花青化合物、使用该化合物的光学记录材料和光学记录介质制造技术

本发明专利技术的花青化合物是由下述通式（Ⅰ）表示的花青化合物，并且适合于用激光进行记录和再生的光学记录介质的记录层中所使用的光学记录材料。本发明专利技术的花青化合物显示出用于实现特别能对应于高速记录的感度的适合的热行为。通式（Ⅰ）中，环Ａ和环Ｂ表示可以具有取代基的苯环或萘环，Ｒ１和Ｒ２各自独立地表示碳原子数为１～４的烷基或者可以具有取代基的苄基，并且Ｒ１和Ｒ２中的至少一个是可以具有取代基的苄基；Ｘ表示Ｏ、Ｓ或ＮＹ，Ｙ、Ｙ↓［１］和Ｙ↓［２］各自独立地表示氢原子或碳原子数为１～３０的有机基团，Ｚ表示氢原子、卤原子或氰基，Ａｎ↑［ｍ－］表示ｍ价的阴离子，ｍ表示１或２的整数，ｐ表示保持电荷为中性的系数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新型的花青化合物、含有该花青化合物而成的光学记录材料、以及使用了该光学记录材料的光学记录介质。该花青化合物不仅适合作为光学元件，特别适合于用激光进行记录和再生的光学记录介质的记录层中所使用的光学记录材料，而且还可以用作图像显示装置的滤光器中使用的光吸收剂。
技术介绍
将在波长为500～700nm的范围内具有高强度吸收的化合物、特别是最大吸收(λmax)为550～620nm的化合物用作DVD-R等的光学记录介质的光学记录层或液晶显示器(LCD)、等离子显示板(PDP)、电致发光显示器(ELD)、阴极管显示器(CRT)、荧光显示管和场致发射型显示器等图像显示装置的滤光器的光学元件。作为上述光学元件，大量研究了感度高的具有吲哚环的花青化合物。该花青化合物，特别是作为以DVD-R为代表的光学记录介质的记录元件，由于具有能与记录高速化相对应的优点，因此公开的例子很多，例如在下述专利文献1～5等中被公开。另外，在专利文献6中记载了在吲哚骨架3位引入了苄基的花青化合物。但是，以往的花青类化合物在热分解性方面有问题。作为进行高速记录的光学记录介质的记录元件，优选的是分解温度低的材料，但是公开的上述花青类化合物在这方面并不具有充分的特性。专利文献1特开平10-278426号公报专利文献2特开平11-227331号公报专利文献3特开平11-277904号公报专利文献4特表2001-506933号公报专利文献5特开2002-52829号公报专利文献6特开2003-231359号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供显示出更适合于光学记录用途的热行为的新型花青化合物、含有该化合物的光学记录材料和使用了该光学记录材料的光学记录介质。本专利技术者等考虑到热分解行为的适当化和吸收波长的适当化对于实现可对应于高速记录的感度是有效的，并进行了反复研究，结果发现具有特定的分子结构的花青类化合物可以解决上述课题。本专利技术是基于上述认识而提出的，提供了由下述通式(I)表示的化合物。另外，本专利技术提供了在基体上形成了光学记录层而得到的光学记录介质的该光学记录层中所使用的、含有上述花青化合物而成的光学记录材料。此外，本专利技术提供了在基体上形成了由上述光学记录材料构成的薄膜而得到的光学记录介质。 (式中，环A和环B表示可以具有取代基的苯环或萘环，R1和R2各自独立地表示碳原子数为1～4的烷基或者可以具有取代基的苄基，并且R1和R2中的至少一个是可以具有取代基的苄基；X表示O、S或NY，Y、Y1和Y2各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～30的有机基团，Z表示氢原子、卤原子或氰基，Anm-表示m价的阴离子，m表示1或2的整数，p表示保持电荷为中性的系数。)附图说明图1-a表示在实施例1中得到的化合物No.2的六氟化磷盐的1H-NMR谱图。图1-b是图1-a的部分放大图。图1-c是图1-a的部分放大图。图2-a是在实施例2中得到的化合物No.8的六氟化磷盐的1H-NMR谱图。图2-b是图2-a的部分放大图。图2-c是图2-a的部分放大图。具体实施例方式上述通式(I)所示的本专利技术的花青化合物是在特定部位具有可以具有取代基的苄基的新型化合物，与在DVD-R用途的光学记录材料中所使用的其它花青类化合物相比，具有分解温度更低、吸收波长适当的特征。在上述通式(I)中，作为环A和环B所表示的可以具有取代基的苯环或萘环的取代基，可以列举出氟、氯、溴、碘等卤代基；甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基等烷基；苯基、萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-异丙基苯基等芳基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等烷氧基；甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基等烷基硫基；硝基、氰基等。在上述通式(I)中，作为R1或R2所表示的碳原子数为1～4的烷基，可以列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基等。在R1或R2表示的基团中，至少一个是可以具有取代基的苄基。该苄基可以具有的取代基数是1或2。