【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可改写的磁记录介质，特别是涉及通过入射光，在使温度上升的同时进行信号的记录再现的磁记录介质、及其制造方法和制造装置、磁记录介质的记录再现方法和记录再现装置。
技术介绍
使用光的磁记录介质和相变记录介质等的光记录介质，是能够进行大容量、高密度记录的移动型记录介质，近年来，随着多媒体化的普及，对于记录计算机的大容量文件和动态图象的记录介质的需求急速增加。光记录介质一般是在塑料等透明的圆盘状基板上形成包含记录层的多层膜，通过照射激光进行记录、删除，利用激光的反射光进行再现。使用光的磁记录介质，以往是在通过施加固定磁场进行了删除后，通过施加反方向的固定磁场进行记录的所谓光调制记录为主，但近年来，在照射激光的同时，根据记录图案来调制磁场的磁场调制方式，作为能够一次性进行记录(直接改写)、且能够以高记录密度正确地记录的方式备受注目。相变记录介质由于能够利用光调制记录进行直接改写，并利用与CD或DVD相同的光学系统进行再现，所以正在向实用化发展。光记录介质的记录密度的极限由光源的激光波长(λ)决定，并依赖于衍射界限(～λ/2NANA是物镜的数值孔径)。近年来，...
【技术保护点】
一种磁记录介质，其在盘基板上包括至少具有磁性各向异性的记录膜， 至少在所述记录膜的上面，隔着热传导率小于所述记录膜的热传导率的保护层而具有润滑层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-2-27 054090/20041.一种磁记录介质，其在盘基板上包括至少具有磁性各向异性的记录膜，至少在所述记录膜的上面，隔着热传导率小于所述记录膜的热传导率的保护层而具有润滑层。2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层的热传导率为1×106erg/(s·K·cm)以下。3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层由多层薄膜构成。4.根据权利要求3所述的磁记录介质，其特征在于，所述多层薄膜的热传导率各自不同。5.根据权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于，在由所述多层薄膜构成的保护层中，所述记录膜一侧的薄膜的热传导率大于所述润滑层一侧的薄膜的热传导率。6.根据权利要求4或5所述的磁记录介质，其特征在于，由所述多层薄膜构成的保护层，至少具有热传导率为1×106erg/(s·K·cm)以下的薄膜。7.根据权利要求1～6中任意一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层以碳为主要成分。8.根据权利要求7所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层含有类金刚石碳。9.根据权利要求8所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层含有氮、氧或氢。10.根据权利要求9所述的磁记录介质，其特征在于，在所述保护层的多层薄膜中，使氮、氧或氢的含有量变化。11.根据权利要求1～6中任意一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层含有在250℃以上的温度下具有耐热性的材料。12.根据权利要求11所述的磁记录介质，其特征在于，所述耐热性材料由氟系树脂、或陶瓷材料构成。13.根据权利要求11所述的磁记录介质，其特征在于，所述耐热性材料由特氟隆(注册商标)构成。14.根据权利要求1～6中任意一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层含有金属材料。15.根据权利要求14所述的磁记录介质，其特征在于，所述金属材料由Ti、Ta、Cr构成。16.根据权利要求14所述的磁记录介质，其特征在于，所述金属材料由氮化合物或氧化物构成。17.根据权利要求1～6中任意一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层至少含有硫族系化合物。18.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述润滑层由多层薄膜构成。19.根据权利要求18所述的磁记录介质，其特征在于，所述多层薄膜的热传导率各自不同。20.根据权利要求18或19所述的磁记录介质，其特征在于，所述润滑层含有PFPE。21.根据权利要求18或19所述的磁记录介质，其特征在于，所述润滑层含有耐热性材料。22.根据权利要求18或19所述的磁记录介质，其特征在于，所述润滑层含有氧化物或氮化物。23.根据权利要求1～22中任意一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述润滑层和所述保护层的膜厚合计为1nm以上、100nm以下。24.根据权利要求23所述的磁记录介质，其特征在于，所述润滑层的膜厚为0.5nm以上、20nm以下。25.根据权利要求23或24所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层的膜厚为0.5nm以上、99.5nm以下。26.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述记录膜包含在膜面垂直方向上具有磁性各向异性的磁性层。27.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：村上元良，尾留川正博，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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