用于控制电路的输入节点处的电压的半导体器件制造技术

本申请提供一种用于控制电路的输入节点处的电压的半导体器件。一种半导体器件包括：电路，其包括耦接至第一节点的输入；以及第一信号控制电路，其被配置为确定在低功率模式下第一节点的电压，其中，在低功率模式的第n次发生时，第一信号控制电路将第一节点的电压设置为第一值，并且在低功率模式的第m次发生时，第一信号控制电路将第一节点的电压设置为与第一值不同的第二值，其中n和m是两个不同的自然数。数。数。

【技术实现步骤摘要】
用于控制电路的输入节点处的电压的半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年4月17日提交的申请号为10
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2020
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0046666的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]各个实施例总体上涉及一种用于控制电路的输入节点处的电压的半导体器件，并且更具体地，涉及一种在电路空闲(即，不工作)的低功率模式下用于控制电路的输入节点处的电压的半导体器件。

技术介绍

[0004]图1示出了常规半导体器件的电路图。
[0005]在图1中，输出电路1包括反相器11至14和交叉耦合锁存器20。
[0006]断电模式可以是其中输出电路1不工作的低功率模式。这里，“不工作”可以意味着即使仍可以向输出电路1供电，在输出电路1中以及由其生成的信号值也不会改变。
[0007]反相器11将第一节点N1的信号反相，并且反相器12将第二节点N2的信号反相。
[0008]反相器13通过将提供给第三节点N3的反相器11的输出反相来提供输出时钟信号OCLK。
[0009]反相器14通过将提供给第四节点N4的反相器12的输出反相来提供反相输出时钟信号/OCLK。
[0010]交叉耦合锁存器20包括反相器21和反相器22，反相器21和反相器22的输入端子和输出端子在彼此相反的方向上耦接在第三节点N3与第四节点N4之间。
[0011]与非门31的输出被提供给第一节点N1，与非门31对将时钟信号CLK反相的反相器33的输出和反相低功率信号/PD执行与非运算。因此，在反相低功率信号/PD具有逻辑低信号时，第一节点N1将具有逻辑高值。具有逻辑低值的反相低功率信号/PD可以指示电路在低功率模式下工作。
[0012]或非门32的输出被提供给第二节点N2，并且或非门32对将时钟信号/CLK反相的反相器34的输出和低功率信号PD执行或非运算。因此，在低功率信号PD具有逻辑高信号时，第二节点N2将具有逻辑低值。具有逻辑高值的低功率信号PD可以指示电路在低功率模式下工作。
[0013]图2示出了图1的常规半导体器件的操作。
[0014]图2示出了针对低功率模式的第n次发生而激活低功率信号PD的情况以及针对低功率模式的第n+1次发生而激活低功率信号PD的情况，其中n是自然数。
[0015]在低功率信号PD被激活时，提供给第一节点N1的与非门31的输出变为高电平，并且提供给第二节点N2的或非门32的输出变为低电平。
[0016]因此，第三节点N3变为低电平，并且第四节点N4变为高电平。
[0017]常规上，在低功率模式下，第一节点N1至第四节点N4的电压被驱动为各自相同的
值，而与低功率信号PD已被激活的次数无关。换句话说，在图1的半导体器件中，每当输出电路1在低功率模式下时，第二节点N2和第三节点N3被驱动为逻辑低值，并且第一节点N1和第四节点N4被驱动为逻辑高值。
[0018]因此，作为利用低功率模式的结果，相对于低电平电压被施加到包括在反相器11中的晶体管的栅极的时间量，高电平电压被施加到包括在耦接至第一节点N1的反相器11中的晶体管的栅极的时间量增加，并且相对于高电平电压被施加到包括在反相器12中的晶体管的栅极的高电平电压的时间量，低电平电压被施加到包括在耦接至第二节点N2的反相器12中的晶体管的栅极的时间量增加。随着各个施加时间之差的增加，两个晶体管的劣化程度逐渐变得不同，并且晶体管之间的操作特性的失配会增加。
[0019]在耦接至第三节点N3的输入端子的反相器13和反相器21以及耦接至第四节点N4的输入端子的反相器14和反相器22中也发生相同的现象。
[0020]由于在低功率模式期间由施加电压的差异引起的晶体管的操作特性之间的失配增加，因此在正常功率模式期间电路的操作特性也会劣化，这可能引起许多问题。

