【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制，于大容量存，备读写头的读传感器的方袪和工艺
0001本专利技术涉及用于大容量存储设备的读写头，尤其涉及制造用于大容量存储设备的读头的读传感器的方法和工艺。技术背景0002磁记录是信息处理产业的支柱。像磁盘驱动器这样的存储器 存储设备包括由一层薄薄的记录介质覆盖的盘或盘片，在该记录介质上能 够写入磁编码的数据，并且这些数据在以后肯滩被检索出来供4顿。通常， 写头中的写传感器将离散位的磁编码数据写入记录介质中呈方妇寸状间隔的 同心环形轨道中。使用读头中的读传感器读出记录介质以二元状态所存储 的磁编码数据，其中所述二元状态由局部磁场的方向给定。读头和写头被 连接到在计算抛空制下用于实施写入和读出操作的电路。0003记录介质的面记录密度是由读写头的临界尺寸或最小特征大 小以及由形成记录介质的组成材料限定的。当读写头驱动器中读传感器和 写传感器的临界尺寸减小时，记录介质的面记录密度增加。然而，当读头 的临界尺寸降低到深亚〗 的临界尺寸时，读写头中使用的常规的纵向或 电流方向在平面内(CIP)的自旋阀读传感器不能产舰够的输出幅度。因此， 在具有垂直记录介质的高密度存...
【技术保护点】
一种制造设备结构的方法，包括：形成层堆叠，其包括能够用作读传感器的多个层；在所述层堆叠上形成抛光停止层；从所述层堆叠中限定读传感器，其中，所述读传感器由所述抛光停止层的部分覆盖；在所述抛光停止层部分和所述读传感器上形成包括电绝缘体的绝缘层；在所述绝缘层上形成包括磁性材料的硬偏置层；对所述绝缘层和所述硬偏置层进行平坦化；以及在所述抛光停止层部分上停止所述平坦化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-6-24 11/166,3221、一种制造设备结构的方法，包括形成层堆叠，其包括能够用作读传感器的多个层；在所述层堆叠上形成抛光停止层；从所述层堆叠中限定读传感器，其中，所述读传感器由所述抛光停止层的部分覆盖；在所述抛光停止层部分和所述读传感器上形成包括电绝缘体的绝缘层；在所述绝缘层上形成包括磁性材料的硬偏置层；对所述绝缘层和所述硬偏置层进行平坦化；以及在所述抛光停止层部分上停止所述平坦化。2、 如权利要求1所述的方法，其中，对所述绝缘层和所述硬偏 置层进行平坦化还包括用化学机械抛光工艺对所述绝缘层和所述硬偏置层进行抛光。3、 如权利要求1所述的方法，其中，形成所述抛光停止层的材 料具有低于形成所述硬偏置层和所述绝缘层的相应材料的磨损。4、 如权利要求1所述的方法，其中，所述抛光停止层由硬度大 于IO吉帕斯卡的材料组成。5、 如权利要求1所述的方法，其中，所述抛光停止层是类金刚 石碳。6、 如权利要求5所述的方法，其中，所述类金刚石碳是利用从由下列各技术构成的群组中选出的技术所沉积的氢化类金刚石碳直接离子束沉积、双离子束溅射、射频激发烃辉光放电、以及直流激发 烃辉光放电。7、 如权利要求5所述的方法，其中，所述类金刚石碳是通过过 滤阴极电弧工艺沉积的四面体非晶(ta-C)类金刚石碳。8、 如权利要求1所述的方法，还包括在对所述绝缘层和所述硬偏置层进行平坦化之后移除所述抛光 停止层部分。9、 如权利要求8所述的方法，其中，移除所述抛光停止层还包括通过相对于所述绝缘层和所述硬偏置层选择性地有效移除所述 抛光停止层的干法刻蚀工艺来暴露所述抛光停止层部分。10、 如权利要求9所述的方法，其中，所述干法刻蚀工艺是从由下列各工艺构成的群组中选出的等离子体工艺和反应离子束刻蚀工 艺。11、 如权利要求io所述的方法，其中，所述抛光停止层是类金刚石碳，并且所述干法刻蚀工艺使用从由下列各气体构成的群组中选出的工艺气体氧气、氩气和氧气的混合物、以及含氟气体。12、 如权利要求8所述的方法，还包括在移除所述抛光停止层部分之后，在所述绝缘层和所述硬偏置层 上形成导体的上电极，其中，所述上电极的所述导体填充在移除所述 抛光停止层部分之后残余的空隙。13、 如权利要求1所述的方法，其中，限定所述读传感器还包括用抗蚀剂掩模对所述抛光停止层和所述层堆叠进行掩模；以及对所述抛光停止层和所述层堆叠进行离子研磨，以将所述读传感 器和所述抛光停止层部分限定在所述抗蚀剂掩模进行掩模的位置。...
【专利技术属性】
技术研发人员：HS赫格德，M明，B德吕，AJ德瓦萨哈亚姆，
申请(专利权)人：威科仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：US[]
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