DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法技术

本发明专利技术提供一种DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法，形成具有牺牲层的外延结构，在第一刻蚀形成显露牺牲层的刻蚀窗口后，采用第二刻蚀以完全去除牺牲层，并以外力方式去除悬空的钝化层及掩膜层以完全显露接触层，可形成完全覆盖接触层的正面电极；本发明专利技术制备的正面电极可完全覆盖接触层，从而能够实现电极窗口最大化，可有效改善DFB激光器的电学和热学特性，提高DFB激光器的性能，且在制备正面电极自对准工艺过程中，沟槽侧壁的钝化层由于未经过刻蚀等工艺，从而下波导层、有源层、上波导层可得到完整保护，避免刻蚀工艺对波导层及有源层的损伤，提高DFB激光器质量。提高DFB激光器质量。提高DFB激光器质量。

【技术实现步骤摘要】
DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法


[0001]本专利技术涉及光电子器件领域，特别是涉及一种DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法。

技术介绍

[0002]在现代高速光通信系统中，分布反馈单模激光器是光通信网络与系统的关键器件。其目前有广泛的应用市场前景，例如大气监测、测量、传感等领域。此外它是高速大容量光通信系统、波分复用、时分复用系统中的关键部件。
[0003]分布反馈激光器(Distributed Feedback Laser，DFB)具有优良的动态单纵模特性，制作工艺成熟，器件性能稳定，可靠性高，是目前光纤通信系统最主要的光源。高性能的DFB激光器广泛应用在如有线电视、骨干网、空间通信等领域。
[0004]通常提高激光器的输出功率可改善激光器的线性度，在DFB激光器中一般采用InP/InGaAsP材料系并使用掩埋结构来制备高性能的激光器，然而由于InGaAsP材料的特性，使得其高温的载流子限制能力相对较差，而AlGaInAs材料由于其更大的导带量子阱能级差和更低的价带量子阱能级差，可使得AlGaInAs材料在高温下的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成外延结构，所述外延结构包括自下而上依次堆叠的下波导层、有源层、上波导层、接触层及牺牲层；图形化所述外延结构，形成贯穿所述外延结构且显露所述衬底的沟槽，以形成台面结构；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述牺牲层，以及所述沟槽的底部及侧壁；形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述钝化层，并图形化所述掩膜层，于所述台面结构上形成掩膜窗口；进行第一刻蚀，通过所述掩膜窗口刻蚀所述钝化层，形成显露所述牺牲层的刻蚀窗口；进行第二刻蚀，通过所述掩膜窗口及刻蚀窗口对所述牺牲层进行湿法刻蚀，以完全去除所述牺牲层；采用外力方式去除悬空的所述钝化层及掩膜层；形成覆盖所述接触层的正面电极。2.根据权利要求1所述的DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法，其特征在于：所述牺牲层包括InAl
x
As1‑
x
牺牲层，其中0.3≤x≤0.8，所述牺牲层的厚度为1μm～3μm。3.根据权利要求1所述的DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法，其特征在于：所述牺牲层与所述接触层的选择蚀刻比≥50，其中，所述第二刻蚀的刻蚀液包括氢氟酸或盐酸。4.根据权利要求1所述的DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法，其特征在于：所述外延结构还包括位于所述牺牲层上的保护层，所述保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：李耀耀，
申请(专利权)人：上海新微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：