磁轭类型的磁头和磁盘装置制造方法及图纸

一种磁轭类型磁头及磁盘装置。为了从介质（Ｍ）读出磁信息，介质（Ｍ）中信息被磁记录在线性记录方向上，涉及：主磁极（５Ａ和５Ｂ），其安装在与所述线性记录方向垂直的平面上，且具有面向所述介质的相对表面、饱和磁通密度（Ｂｓ１）和体积（Ｖ１）；子磁轭（６），其通过连接到所述主磁极（５Ａ和５Ｂ）而在所述平面上形成，并且在垂直于所述线性记录方向的方向上具有比在垂直于所述介质（Ｍ）的主表面的方向上的长度（ＳＹＨ）更长的长度（ＳＹＷ）、并具有饱和磁通密度（Ｂｓ２）和体积（Ｖ２），其积（Ｂｓ２Ｖ２）大于所述饱和磁通密度（Ｂｓ１）和体积（Ｖ１）的乘积；以及，磁致电阻效应膜（８），其形成于所述子磁轭（６）和所述相对的表面之间，并且与所述主磁极（５Ａ和５Ｂ）邻接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的 一个实施例涉及一种磁轭类型的磁头及其磁盘装置。
技术介绍
下一代磁致电阻效应元件在已经改善了电阻变化率的同时面临诸如变 窄的间隙和自由层软磁性能之类的问题。为了解决这些问题，已经提出了磁辄类型的磁头(日本专利申请>^开]\0.2001-256608)。但是，存在一个问题磁辄类型的磁头由于巴克豪森噪声(Barkhausen noise)而难于确定信号。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能够抑制巴克豪森噪声的磁辄类型的磁头和 磁盘装置，根据本专利技术的一个方面，提供了一种磁辄类型的磁头，用于从介质读 出磁信息，在所述介质中信息被磁记录在线性记录方向上，所述磁辄类型 的磁头包括主磁极，其设置在与所述线性记录方向垂直的平面上，并且 具有面向所述介质的相对表面、饱和磁通密度Bsl和体积Vl;子磁辄，其 通过连接到所述主磁极而在所述平面上形成，并且在垂直于所述线性记录 方向的方向上具有比在垂直于所述介质的主表面的方向上的长度SYH更 长的长度SYW、饱和磁通密度Bs2和体积V2，其积Bs2V2大于所述饱和 磁通密度Bsl和所述体积VI的乘积；以及，磁致电阻效应膜，其形成于 所述子磁辄和所勤目对的表面之间，并且与所述主磁极邻接。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种磁盘装置，其具有磁扼类型的 磁头，用于从介质读出磁信息，在所述介质中信息被磁记录在线性记录方向上，其中，所ii^辄类型的磁头包括主磁极，其在一个平面上形成， 所述平面在从介质延伸，所述介质中信息被磁记录在线性记录方向上，所 述主磁极与所述介质的表面垂直，也与所述线性记录方向垂直，并具有面 向所述介质的相对表面、饱和磁通密度Bsl和体积Vl;子磁轭，其通过连 接到所述主磁极而在所述平面上形成，并且在垂直于所述线性记录方向的 方向上具有比在垂直于所述介质的主表面的方向上的长度SYH更长的长 度SYW、并具有饱和磁通密度Bs2和体积V2，其积Bs2V2大于所述饱和 磁通密度Bsl和体积VI的乘积；以及，磁致电阻效应膜，其形成于所述 子磁辄和所述相对的表面之间，并且与所述主磁极邻接。 巴克豪森噪声可以被抑制。本专利技术的其他目的和优点将在随后的说明中给出，并且将部分地从所 述说明中显而易见，或者可以通过本专利技术的实践获悉。可以通过如下具体 给出的手段及其组合来实现和获得本专利技术的所述目的和优点。