作为该取代基，可列举出氟、氯、溴、碘等卤代基；甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基等烷基；这些烷基的卤素取代物；甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等烷氧基；这些烷氧基的卤素取代物；甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基等烷硫基；硝基；氰基；羟基等，当该取代基大时，花青化合物的摩尔吸光系数变小，有时给感度带来影响，所以作为具有取代基的苄基，优选为由下述通式(II)表示的基团。 (式中，m表示1～2的整数，X1表示羟基、卤素基、氰基、硝基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的卤代烷基、碳原子数为1～4的烷氧基、或碳原子数为1～4的卤代烷氧基，当m是2时，两个X1可以相同也可以不同。)在上述通式(II)中，作为X1表示的卤代基，可列举出氟、氯、溴、碘等，作为碳原子数为1～4的烷基，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基，作为碳原子数为1～4的卤代烷基，可列举出一氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、一溴甲基、二溴甲基、三溴甲基、一氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基等，作为碳原子数为1～4的烷氧基，可列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等，作为碳原子数为1～4的卤代烷氧基，可列举出一氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯甲氧基、一溴甲氧基、二溴甲氧基、三溴甲氧基、一氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、全氟乙氧基、全氟丙氧基、全氟丁氧基等。作为上述通式(I)中Y1或Y2所表示的碳原子数为1～30的有机基，没有特别的限定，例如可以列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、环己基甲基、2-环己基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、异壬基、癸基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基等烷基；乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、丙烯基、丁烯基、异丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五烯基、1-苯基丙烯-3-基等链烯基；苯基、萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-异丙基苯基、4-异丙基苯基、4-丁基苯基、4-异丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-己基苯基、4-环己基苯基、4-辛基苯基、4-(2-乙基己基)苯基、4-硬脂基苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3，5-二甲基苯基、2，4-二叔丁基苯基、环己基苯基等烷芳基；苄基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等芳烷基，以及这些烃基被醚键和/或硫醚键插入的那些基团，例如可以列举出2-甲氧基乙基、3-甲氧基丙基、4-甲氧基丁基、2-丁氧基乙基、甲氧基乙氧基乙基、甲氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由下述通式（Ⅰ）表示的花青化合物，　　　　＊＊＊　　（Ⅰ）　　　　式中，环Ａ和环Ｂ表示可以具有取代基的苯环或萘环，Ｒ１和Ｒ２各自独立地表示碳原子数为１～４的烷基或者可以具有取代基的苄基，并且Ｒ１和Ｒ２中的至少一个是可以具有取代基的苄基；Ｘ表示Ｏ、Ｓ或ＮＹ，Ｙ、Ｙ↓［１］和Ｙ↓［２］各自独立地表示氢原子或碳原子数为１～３０的有机基团，Ｚ表示氢原子、卤原子或氰基，Ａｎ↑［ｍ－］表示ｍ价的阴离子，ｍ表示１或２的整数，ｐ表示保持电荷为中性的系数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-11-25 340485/20041.一种由下述通式(I)表示的花青化合物， 式中，环A和环B表示可以具有取代基的苯环或萘环，R1和R2各自独立地表示碳原子数为1～4的烷基或者可以具有取代基的苄基，并且R1和R2中的至少一个是可以具有取代基的苄基；X表示O、S或NY，Y、Y1和Y2各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～30的有机基团，Z表示氢原子、卤原子或氰基，Anm-表示m价的阴离子，m表示1或2的整数，p表示保持电荷为中性的系数。2.权利要求1记载的花青化合物，其中，所述通式(I)中的环B是苯环。3.权利要求1或2记载的花青化合物，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田光裕，矢野亨，滋野浩一，
申请(专利权)人：株式会社艾迪科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]