一种半导体激光器芯片表面保护方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体激光器芯片表面保护方法，在电极表面涂覆一层金属Cr膜。之后在金属Cr膜上淀积一层耐磨的保护介质薄膜，如SiO2、SiN和SiON等来增加器件表面的耐磨性，从而保护了电极表面和侧壁。本发明专利技术采用的粘附金属去除工艺技术不仅可以克服湿法腐蚀工艺引起的侧壁过腐蚀现象，而且也避免了采用干法刻蚀技术带来的等离子对器件表面的轰击。从而避免了离子轰击造成的影响激光器可靠性的潜在隐患。隐患。隐患。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器芯片表面保护方法


[0001]本专利技术涉及化合物半导体光电器件和其他需要保护的金电极器件领域，具体涉及一种半导体激光器芯片表面保护方法。

技术介绍

[0002]半导体激光器是光通讯技术中的重要基础器件。不仅在光通讯领域，也在其他领域广泛应用。良好的半导体激光器表面保护不仅提高了器件的外观质量，也对器件在非气密封装条件下稳定工作起到非常有益的保护作用。
[0003]由于金在大电流密度下工作具有非常好的稳定性，所以，半导体激光器通常采用金作为电极材料。金的质地非常柔软，稍稍受到机械触碰就会留下永久印记形成损伤，在显微镜下就可以看到明显的色差。这些微细的机械损伤将会造成芯片的外观质量下降，对成品率产生极大的影响。也有可能对器件的光电性能产生潜移默化地影响，影响激光器的稳定性。
[0004]半导体激光器芯片加工完成以后，需要进行分选和测试，很多芯片需要在不同的仪器上进行多次测试，把性能不同的芯片分类放置。在这个过程中需要仪器的机械吸头多次取放芯片，这就不可避免地与芯片表面产生多次的接触和摩擦，可能在芯片表面留下各种机械本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器芯片表面保护方法，其特征在于：在电极表面涂覆金属膜，在金属膜上沉积介质薄膜。2.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片表面保护方法，其特征在于：所述金属膜为Cr膜，厚度为10
‑
40nm。3.根据权利要求2所述的半导体激光器芯片表面保护方法，其特征在于：所述金属膜采用真空蒸发或溅射方法涂覆。4.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片表面保护方法，其特征在于：所述介质薄膜的材质为SiO2、SiN或SiON，厚度为200
‑
350nm。5.根据权利要求4所述的半导体激光器芯片表面保护方法，其特征在于：所述介质薄膜采用PECVD或HDPCVD方法制备。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的半导体激光器芯片表面保护方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：司智春，黄永光，季安，徐晓磊，王宝军，
申请(专利权)人：河南仕佳光子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：