附图说明图1是示出根据第一实施例的磁轭类型的再现磁头的示意配置的示例 性透视图2是在图1中所示磁辄类型磁头的配置的示例性透视图； 图3是示出在图2中所示磁扼类型磁头的配置的示例性横截面图； 图4是示出根据本专利技术的一个实施例的磁记录和再现装置的示例性透 视图5是根据本专利技术的一个实施例的磁头组件的示例性透视图； 图6A和图6B是示出根据第一实施例的磁辄类型的磁头的配置的示例 性横截面图7A和图7B是示出根据第一实施例的磁辄类型的磁头的配置的示例 性横截面图8A和图8B是示出根据第一实施例的磁扼类型的磁头的配置的示例 性横截面图9A和图9B是示出根据第一实施例的磁辄类型的磁头的配置的示例 性横截面图IOA和图IOB是示出根据第一实施例的磁辄类型的磁头的配置的示 例性横截面图IIA和图IIB是示出根据第一实施例的磁轭类型的磁头的配置的示 例性横截面图12是示出根据第二实施例的磁辄类型的磁头的配置的示例性透视图13是示出磁辄类型的磁头的修改示例的示例性透视图。具体实施例方式以下参考附图来描述根据本专利技术的各实施例。 (第一实施例)将参考图1、2和3来描述根据本专利技术的第一实施例的磁辄类型的再现 磁头的配置。图l是示出根据本专利技术的第一实施例的磁头的示意图。另夕卜， 图2是示出所逸磁头的配置的透视图。图3是在图2中所示的磁头沿着线 II-II切割的横截面图。在图2中，在所述附图中的前侧上的横截面示出了 空气轴^^面(ABS)。如图1中所示，在与介质的线性记录方向垂直的平面上形成从在磁致 电阻效应膜中的所述介质引起信号磁场的主磁极5A和5B、用于返回流入 所述主磁极的磁场的子磁辄6、侧屏蔽部件10。即，在相对于主磁极5A 和5B的离轨方向上形成子磁辄6。所述主磁极5A和5B具有第一主磁 极区5A，其具有面向介质的相对表面；第二主磁极区5B，其连接到所述 子磁辄6 。在笫 一主磁极区5A和第二主磁极区5B之间形成磁致电阻效应 膜8，并且以在所述主磁极的中间中断的方式而形成所逸磁致电阻效应膜 8。第二主磁极区5B的一部分在以直角与所述线性记录方向相交的方向上 的宽度比在以直角与在线性记录方向相交的方向上面向介质的第一主磁极 区5A的ABS (相对表面)的长度更短。子磁辄6祐il/映来用于流动磁通，以便在第二主磁极区5B的远后端 不产生磁畴。侧屏蔽部件10连接到子磁辄6，并且设置在主磁极5A和5B以及磁 致电阻效应膜8的两侧的每侧。侧屏蔽部件10阻止磁场W目邻的轨道ii^ 主磁极，以便对应于甚至更高的记录密度。所述侧屏蔽部件不在磁记录装 置中的记录轨道上，而是以与上下屏蔽部件相隔的方式设置在离轨的方向 上，如图2中所示，磁致电阻效应膜8基本上不磁暴露在ABS上。主磁极 区5A配置为直接读取介质M的信号磁场，并且向磁致电阻效应膜8发送 所述信号磁场。如图2和3中所示，在下屏蔽电极4上形成导电空间层3。 在所述导电空间层3上，形成主磁极5A和5B、磁致电阻效应膜8和硬磁 铁9。绝缘层2被形成以便覆盖在下屏蔽电极4上的主磁极5A和5B、磁 致电阻效应膜8和硬磁铁9。绝缘层2设置在导电空间层3上。在孔中形 成上柱7，所述孔连接到设置在绝缘层2中的磁致电阻效应膜8。上屏蔽电 极1被形成在上柱7和绝缘层2上。向ABS暴露的侧屏蔽的面积需要大于主磁极的面积。如果所述面积 小，则不能有效地回流流入磁场。由此，不仅产生巴克豪森噪声，而且产 生来自子磁辄的噪声的流入。如图1中所示，形成磁致电阻效应膜，插入主磁极5的中间。这样， 在主磁极5中引入的磁通在磁致电阻效应膜8中有效地流动。在磁致电阻 效应膜8的侧表面上形成硬>^4失9。