磁记录装置和磁记录再现装置制造方法及图纸

在磁记录装置中，磁记录介质具有可重写信息磁性地记录于其上的ＲＡＭ区域。所述磁记录介质还具有ＲＯＭ区域，所述ＲＯＭ区域具有磁性可重写磁性片段和磁性不可重写磁性片段的第一类片段序列作为第一类调制信息（１，０），（０，１）固定记录于其中的图案区域。在所述第一类片段序列中的特定片段可以磁化和改变成磁化片段。沿一个和相反方向磁化的第一和第二片段的片段序列用于将第二类调制信息［０，０］，［１，０］，［０，１］磁性地记录在所述图案区域中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁记录装置和磁记录再现装置，特别是，以磁性材料的排列为基础记录信息、和将即使通过读写磁头也不能改变其中的磁性材料的排列的图案区域记录在磁记录介质上的磁记录装置和磁记录再现装置，该磁记录装置和磁记录再现装置能够在非可重写区域中的磁性材料上实现磁性附加记录。
技术介绍
由于需要适应增大磁记录装置(以下也称为磁盘装置或硬盘装置)的存储容量的需求，已经要求增大磁记录介质的记录密度。然而，记录密度增大则不利于使磁信息通过在记录介质上相对移动的读写磁头记录以致于影响在相邻磁道中记录。这个问题可以通过使相邻磁道之间的磁性材料部分彼此物理地隔开来避免。例如，JP10-255407A(KOKAI)提出一种磁记录介质，在存在磁性材料的基础上，通过图案化在磁记录介质上的磁性材料，将伺服或ROM信息不可重写地记录在该磁记录介质中。例如，JP10-255404A(KOKAI)公开一种方案，该方案能够在存在磁性材料的基础上，通过图案化在磁记录介质上的磁性材料，使伺服或ROM信息被记录到磁记录介质上。在记录部分，通过图案化磁性材料记录ROM信息。一般，如果信息重新记录在已经记录了ROM信息的区域中，则磁性片段(magneticsegment)和非磁性片段不连续地排列在该区域中；磁信息可以记录在磁性片段中而不是在非磁性片段中。因此，当设置在记录再现装置中的写入磁头用于重写其中已经写入了ROM信息的记录部分时，信息就不能记录在在记录部分中存在的非磁性片段上。因而，重新写入的信息无法再现。结果，对于具有ROM信息的磁记录介质来说，附加可记录容量等于整个介质的记录容量减去与其中已经记录有ROM信息的记录部分所对应的容量后所得到的容量。这降低了整个记录介质的记录容量。然而，已经要求具有ROM信息记录部分的磁记录介质提供足够多附加可记录容量，以使附加可记录容量的降低最少化。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供一种磁记录装置，包括磁记录介质，其包括ROM区域、和可重写信息磁性地记录于其上的RAM区域，所述ROM区域具有固定记录在ROM区域上的表示第一类调制信息的第一类片段序列(segment sequence)的图案，所述第一类片段序列形成为磁性和非磁性片段的序列，和记录单元，设置为用于将第二类调制信息记录在ROM区域上，所述记录单元选择地磁化所述图案中的磁性片段，以记录在一个方向和相反方向被磁化的第一和第二片段的第二类片段序列，其表示第二类调制信息。根据本专利技术的另一方面，提供一种磁记录介质，包括RAM区域，可重写信息磁性地记录于其上；和ROM区域，其具有固定记录在ROM区域上的表示第一类调制信息的第一类片段序列的图案，所述第一类片段序列形成为磁性和非磁性片段的序列，在所述图案中的磁性片段被选择地磁化，以在ROM区域上记录在一个方向和相反方向被磁化的第一和第二片段的第二类片段序列，其表示第二类调制信息。