垂直磁盘装置制造方法及图纸

一种垂直磁盘装置，其具有包括软下层（１２）和垂直记录层（１３）的垂直记录介质（１０），以及包括主极（２１）、返回磁轭（２２）和励磁线圈（２３）的写入头，其中主极（２１）的磁致伸缩常数λ［Ｅ－６］和作用于主极（２１）上的应力Ｓ［ＭＰａ］的乘积以及介质（１０）的矫顽性Ｈｃ［Ｏｅ］满足以下的公式：λ×Ｓ＞３０，０００，０００／Ｈｃ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个实施例涉及一种能抑制对记录数据的损坏的垂直磁盘装置。
技术介绍
由于不断改进磁盘装置的记录密度的要求，因此，记录方案正向垂直记录系统偏移。而且，在垂直磁盘装置中，在记录介质上承载信息的位大小根据记录密度的增加而不可避免的减小。结果是，存在这样的趋势，即容易发生对记录在介质上的数据的错误擦除，从而导致记录稳定性的下降。对记录在介质上的数据的错误擦除的一个因素是垂直磁场，该垂直磁场基于在记录操作后保留在主极上的磁化强度产生。通常，已经提出一种垂直磁头，该磁头在主极上的剩余磁化强度可以被减少(日本专利申请公开2004-86961)。该垂直磁头包括写极、辅助极和线圈。写极包括主极和在跨磁轨方向上比主极更宽的磁轭部分。主极的磁致伸缩常数和磁轭部分的磁致伸缩常数分别具有正号和负号但是，根据本专利技术人的研究已经得知，数据错误擦除的问题不能仅仅通过控制主极和磁轭部分的磁致伸缩常数来解决。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供一种垂直磁盘装置，其包括包括软下层和垂直记录层的垂直记录介质；以及包括主极、返回磁轭和励磁线圈的写入头，其中主极的磁致伸缩常数λ[E-6]与作用于主极上的应力S[MPa]的乘积和介质的矫顽性Hc[Oe]满足以下的公式λ×S＞30,000,000/Hc。附图说明现在将参考附图描述实现本专利技术不同特征的总体结构。附图和相关的描述被提供以说明本专利技术的多个实施例，并且不限制本专利技术的范围。图1是根据本专利技术的一个实施例的垂直磁盘装置的透视图；图2是根据本专利技术的另一个实施例的垂直磁盘装置的透视图；图3是示出当使用每个包括由不同材料形成的主极的磁头时，介质的矫顽性Hc与记录不稳定的发生率之间的关系的曲线图；图4是示出在介质的矫顽性Hc和λ×S的乘积的坐标系中的下限条件的曲线图，在该条件下，记录不稳定的发生率变为零。具体实施例方式下面将参考附图描述根据本专利技术的不同实施例。对记录在介质上的数据的错误擦除是否发生，取决于垂直磁场的大小与介质中的记录状态的稳定性之间的平衡，其中垂直磁场由在记录操作后在主极上留下的磁化强度产生。专利技术人已经发现，为了解决错误擦除的问题，必须考虑主极的磁致伸缩常数、作用于主极的应力以及介质的矫顽性。为了更加确切，主极的磁致伸缩常数λ[E-6]与作用于主极上的应力S[MPa]的乘积和介质的矫顽性Hc[Oe]必须满足以下的公式(1)λ×S＞30,000,000/Hc (1)当主极形成时，感应出应力S，并且其均匀作用于膜表面。λ和S的乘积是电致伸缩能。在满足公式(1)的关系的垂直磁盘装置中，记录在介质上的数据没有被在记录操作之后留在主极上的磁化强度擦除。图1是根据本专利技术的一个实施例的垂直磁盘装置的透视图。图1所示的磁盘10包括基片11、软下层12以及在垂直于膜表面的方向上具有磁各向异性的垂直记录层13。可以形成例如晶体取向层的另一层。