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DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法技术
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文档序号:30543477
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本发明提供一种DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法,形成具有牺牲层的外延结构,在第一刻蚀形成显露牺牲层的刻蚀窗口后,采用第二刻蚀以完全去除牺牲层,并以外力方式去除悬空的钝化层及掩膜层以完全显露接触层,可形成完全覆盖接触层的正面电极;本发明...
该专利属于上海新微半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海新微半导体有限公司授权不得商用。
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