光信息记录介质及其制造方法、记录方法和记录装置制造方法及图纸

提供了一种记录介质，其在透明衬底上至少具有记录层。记录层从最靠近透明衬底的一侧开始依次至少具有第一可相变膜和第二可相变膜。第一可相变膜和第二可相变膜每个都包含至少１０原子百分比且不超过５０原子百分比的锗以及至少４５原子百分比且不超过６０原子百分比的碲。可相变膜中至少一个膜还包含铋。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光信息记录介质，通过使用激光器或其他这样的高能光束照射形成在衬底上的薄膜可以用这种光信息记录介质记录和/或再现信息信号。本专利技术还涉及一种制造这种光信息记录介质的方法以及一种在这种介质上进行记录的方法和装置。
技术介绍
通过利用这样的现象记录材料在晶相与非晶相之间可逆相变，实现对相变型光信息记录介质的信息记录、擦除及重写。当在光信息记录介质衬底上形成由氧族元素材料等制成的薄膜时，通过使用不同的光学系数(折射率n和消光系数k)，可以在晶相与非晶相之间切换，以改变由激光束产生的局部热量的照射条件。这已经是常识了，并且已经对所谓的可相变光信息记录介质进行了大量研究、开发及商业应用。利用可相变光信息记录介质，在对信息轨道照射时，根据信息信号，至少在两个功率电平(记录电平和擦除电平)之间调制激光器输出，从而可以在记录新信号的同时擦除现有信号。利用这样的光信息记录介质，除了记录层之外，例如，通常在记录层最靠近衬底的一侧(下侧)以及与衬底相反的一侧(上侧)设置由具有优良耐热性的电介质材料组成的保护层。这种保护层的作用包括防止衬底的热变形以及重复记录时记录层的蒸发，以及通过光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光信息记录介质，包括：透明衬底；和位于所述透明衬底上的至少一个记录层，所述记录层至少包括第一可相变膜和第二可相变膜，其中所述第一可相变膜相对于所述第二可相变膜更靠近所述透明衬底，所述第一可相变膜和所述第二可相变膜每个都包含至少１０原子百分比且不超过５０原子百分比的锗以及至少４５原子百分比且不超过６０原子百分比的碲，并且所述可相变膜中至少一个膜包含铋。

【技术特征摘要】
JP 2004-3-12 2004-0704131.一种光信息记录介质，包括透明衬底；和位于所述透明衬底上的至少一个记录层，所述记录层至少包括第一可相变膜和第二可相变膜，其中所述第一可相变膜相对于所述第二可相变膜更靠近所述透明衬底，所述第一可相变膜和所述第二可相变膜每个都包含至少10原子百分比且不超过50原子百分比的锗以及至少45原子百分比且不超过60原子百分比的碲，并且所述可相变膜中至少一个膜包含铋。2.一种光信息记录介质，包括透明衬底；位于所述透明衬底上的至少第一和第二信息层；和位于所述第一和第二信息层之间的隔离层，其中所述第一信息层相对于所述第二信息层更靠近所述透明衬底；所述第一信息层和所述第二信息层中的至少一个信息层至少具有记录层，所述记录层至少包括第一可相变膜和第二可相变膜，其中所述第一可相变膜相对于所述第二可相变膜更靠近所述透明衬底，所述第一可相变膜和所述第二可相变膜每个都包含至少10原子百分比且不超过50原子百分比的锗以及至少45原子百分比且不超过60原子百分比的碲，并且所述可相变膜中至少一个膜包含铋。3.根据权利要求1或2所述的光信息记录介质，其特征在于所述第一可相变膜中包含的铋与所述第二可相变膜中包含的铋的差至少是2原子百分比或更多。4.根据权利要求1至3所述的光信息记录介质，其特征在于还包括至少有反射层，其中所述记录层相对于所述反射层更靠近所述透明衬底。5.根据权利要求4所述的光信息记录介质，其特征在于还包括位于所述记录层与所述反射层之间的上电介质层。6.根据权利要求5所述的光信息记录介质，其特征在于还包括位于所述记录层与所述上电介质层之间的上界面层。7.根据权利要求6所述的光信息记录介质，其中所述上界面层包括这样的材料，所述材料包含从由钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、镓和硅组成的组中选出的至少一种元素的氧化物。8.根据权利要求5至7之一所述的光信息记录介质，其特征在于还包括位于所述上电介质层与所述反射层之间的光吸收层。9.根据权利要求8所述的光信息记录介质，其特征在于所述光吸收层包括这样的材料，所述材料包含从由硅和锗组成的组中选出的至少一种元素。10.根据权利要求1至9之一所述的光信息记录介质，其特征在于还包括位于所述记录层与所述透明衬底之间的下电介质层。11.根据权利要求10所述的光信息记录介质，其特征在于还包括位于所述下电介质层与所述记录层之间的下界面层。12.根据权利要求11所述的光信息记录介质，其特征在于所述下界面层包括这样的材料，所述材料包含从由钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、镓和硅组成的组中选出的至少一种元素的氧化物。13.一种制造光信息记录介质的方法，包括提供透明衬底；在所述透明衬底上形成至少一个记录层，所述记录层至少包括第一可相变膜和第二可相变膜，其中所述第一可相变膜相对于所述第二可相变膜更靠近所述透明衬底，所述第一可相变膜和所述第二可相变膜每个都包含至少10原子百分比且不超过50原子百分比的锗以及至少45原子百分比且不超过60原子百分比的碲，并且所述可相变膜中至少一个膜包含铋。14.一种制造光信息记录介质的方法，包括提供透明衬底；在所述透明衬底上依次至少形成第一信息层、隔离层和第二信息层；以及所述第一信息层和所述第二信息层中至少一个信息层至少形成有记录层；所述记录层至少包括第一可相变膜和第二可相变膜，其中所述第一可相变膜相对于所述第二可相变膜更靠近所述透明衬底，所述第一可相变膜和所述第二可相变膜每个都包含至少10原子百分比且不超过50原子百分比的锗以及至少45原子百分比且不超过60原子百分比的碲，并且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：北浦英树，山田升，儿岛理惠，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]