根据本专利技术的再一方面，提供一种方法，其将第一类和第二类调制信息及可重写信息磁性地记录在磁记录介质上，所述磁记录介质包括ROM区域和可重写信息磁性地记录于其上的RAM区域，所述ROM区域具有固定记录在ROM区域上的表示第一类调制信息的第一类片段序列的图案，所述第一类片段序列形成为磁性和非磁性片段的序列，所述方法包括将第二类调制信息记录在ROM区域上，其包括选择地磁化在所述图案中的磁性片段，以记录在一个方向和相反方向被磁化的第一和第二片段的第二类片段序列，其表示第二类调制信息。附图说明图1A和1B是概略地示出根据第一实施方式、数据是如何通过彼此不相同的并用于磁记录方案的第一和第二类调制方案A和B记录在记录介质上的平面视图；图2A、2B和2C是平面视图，概略地示出已经在其上通过图1A示出的第一类调制方案A执行了记录的记录片段被消磁，而后通过图1B所示的第二类调制方案B在所述记录片段上执行附加记录；图3A和3B是平面视图，概略地示出数据是如何通过彼此不相同的利用根据第二实施方式的磁记录方案的第一和第二类调制方案A和B记录在记录介质上；图4A至4C是平面视图，概略地示出已经在其上通过图3A示出的第一类调制方案A执行了记录的记录片段被消磁，而后通过图3B所示的第二类调制方案B在所述记录片段上执行附加记录；图5A和5B是平面视图，概略地示出数据是如何通过第一类调制方案A利用根据第三实施方式的磁记录方案记录在记录介质上；图5C是平面视图，概略地示出数据是如何通过与第一类调制方案A不同的第二类调制方案B利用根据第三实施方式的磁记录方案记录在记录介质上；图6A至6C是平面视图，概略地示出已经在其上通过图5A示出的第一类调制方案A执行了记录的记录片段被消磁，而后通过图5B所示的第二类调制方案B在所述记录片段上执行附加记录；图7A和7B是平面视图，概略地示出了利用根据第四实施方式的磁记录方案、数据是如何通过彼此不相同的第一和第二类调制方案A和B记录在记录介质上；图8A至8C是平面视图，概略地示出通过图7B所示的第二类调制方案B，在已经在其上通过图7A示出的第一类调制方案A执行了记录的记录片段上执行附加记录，和基于图7B所示的第二类调制方案B的记录片段被再现而不消磁；图9是表示根据一实施方式，基于图7B的第二类调制方案B再现记录片段而不消磁的再现方法的程序流程图；图10A至10G是概略表示根据实施方式制备记录介质的方法的步骤的剖面图；图11A至11G是概略表示根据本专利技术的另一实施方式制备记录介质的方法的步骤的剖面图；图12是概略表示根据本专利技术的一实施方式的记录和再现装置方框图。具体实施例方式下面结合必要的附图对根据本专利技术的实施方式的磁记录装置和附加记录方法给予说明。(实施方式1)结合图1A和1B及2A至2C，对根据本专利技术一实施方式的附加记录方法给予说明。图1A和1B示出根据一个实施方式、数据是如何通过彼此不相同并使用磁记录方案的第一和第二类调制方案A和B记录在记录介质上的。记录介质包含记录区域，该记录区域包括非可擦除的ROM区域和可重复擦除可重写的RAM区域。如下面所详述的，非可擦除ROM数据通过第一类调制方案A记录在非可擦除区域。此外，在非可擦除ROM区域中的磁性片段根据第二类调制方案可以用于记录可擦除数据。如图1A所示，第一类调制方案A调制原始第一类数据位(bit)，即，基于第一类调制方案的位“0”被调制成第一类记录位(1，0)，记录为磁性和非磁性片段的图案(1，0)。原始第一类数据位“1”被调制成第一类记录位(0，1)，记录为非磁性和磁性片段的图案(0，1)。在图1A中，阴影图案(具有阴影线的矩形区域)表示磁性片段的记录位(1)，空白表示非磁性片段的记录位(0)。第一类调制方案A在相同的图案区域内以相同的方向(方向1)磁化在原始数据位“0”或“1”的片段序列中的磁性片段。该磁性片段一定包括记录位(1)和(0)。