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本发明公开了VCSEL芯片、制作方法和激光芯片，该VCSEL芯片，包括：半绝缘衬底；缓冲层，形成于所述半绝缘衬底上；VCSEL外延结构，生长于缓冲层背离所述半绝缘衬底的表面；p侧电极，自所述VCSEL外延结构背离所述半绝缘衬底的表面延伸至所...
该专利属于杰创半导体（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰创半导体（苏州）有限公司授权不得商用。

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