中介层、包含中介层的微电子装置组件和制造方法制造方法及图纸

本申请涉及一种中介层、包含所述中介层的电子装置组件和制造方法。一种中介层包括半导体材料，并且包含在所述中介层上用于主机装置的位置下方的高速缓冲存储器。存储器接口电路系统还可以位于所述中介层上用于存储器装置的一或多个位置下方。还公开了并入有此类中介层且包括主机装置和多个存储器装置的微电子装置组件，以及制造此类微电子装置组件的方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】中介层、包含中介层的微电子装置组件和制造方法
[0001]优先权要求
[0002]本申请根据35 U.S.C.
§
119(e)要求2019年3月19日提交的第62/820,548号美国临时专利申请的权益，所述美国临时专利申请的公开内容在此以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本文公开的实施例涉及结合多个功能的中介层和包含此类中介层的微电子装置组件，以及制造此类组件的方法。更具体地，本文公开的实施例涉及包括半导体材料且结合有源电路系统和接口功能的中介层，其用于可操作地耦合到中介层的微电子装置之间的相互高带宽通信，本文公开的实施例还涉及此类微电子装置和中介层的组件以及此类组件的制造方法。

技术介绍

[0004]例如IC(集成电路)组件的许多形式的微电子装置包含多个半导体裸片(在本文中也称为“裸片”)或此类裸片通过中介层彼此物理地且电气地连接的组件。在一些情况下，中介层上的此类组装可以被称为“多芯片封装”或“MCP”。在一些实施例中，中介层可以包含再分布结构(在本领域中有时称为“再分布层”或“RDL”，如下文进一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于微电子装置组件的中介层，其包括：主体，其在平面上延伸且包括半导体材料；所述主体的表面上的位置，其用于将多个微电子装置可操作地耦合到所述主体的电路系统；以及所述主体的所述半导体材料的有源表面上方的高速缓冲存储器，其可操作地耦合到延伸到所述主体的所述表面上的用于将主机装置可操作地耦合到所述高速缓冲存储器的位置的电路系统。2.根据权利要求1所述的中介层，其中所述高速缓冲存储器包括SRAM。3.根据权利要求1所述的中介层，其中所述高速缓冲存储器位于所述主体的所述表面上的用于将主机装置可操作地耦合到所述高速缓冲存储器的所述位置下方。4.根据权利要求1所述的中介层，其中所述主机装置包括中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、控制器或片上系统(SoC)。5.根据权利要求1所述的中介层，其中所述主体的所述表面上的所述位置中的至少一者是用于将微电子存储器装置可操作地耦合到与所述高速缓冲存储器通信的所述主体的电路系统的位置。6.根据权利要求5所述的中介层，其中用于将微电子存储器装置可操作地耦合到与所述高速缓冲存储器通信的所述主体的电路系统的所述位置中的所述至少一者包括用于所述微电子存储器装置可操作地耦合到与所述高速缓冲存储器通信的所述主体的所述电路系统的接口电路系统段。7.根据权利要求1所述的中介层，其中所述半导体材料是硅。8.根据权利要求1所述的中介层，其中所述半导体材料包括所述主体的芯，并且所述中介层进一步包括在所述主体的所述芯与所述表面之间的再分布结构，所述再分布结构在所述高速缓冲存储器与所述主体的所述表面上的所述位置之间延伸。9.根据权利要求1所述的中介层，其中所述半导体材料包括所述主体的芯，并且所述中介层进一步包括在所述主体的所述芯和与用于可操作地耦合多个微电子装置的所述表面相对的表面上方的再分布结构，其中所述再分布结构配置用于在所述中介层与外部电路系统之间通信。10.一种微电子装置组件，其包括：中介层，其包括形成于半导体材料的有源表面上的高速缓冲存储器；所述中介层的电路系统，其在至少一个主机装置位置与一或多个存储器装置位置之间延伸；主机装置，其可操作地耦合到所述至少一个主机装置位置，与所述高速缓冲存储器通信；以及高带宽存储器装置，其可操作地耦合到所述一或多个存储器装置位置中的每一者。11.根据权利要求10所述的微电子装置组件，其中所述高速缓冲存储器包括SRAM，并且所述SRAM至少部分地位于所述至少一个主机装置位置下方。12.根据权利要求10所述的微电子装置组件，其中所述高带宽存储器装置是HBM方块或HMC。13.根据权利要求10所述的微电子装置组件，其中所述一或多个存储器装置位置中的
每一者包括用于与所述高带宽存储器装置介接的逻辑电路系统。14.根据权利要求10所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：