形成所述硬磁铁9以向从所述^^质流 入所述磁致电阻效应膜的磁场施加垂直偏磁。通过向流入磁场施加所述垂 直偏磁，可以获得输出，从该输出可以识别所述i磁场的极性，诸如巨大的磁致电阻旋转阀膜(以下称为GMR-SV)、隧道磁致电阻 效应膜(以下称为TMR)和弹道磁致电阻效应膜(以下称为BMR)之类 的膜一般被用作磁致电阻效应膜。所述GMR-SV还被划分为共面的起电类 型(CIP-GMR-SV)和垂直起电类型(CPP-GMR-SV)。图3示出了使用 CPP-GMR-SV、 TMR和BMR的情况。为此，提供上柱7来保持与上电极的导通性。当使用CIP-GMR-SV时不需要如此。而且，导电空间层3 被替换为绝缘层，在CIP-GMR-SV的侧表面上形成电极。为抑制巴克豪森噪声，最好使得在主磁极和子磁辄的连接部分附近几 乎不产生磁畴，在当前的磁传感器的情况下，因为在同一平面上形成主磁 极和子磁辄，因此可以避免在现有技术中发现的磁路的尖锐弯曲。因此， 几乎不产生不稳定的磁畴，并且作为其结果，可以减少巴克豪森噪声对于 主磁极的影响。另外，因为主磁极的第二主磁极区和子磁扼配置有一个磁材料膜，可 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁轭类型的磁头，用于从介质读出磁信息，所述介质中信息被磁记录磁轨方向上，所述磁头其特征在于包括：主磁极，其安装在与线性记录方向垂直的平面上，并且具有面向所述介质的相对表面、饱和磁通密度Ｂｓ１和体积Ｖ１；子磁轭，其通过连接到所述主磁极而形成于所述平面上，并且在垂直于所述线性记录方向的方向上具有比在垂直于所述介质的主表面的方向上的长度ＳＹＨ更长的长度ＳＹＷ、饱和磁通密度Ｂｓ２和体积Ｖ２，其积Ｂｓ２Ｖ２大于所述饱和磁通密度Ｂｓ１和体积Ｖ１的乘积；以及磁致电阻效应膜，其形成于所述子磁轭和所述相对的表面之间，并且与所述主磁极邻接。

【技术特征摘要】
JP 2006-6-30 182424/20061.一种磁轭类型的磁头，用于从介质读出磁信息，所述介质中信息被磁记录磁轨方向上，所述磁头其特征在于包括主磁极，其安装在与线性记录方向垂直的平面上，并且具有面向所述介质的相对表面、饱和磁通密度Bs1和体积V1；子磁轭，其通过连接到所述主磁极而形成于所述平面上，并且在垂直于所述线性记录方向的方向上具有比在垂直于所述介质的主表面的方向上的长度SYH更长的长度SYW、饱和磁通密度Bs2和体积V2，其积Bs2V2大于所述饱和磁通密度Bs1和体积V1的乘积；以及磁致电阻效应膜，其形成于所述子磁轭和所述相对的表面之间，并且与所述主磁极邻接。2. 根据权利要求l所述的磁辄类型的磁头，其特征在于还包括连接 到在所述平面中的所述子磁扼并且在所述主磁极的侧面上形成的子磁辄。3. 根据权利要求l所述的磁辄类型的磁头，其特征在于，所迷主磁极 和所述子磁辄在一个磁材料膜上形成。4. 根据权利要求l所述的磁辄类型的磁头，其特征在于，所述子磁轭 具有磁各向异性，其中，与所述线性记录方向垂直的方向为易磁化轴。5. 根据权利要求l所述的磁辄类型的磁头，其特征在于，在垂直于所一部分和所述子磁扼之间的主磁极的长度短于在垂直于所述线性记录方向 的方向上相对表面的长度。6. —种磁盘装置，其具有磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸿井克彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]