一种间接检测MLCC介质陶瓷晶格缺陷的方法技术

本申请涉及陶瓷元件介质陶瓷晶格缺陷检测领域，公开了一种间接检测MLCC介质陶瓷晶格缺陷的方法。该方法包括如下步骤：准备材料：根据需求准备测试夹具、高温老化箱、安培表、万用表、绝缘测定机；安装待测品：将待测品串联安装在测试夹具上；确认状态：确认待测品安装状态良好；调节测试条件：将待测品放入高温老化箱并预设测试温度与测试电压；设定取值时间：设定电流采集取值时间间隔；开启测试：开启高温老化箱，待温度达到预设值后使老化箱处于保温状态进行测试；定时取值：根据预定时间间隔对待测品的电流取值；计算各时刻的绝缘阻值。通过上述方式，可有效的间接检测出MLCC介质陶瓷晶格缺陷，且操作简单直观。且操作简单直观。且操作简单直观。

【技术实现步骤摘要】
一种间接检测MLCC介质陶瓷晶格缺陷的方法


[0001]本申请涉及陶瓷元件介质陶瓷晶格缺陷检测领域，尤其涉及一种间接检测MLCC介质陶瓷晶格缺陷的方法。

技术介绍

[0002]在金属氧化物或者其他含氧化合物中，晶格中的氧原子(氧离子)脱离，导致氧缺失，形成空位。具体到陶瓷元件领域，介质陶瓷晶格缺陷就是指氧离子从介质陶瓷晶格中逸出而留下的缺陷。介质陶瓷晶格缺陷是陶瓷元件介质陶瓷材料最常见的一种缺陷，对介质陶瓷材料的性能有着重要影响。
[0003]近年来，MLCC(Multi
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layer Ceramic Chip Capacitors，片式多层陶瓷电容器)为降低生产成本，使用BME（Ni/Cu）贱金属内电极技术，使BME
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MLCC保持在中性或还原性气氛下进行烧结，其中钙钛矿结构（BaTiO3）的陶瓷介质被还原，导致氧缺失形成空位，产生MLCC介质陶瓷晶格缺陷。在使用温度和外加电压情况下，受介质陶瓷晶格缺陷的影响，MLCC的绝缘阻值劣化，影响了MLCC的可靠性。
[0004]然而，现有检测技术是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种间接检测MLCC介质陶瓷晶格缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、准备材料：根据需求准备测试夹具、高温老化箱、安培表、万用表、绝缘测定机；S2、安装待测品：将待测品串联安装在测试夹具上；S3、确认状态：确认待测品安装状态良好；S4、调节测试条件：将待测品放入高温老化箱并预设测试温度与测试电压；S5、设定取值时间：设定电流采集取值时间间隔；S6、开启测试：开启高温老化箱，待温度达到预设值后使老化箱处于保温状态进行测试；S7、定时取值：根据预定时间间隔对待测品的电流取值；S8、计算各时刻的绝缘阻值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李茜，
申请(专利权)人：广东微容电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：