例如，在图1中，假定用空白表示的记录位(0)记录作不能通过磁头磁性地检测的非磁性片段，用阴影图案表示的记录位(1)记录作可通过磁头磁性地检测的磁性片段。那么，不管原始数据位是“0”还是“1”，在图案区域中都一定设有对应于一个记录位的磁性片段(1)。即使当非磁性片段由记录位(1)表示而磁性片段由记录位(0)表示的时候，磁性片段(1)同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录装置，其特征在于包括：磁记录介质，其包括ＲＯＭ区域和可重写信息磁性地记录于其上的ＲＡＭ区域，所述ＲＯＭ区域具有固定地记录在ＲＯＭ区域上的表示第一类调制信息的第一类片段序列的图案，所述第一类片段序列形成为磁性和非磁性片段的序列，和记录单元，设置为将第二类调制信息记录在所述ＲＯＭ区域上，所述记录单元有选择地磁化在所述图案中的磁性片段，以记录在一个和相反方向被磁化的第一和第二片段的第二类片段序列，其表示第二类调制信息。

【技术特征摘要】
JP 2006-3-6 059607/20061.一种磁记录装置，其特征在于包括磁记录介质，其包括ROM区域和可重写信息磁性地记录于其上的RAM区域，所述ROM区域具有固定地记录在ROM区域上的表示第一类调制信息的第一类片段序列的图案，所述第一类片段序列形成为磁性和非磁性片段的序列，和记录单元，设置为将第二类调制信息记录在所述ROM区域上，所述记录单元有选择地磁化在所述图案中的磁性片段，以记录在一个和相反方向被磁化的第一和第二片段的第二类片段序列，其表示第二类调制信息。2.根据权利要求1的装置，其特征在于还包括第一解调单元，设置为将所述第一类调制信息解调成第一类记录信息；和第二解调单元，设置为将所述第二类调制信息解调成第二类记录信息。3.根据权利要求1的装置，其特征在于所述磁记录介质包括基底和形成在所述基底上的磁性层，在所述基底上形成凹槽和凸起，且在所述磁性层上形成对应于所述凹槽和凸起的形状，其对应于所述磁性和非磁性片段的第一类片段序列。4.根据权利要求1的装置，其特征在于所述磁记录介质包括基底，和形成在所述基底上的磁性层和非磁性层部分的排列，所述磁性层和非磁性层部分的排列对应于所述磁性和非磁性片段的第一类片段序列。5.根据权利要求4的装置，其特征在于所述非磁性层部分是通过有选择地除掉形成在所述基底上的部分磁性层形成，所述磁性层部分是通过不除掉形成在所述基底上的磁性层的剩余部分而形成的。6.根据权利要求1的装置，其特征在于在所述第一类磁性和非磁性片段之间的最大反转间隔等于或小于基于第二类片段调制方案的最小磁化反转间隔。7.一种磁记录介质，其特征在于包括RAM区域，可重写信息磁性地记录于其上；和ROM区域，具有固定地记录在该ROM区域上的表示第一类调制信息的第一类片段序列的图案，所述第一类片段序列形成为磁性和非磁性片段的序列，所述图案中的磁性片段被有选择地磁化，以在所述ROM区域上记录在一个方向和相反方向被磁化的第一和第二片段的第二类片段序列，其表示第二类调制信息。8.根据权利要求7的介质，其特征在于所述磁记录介质包括基底和形成在所述基底上的磁性层，在所述基底上形成凹槽和凸起，且在所述磁性层上形成对应于所述凹槽和凸起的形状，其对应于所述磁性和非磁性片段的第一类片段序列。9.根据权利要求7的介质，其特征在于所述磁记录介质包括基底，和形成在所述基底上的磁性层和非磁性层部分的排列，所述磁性层和非磁性层部分的所述排列对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井正敏，齐藤健，柏木一仁，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]