VCSEL芯片、制作方法和激光芯片技术

本发明专利技术公开了VCSEL芯片、制作方法和激光芯片，该VCSEL芯片，包括：半绝缘衬底；缓冲层，形成于所述半绝缘衬底上；VCSEL外延结构，生长于缓冲层背离所述半绝缘衬底的表面；p侧电极，自所述VCSEL外延结构背离所述半绝缘衬底的表面延伸至所述半绝缘衬底，所述p侧电极与VCSEL外延结构的侧面之间间隔形成有空气隙。本发明专利技术的p电极采用悬空电极，其下方为空气，因此p电极引入的电容几乎为零，进而使芯片的工作速率最大。最大。最大。

【技术实现步骤摘要】
VCSEL芯片、制作方法和激光芯片


[0001]本专利技术属于半导体激光器
，特别是关于一种VCSEL芯片、制作方法和电子器件。

技术介绍

[0002]III
‑
V族化合物半导体高速VCSEL芯片是光通讯的核心器件。在数据中心(DC)、有源电缆(AOC)、HDMI等领域有越来越广泛的应用。随着传输信息容量的增加和传输速度的加快，对电光转换器件的转换速度要求也越来越高。一般影响激光器工作速率的参数是RC(R为芯片的串联电阻，C为芯片的电容)之积，R和C越小，器件的工作速率越快。
[0003]现有技术中，VCSEL芯片通常包括衬底以及生长于衬底上的外延结构，p侧电极自外延结构的顶端沿着外延结构的侧壁延伸至外延结构的下方，该结构中，p侧电极和外延结构侧壁之间设置有绝缘介质，使得芯片整体的电容较大。
[0004]另外，为减小器件的电容，通常把芯片做的越来越小，但当芯片尺寸小到一定程度时，器件的电阻会越来越大，致使RC之积基本没有变化，甚至变大，不能进一步提高芯片的工作速率。
[0005]公开于该
技术介绍
部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种VCSEL芯片，其特征在于，包括：半绝缘衬底；缓冲层，形成于所述半绝缘衬底上；VCSEL外延结构，生长于缓冲层背离所述半绝缘衬底的表面；p侧电极，自所述VCSEL外延结构背离所述半绝缘衬底的表面延伸至所述半绝缘衬底，所述p侧电极与VCSEL外延结构的侧面之间间隔形成有空气隙。2.如权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述VCSEL外延结构包括依次形成于缓冲层上的N型DBR、有源层、氧化限制层、P型DBR和欧姆接触层。3.如权利要求1或2所述的VCSEL芯片，其特征在于，还包括由VCSEL外延结构向半绝缘衬底方向刻蚀形成的、用以供p侧电极延伸经过的悬挂空间。4.如权利要求3所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述悬挂空间包括：第一空间，由欧姆接触层刻蚀至N型DBR或N型DBR一定深度获得；第二空间，由N型DBR的裸露区刻蚀至缓冲层或缓冲层一定深度获得；第三空间，由缓冲层的裸露区刻蚀至半绝缘衬底或半绝缘衬底一定深度获得，所述p侧电极依次穿过所述第一空间、第二空间和第三空间。5.如权利要求3所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述p侧电极在悬挂空间内沿直线方向延伸。6.如权利要求1所述的VCSEL芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝进田，
申请(专利权)人：杰创半导体苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：