高电子迁移率晶体管及其制造方法技术

提供了一种高电子迁移率晶体管及制造该高电子迁移率晶体管的方法。该高电子迁移率晶体管包括提供在耗尽形成层上的栅电极。栅电极包括被配置为与耗尽形成层形成欧姆接触的第一栅电极以及被配置为与耗尽形成层形成肖特基接触的第二栅电极。基接触的第二栅电极。基接触的第二栅电极。

【技术实现步骤摘要】
高电子迁移率晶体管及其制造方法


[0001]本公开涉及高电子迁移率晶体管和制造该高电子迁移率晶体管的方法。

技术介绍

[0002]在各种功率转换系统中，通常需要用于通过ON/OFF开关(例如功率器件)进行电流控制的装置。功率转换系统的整体效率可以由功率器件的效率来确定。
[0003]由于硅的物理性质和制造工艺的限制，难以提高基于硅(Si)的功率器件的效率。为了克服这些限制，已经研究并开发了III
‑
V族化合物半导体(诸如GaN)在功率器件中的应用，作为提高转换效率的方法。近来，已经研究了使用化合物半导体的异质结结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)。

技术实现思路

[0004]提供了高电子迁移率晶体管以及制造该高电子迁移率晶体管的方法。
[0005]另外的方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地从该描述将是明显的，或者可以通过实践本公开的所呈现的示例实施方式而被了解。
[0006]根据一示例实施方式的一方面，一种高电子迁移率晶体管包括：
[0007]包括第一半导体材料的沟道层；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管，包括：包括第一半导体材料的沟道层；沟道供应层，包括第二半导体材料并且在所述沟道层中感应二维电子气(2DEG)；电连接到二维电子气的源电极和漏电极；在所述沟道供应层上的耗尽形成层，所述耗尽形成层被配置为在所述二维电子气中形成耗尽区；以及在所述耗尽形成层上的栅电极，所述栅电极包括被配置为与所述耗尽形成层形成欧姆接触的第一栅电极以及被配置为与所述耗尽形成层形成肖特基接触的第二栅电极。2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述耗尽形成层包括p型III
‑
V族氮化物半导体。3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述耗尽形成层在与所述源电极和所述漏电极平行的方向上延伸。4.根据权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述耗尽形成层是多个耗尽形成层之一，所述多个耗尽形成层在与所述源电极和所述漏电极平行的所述方向上彼此间隔开。5.根据权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，还包括：在所述耗尽形成层的中间部分上的突起，所述突起在与所述源电极和所述漏电极平行的所述方向上延伸。6.根据权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第一栅电极在与所述源电极和所述漏电极平行的所述方向上在所述耗尽形成层的上表面的中间区域中延伸。7.根据权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第二栅电极在所述耗尽形成层的所述上表面上并且覆盖所述第一栅电极。8.根据权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中所述第一栅电极包括钯和TiN中的至少一种，所述第二栅电极包括TiN，以及在所述第一栅电极中的钛与氮的比例不同于在所述第二栅电极中的钛与氮的比例。9.根据权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中所述第二栅电极是多个第二栅电极之一，以及所述多个第二栅电极在所述耗尽形成层的所述上表面上彼此间隔开并覆盖所述第一栅电极的部分。10.根据权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中所述第一栅电极是多个第一栅电极之一，以及所述多个第一栅电极在所述耗尽形成层的上表面上的中间区域中在与所述源电极和所述漏电极平行的所述方向上彼此间隔开。11.根据权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第二栅电极在所述耗尽形成层的所述上表面上并且覆盖所述多个第一栅电极。12.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中所述耗尽形成层是多...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴在浚，金钟燮，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：