垂直通电型磁头以及使用该磁头的磁盘设备制造技术

一种垂直通电型磁头，其包含：磁阻膜（１），其包含固定层（１５）、中间层（１６）、自由层（１７）；一对磁屏蔽（２，３），其作为在所述磁阻膜（１）上方和下方的电极；一对偏置膜（５），其通过绝缘膜（４）被设置在所述磁阻膜（１）的两侧，其中，在零外部场的情况下，所述固定层（１５）的磁化方向与所述自由层（１７）的磁化方向之间的角度θ被设置为５°≤θ＜９０°，或偏置点被设置为５％≤ＢＰ＜５０％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个实施例涉及一种垂直通电型磁头以及使用这种垂直通电型磁头的磁盘设备。
技术介绍
作为希望产生改善的磁阻效应的磁阻膜(自旋阀膜)，垂直通电型磁阻膜得到了研究(例如参见美国专利No.5,668,688)。传统的垂直通电型磁阻膜被设计为使得固定层的磁化方向固定在一个方向，而通过向自由层施加偏置场，在零外部场(介质场)的情况下，使得自由层的磁化方向正交于固定层的磁化方向。然而，已经发现，如果自由层的磁化方向正交于固定层的磁化方向，读取输出(read output)中的噪音随着检测电流的电流强度的增大不利地变得显著。这种问题被称为自旋转移感应噪音(spin transfer-inducednoise)(STIN)。然而，还没有发现抑制STIN的有效方法。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种垂直通电型磁头和使用这种垂直通电型磁头的磁盘设备，该磁头能抑制自旋转移感应噪音。根据本专利技术的一个实施形态，提供了一种垂直通电型磁头，其包含包含固定层、中间层与自由层的磁阻膜；作为设置在磁阻膜上方和下方的电极的一对磁屏蔽；通过绝缘膜设置在磁阻膜两侧的一对偏置膜，其中，在零外部场下，固本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直通电型磁头，其包含：磁阻膜（１），其包含固定层（１５）、中间层（１６）、自由层（１７）；一对磁屏蔽（２，３），其作为设置在所述磁阻膜（１）上方和下方的电极；以及一对偏置膜（５），其被通过绝缘膜（４）设置在所述 磁阻膜（１）的两侧，其特征在于，在零外部场的情况下，所述固定层（１５）的磁化方向与所述自由层（１７）的磁化方向之间的角度θ被设置为５°≤θ＜９０°，或偏置点被设置为５％≤ＢＰ＜５０％。

【技术特征摘要】
JP 2006-5-31 152121/20061.一种垂直通电型磁头，其包含磁阻膜(1)，其包含固定层(15)、中间层(16)、自由层(17)；一对磁屏蔽(2，3)，其作为设置在所述磁阻膜(1)上方和下方的电极；以及一对偏置膜(5)，其被通过绝缘膜(4)设置在所述磁阻膜(1)的两侧，其特征在于，在零外部场的情况下，所述固定层(15)的磁化方向与所述自由层(17)的磁化方向之间的角度θ被设置为5°≤θ＜90°，或偏置点被设置为5％≤BP＜50％。2.根据权利要求1的磁头，其特征在于所述偏置膜(5)的磁化在向着所述磁阻膜(1)的宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：船山知己，鸿井克彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]