通常，将保护层形成在垂直记录层13上，并将润滑剂涂敷在保护层上。图1所示的磁头20是分隔型磁头，其中将写入头和读取头分隔开。写入头包括主极21、位于主极21的引导侧的返回磁轭22以及励磁线圈23。主极21由高磁导率材料制成，并产生到磁盘10的垂直磁场。由主极21、磁盘10的软下层12以及返回磁轭22有效地形成闭合的磁路。将励磁线圈23缠绕在后磁轭上，所述后磁轭耦合主极21和返回磁轭22。读取头包括磁阻膜(图1中未示出)以及位于磁阻膜的从动侧和引导侧上的屏蔽膜25和26。图2是根据本专利技术的另一实施例的垂直磁盘装置的透视图。除了返回磁轭22位于主极21的从动侧以外，该垂直磁盘装置具有与图1所示的垂直磁盘装置相同的结构。图3示出了当使用每个包括由不同材料形成的主极的磁头时，介质的矫顽性Hc与记录不稳定的发生率之间的关系。主极的材料的物理特性由主极的磁致伸缩常数λ[E-6]与作用于主极上的应力S的乘积表示，即磁致伸缩能。记录不稳定的发生由在对写入头不提供电流的情况下，对记录数据的读取信号的输出损坏的发生来限定。尤其是，当观察到相对于对记录数据的读取信号的初始输出的5％或更多损坏时，则确定发生了记录不稳定。记录不稳定的发生率指这样的比率，即，对于使用具有相同的磁致伸缩能的材料制造的多个写入头，记录不稳定的发生几率。通常，基于涉及几百到几千个写入头的试验结果来计算发生率。从图3可以看出，记录不稳定的发生率随着矫顽性Hc的减少变得更大。另外，可以发现，使记录不稳定的发生率变为零的介质的矫顽性Hc根据λ和S的乘积改变。图4示出了在介质的矫顽性Hc和λ[E-6]×S[Mpa]的乘积的坐标系中的下限条件，在该条件下，记录不稳定的发生率变为零。图4中的曲线由公式λ×S＝30,000,000/Hc表示。在满足曲线上的条件的垂直磁盘装置中，记录在介质上的数据不被在记录操作之后留在主极上的磁化强度擦除。为了减少记录不稳定性，优选磁致伸缩能[λ×S]较高。但是，如果λ与S的乘积过高，则可能对主极发生物理损坏。因此，将λ与S的乘积设置在不会对主极发生物理损坏的范围内。尽管已经描述了本专利技术的具体实施例，但是这些实施例仅以示例的形式被示出，并且不限制本专利技术的范围。实际上，这里描述的新的方法以及系统可以以多种其它的形式实现；而且，可以不脱离本专利技术的精神而对这里描述的方法和系统的形式作出不同的省略、替换或者改变。所附权利要求书及其等同描述旨在覆盖将落入本专利技术的范围和精神内的各种形式或修改。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直磁盘装置，包括：垂直记录介质（１０），其包括软下层（１２）和垂直记录层（１３）；以及写入头，其包括主极（２１）、返回磁轭（２２）和励磁线圈（２３），其特征在于，所述主极（２１）的磁致伸缩常数λ［Ｅ－６］与作用于所述主极（２１）上的应力Ｓ［ＭＰａ］的乘积、以及所述介质（１０）的矫顽性Ｈｃ［Ｏｅ］满足以下公式：λ×Ｓ＞３０，０００，０００／Ｈｃ。

【技术特征摘要】
JP 2005-3-11 069891/20051.一种垂直磁盘装置，包括垂直记录介质(10)，其包括软下层(12)和垂直记录层(13)；以及写入头，其包括主极(21)、返回磁轭(22)和励磁线圈(23)，其特征在于，所述主极(21)的磁致伸缩常数λ[E-6]与作用...

【专利技术属性】
技术研发人员：田口知子，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]