电平转换电路制造技术

本申请涉及一种电平转换电路，通过设置低压域倒相电路，使得输入的低压域方波电压信号转化为倒相的低压域方波电压信号，低压域方波电压信号和倒相后的方低压域波电压信号是共同输入至高压域转换电路，且低压域方波电压信号和倒相后的低压域方波电压信号在波形上互补，使高压域转换电路可以形成稳定的负载，进而使得低压域方波电压信号转化为高压域方波电压信号输出。本申请涉及的电平转换电路在电压信号周期性快速变化时，电平转换速度快，输出信号响应速度快。出信号响应速度快。出信号响应速度快。

【技术实现步骤摘要】
电平转换电路


[0001]本申请涉及电子电路
，特别是涉及一种电平转换电路。

技术介绍

[0002]传统针对于方波电压信号的低电平转高电平的电平转换电路设计中，电平转换电路的设计一般较为简单，导致性能不够，尤其在电压信号周期性快速变化时，输出信号响应速度慢。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对传统电平转换电路在电压信号周期性变化快时，输出信号响应速度慢的问题，提供一种电平转换电路。
[0004]本申请提供一种电平转换电路，包括：
[0005]低压信号输入端，用于输入一个低压域方波电压信号；
[0006]低压域倒相电路，用于将所述低压域方波电压信号倒相；
[0007]低压电压源，与所述低压域倒相电路电连接，用于为所述低压域倒相电路提供电能；
[0008]高压域转换电路，用于将倒相后的低压域方波电压信号转化为高压域的方波电压信号；所述高压域转换电路还与所述低压信号输入端电连接
[0009]高压电压源，与所述高压域转换电路电连接，用于为所述高压域转换电路提供电能；所述低压电压源的输出电压值小于所述高压电压源的输出电压值；
[0010]高压信号输出端，用于输出所述高压域的方波电压信号；所述低压域方波电压信号的电压有效值小于所述高压域方波电压信号的电压有效值。
[0011]进一步地，所述低压域倒相电路包括：
[0012]第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述低压电压源电连接；
[0013]第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极电连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极电连接；
[0014]低压信号输入端电连接于所述第一NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极之间的连接链路。
[0015]进一步地，所述高压域转换电路包括：
[0016]第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极电连接于所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极之间的连接链路；
[0017]第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的栅极电连接于所述第一NMOS管的栅极与所述低压信号输入端之间的连接链路；
[0018]第二PMOS管，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极电连接；所述第二PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的漏极电连接；
[0019]第三PMOS管，所述第三PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极电连接；所述第三
PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极电连接；
[0020]所述第二PMOS管的源极与所述第三PMOS管的源极电连接；
[0021]所述高压电压源电连接于所述第二PMOS管的源极与所述第三PMOS管的源极之间的连接链路。
[0022]进一步地，所述高压信号输出端包括：
[0023]第一输出端，电连接于所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极之间的连接链路；
[0024]第二输出端，电连接于所述第三PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极之间的连接链路。
[0025]进一步地，所述低压信号输入端和所述第一输出端的电压信号极性相同，所述低压信号输入端和所述第二输出端的电压信号极性相反。
[0026]进一步地，第一PMOS管的阈值电压大于0且小于低压电压源的输出电压值，第一NMOS管的阈值电压大于0且小于低压电压源的输出电压值。
[0027]进一步地，所述第二NMOS管的阈值电压大于所述第一NMOS管的阈值电压且小于高压电压源的输出电压值，所述第二NMOS管的阈值电压等于所述第三NMOS管的阈值电压。
[0028]进一步地，所述第二PMOS管的阈值电压大于所述第一PMOS管的阈值电压且小于高压电压源的输出电压值，所述第二PMOS管的阈值电压等于所述第三PMOS管的阈值电压。
[0029]进一步地，所述电平转换电路还包括：
[0030]第四NMOS管，所述第四NMOS管的栅极与所述低压信号输入端电连接，所述第四NMOS管的漏极与所述第二PMOS管电连接，所述第四NMOS管的源极电连接于所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极之间的连接链路；
[0031]第五NMOS管，所述第五NMOS管的栅极与所述第二NMOS管电连接，所述第五NMOS管的漏极与所述第三PMOS管电连接，所述第五NMOS管的源极电连接于所述第三PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极之间的连接链路。
[0032]进一步地，所述第一NMOS管的阈值电压等于所述第四NMOS管的阈值电压等于第五NMOS管的阈值电压。
[0033]本申请涉及一种电平转换电路，通过设置低压域倒相电路，使得输入的低压域方波电压信号转化为倒相的低压域方波电压信号，低压域方波电压信号和倒相后的方低压域波电压信号是共同输入至高压域转换电路，且低压域方波电压信号和倒相后的低压域方波电压信号在波形上互补，使高压域转换电路可以形成稳定的负载，进而使得低压域方波电压信号转化为高压域方波电压信号输出。本申请涉及的电平转换电路在电压信号周期性快速变化时，电平转换速度快，输出信号响应速度快。
附图说明
[0034]图1为本申请一实施例提供的电平转换电路的结构示意图。
[0035]图2为本申请一实施例提供的电平转换电路的结构示意图。
[0036]图3为本申请一实施例提供的电平转换电路的结构示意图。
[0037]附图标记：
[0038]100
‑
低压信号输入端；200
‑
低压域倒相电路；210
‑
第一PMOS管；
[0039]211
‑
第一PMOS管的源极；212
‑
第一PMOS管的漏极；
[0040]213
‑
第一PMOS管的栅极；220
‑
第一NMOS管；221
‑
第一NMOS管的源极；
[0041]222
‑
第一NMOS管的漏极；223
‑
第一NMOS管的栅极；300
‑
低压电压源；
[0042]400
‑
高压域转换电路；410
‑
第二NMOS管；411
‑
第二NMOS管的源极；
[0043]412
‑
第二NMOS管的栅极；413
‑
第二NMOS管的漏极；420
‑
第三NMOS管；
[0044]421
‑
第三NMOS管的源极；422
‑
第三NMOS管的栅极；
[0045]423
‑
第三NMOS管的漏极；430
‑
第二PMOS管；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：低压信号输入端，用于输入一个低压域方波电压信号；低压域倒相电路，用于将所述低压域方波电压信号倒相；低压电压源，与所述低压域倒相电路电连接，用于为所述低压域倒相电路提供电能；高压域转换电路，用于将倒相后的低压域方波电压信号转化为高压域的方波电压信号；所述高压域转换电路还与所述低压信号输入端电连接；高压电压源，与所述高压域转换电路电连接，用于为所述高压域转换电路提供电能；所述低压电压源的输出电压值小于所述高压电压源的输出电压值；高压信号输出端，用于输出所述高压域的方波电压信号；所述低压域方波电压信号的电压有效值小于所述高压域方波电压信号的电压有效值。2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述低压域倒相电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述低压电压源电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极电连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极电连接；所述低压信号输入端电连接于所述第一NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极之间的连接链路。3.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述高压域转换电路包括：第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极电连接于所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极之间的连接链路；第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的栅极电连接于所述第一NMOS管的栅极与所述低压信号输入端之间的连接链路；第二PMOS管，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极电连接；所述第二PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的漏极电连接；第三PMOS管，所述第三PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极电连接；所述第三PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极电连接；所述第二PMOS管的源极与所述第三PMOS管的源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘辉，
申请(专利权)人：杭州雄迈集成电路技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：