的区域。3.根据权利要求2所述的光学信息存储介质，其中，数据在其中被记录为凹坑摆动的区域是与光学信息存储介质相关的信息被记录在其中的区域。4.根据权利要求3所述的光学信息存储介质，其中，用于数据在其中被记录为凹坑摆动的区域的第一数据记录调制方法与用于数据在其中被记录为凹坑的剩余区域的第二数据记录调制方法不同。5.根据权利要求4所述的光学信息存储介质，其中，用于数据在其中被记录为凹坑摆动的区域的第一数据记录调制方法是双相调制方法，并且用于数据在其中被记录为凹坑的剩余区域的第二数据记录调制方法是RLL调制方法。6.根据权利要求5所述的光学信息存储介质，其中，RLL调制方法是RLL(1，7)调制方法。7.根据权利要求6所述的光学信息存储介质，其中，根据双相调制方法记录的信息包括长度为nT的标记和空白区，和长度为2nT的标记和空白区，其中，n在2≤n≤4范围内并且T是最小标记长度。8.根据权利要求5所述的光学信息存储介质，其中，RLL调制方法是RLL(2，10)调制方法。9.根据权利要求8所述的光学信息存储介质，其中，根据双相调制方法记录的信息包括长度为nT的标记和空白区，和长度为2nT的标记和空白区，其中，n在3≤n≤5范围内并且T是最小标记长度。10.根据权利要求3所述的光学信息存储介质，其中，凹坑摆动的模式基本上与用于用户数据区的模式匹配。11.根据权利要求10所述的光学信息存储介质，其中，凹坑摆动的模式是单一模式、随机模式和至少两种模式的组合中的一种。12.根据权利要求3所述的光学信息存储介质，其中，凹坑摆动的模式是单一模式、随机模式和至少两种模式的组合中的一种。13.根据权利要求3所述的光学信息存储介质，其中，通过使用推挽式信道与和信道中的一个，记录为凹坑摆动的数据被再现。14.根据权利要求1所述的光学信息存储介质，其中，用于数据在其中被记录为凹坑摆动的区域的第一数据记录调制方法与用于数据在其中被记录为凹坑的剩余区的第二数据记录调制方法不同。15.根据权利要求14所述的光学信息存储介质，其中，用于数据在其中被记录为凹坑摆动的区域的第一数据记录调制方法是双相调制方法，和用于数据在其被记录为凹坑的剩余区域的第二数据记录调制方法是RLL调制方法。16.根据权利要求15所述的光学信息存储介质，其中，RLL调制方法是RLL(1，7)调制方法。17.根据权利要求16所述的光学信息存储介质，其中，根据双相调制方法记录的信息包括长度为nT的标记和空白区，和长度为2nT的标记和空白区，其中，n在2≤n≤4范围内并且T是最小标记长度。18.根据权利要求15所述的光学信息存储介质，其中，RLL调制方法是RLL(2，10)调制方法。19.根据权利要求18所述的光学信息存储介质，其中，根据双相调制方法记录的信息包括长度为nT的标记和空白区，和长度为2nT的标记和空白区，其中，n在3≤n≤5范围内并且T是最小标记长度。20.根据权利要求1所述的光学信息存储介质，其中，凹坑摆动的模式基本上与用于用户数据区的模式匹配。21.根据权利要求20所述的光学信息存储介质，其中，凹坑摆动的模式是单一模式、随机模式和至少两种模式的组合中的一种。22.根据权利要求1所述的光学信息存储介质，其中，凹坑摆动的模式是单一模式、随机模式和至少两种模式的组合中的一种。23.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李坰根，朴仁植，卢明道，郑钟三，沈载晟，朴昶敏，朴贤洙，尹斗燮，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]