技术实现思路

[0021]根据本公开的一个实施例，一种半导体器件包括：电路，其包括耦接至第一节点的输入；以及第一信号控制电路，其被配置为确定在低功率模式下第一节点的电压，其中，在低功率模式的第n次发生时，第一信号控制电路将第一节点的电压设置为第一值，并且在低功率模式的第m次发生时，第一信号控制电路将第一节点的电压设置为与第一值不同的第二值，以及其中，n和m是两个不同的自然数。
[0022]根据本公开的一个实施例，一种半导体器件包括：电路，其包括耦接至第一节点的第一输入和耦接至第二节点的第二输入；第一信号控制电路，其被配置为确定在低功率模式下第一节点的电压；以及第二信号控制电路，其被配置为确定在低功率模式下第二节点的电压，其中，第一信号控制电路将在低功率模式的第n次发生时第一节点的电压和在低功率模式的第m次发生时第一节点的电压设置为不同，其中，第二信号控制电路将在低功率模式的第i次发生时第二节点的电压和在低功率模式的第j次发生时第二节点的电压设置为不同，其中n和m是两个不同的自然数，并且i和j是两个不同的自然数，以及其中，在低功率模式发生时第一节点的电压与第二节点的电压不同。
[0023]根据本公开的一个实施例，一种用于操作半导体器件的方法可以包括：接收指示低功率模式多次连续发生的低功率信号，在低功率信号没有指示低功率模式的发生时，在第一节点上生成根据第一输入信号的电压；在低功率信号指示低功率模式的第n次发生时，在第一节点上生成第一电压；以及在低功率信号指示低功率模式的第m次发生时，在第一节点上生成第二电压，其中n和m是两个不同的自然数，以及其中，第一电压与第二电压不同。
附图说明
[0024]所附附图与以下的详细描述一起被并入说明书中并形成说明书的一部分，并且用于进一步说明各种实施例，并且解释那些实施例的各种原理和优点，其中，在单独的视图中，相同的附图标记指代相同或功能相似的元件。
[0025]图1示出了常规的半导体器件。
[0026]图2示出了常规半导体器件的操作。
[0027]图3示出根据本公开的一个实施例的半导体器件。
[0028]图4示出了根据本公开的一个实施例的低功率控制电路。
[0029]图5示出根据本公开的一个实施例的半导体器件的操作。
[0030]图6示出了根据本公开的另一实施例的低功率控制电路。
[0031]图7和图8分别示出了根据本公开的其他实施例的半导体器件。
具体实施方式
[0032]在描述与本公开一致的说明性实施例时，以下详细描述参考所附附图。提供实施例是为了说明的目的，并非穷举的。没有明确示出或描述的其他实施例是可能的。此外，可以在本教导的范围内对所呈现的实施例进行修改。详细描述并不意味着限制本公开。相反，本公开的范围根据权利要求及其等同形式来限定。此外，在整个说明书中，对“一个实施例”等的引用不一定仅是一个实施例，并且对任何这样的短语的不同引用不一定是同一实施例。
[0033]图3示出了根据本公开的一个实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：电路，其包括耦接至第一节点的输入；以及第一信号控制电路，其被配置为确定在低功率模式下所述第一节点的电压，其中，在所述低功率模式的第n次发生时，所述第一信号控制电路将所述第一节点的电压设置为第一值，并且在所述低功率模式的第m次发生时，所述第一信号控制电路将所述第一节点的电压设置为与所述第一值不同的第二值，以及其中，n和m是两个不同的自然数。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括低功率控制电路，其被配置为根据指示所述低功率模式的低功率信号来控制所述第一信号控制电路。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述低功率控制电路控制所述第一信号控制电路，使得在未进入所述低功率模式时，不从所述第一信号控制电路驱动所述第一节点。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一信号控制电路包括：第一PMOS晶体管，其包括从所述低功率控制电路接收第十一低功率信号的栅极、耦接至电源电压的栅极以及耦接至所述第一节点的漏极；以及第一NMOS晶体管，其包括从所述低功率控制电路接收第十二低功率信号的栅极、耦接至接地电压的源极以及耦接至所述第一节点的漏极。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述低功率信号是断电信号或刷新控制信号。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括将输入信号提供至所述第一节点的开关。7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括将输入信号提供至所述第一节点的电容器。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电路包括具有耦接至所述第一节点的输入的反相器。9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括在未进入所述低功率模式时耦接在所述反相器的输入端子与输出端子之间的电阻器。10.一种半导体器件，包括：电路，其包括耦接至第一节点的第一输入和耦接至第二节点的第二输入；第一信号控制电路，其被配置为确定在低功率模式下所述第一节点的电压；以及第二信号控制电路，其被配置为确定在所述低功率模式下所述第二节点的电压，其中，所述第一信号控制电路将在所述低功率模式的第n次发生时所述第一节点的电压和在所述低功率模式的第m次发生时所述第一节点的电压设置为不同，其中，所述第二信号控制电路将在所述低功率模式的第i次发生时所述第二节点的电压和在所述低功率模式的第j次发生时所述第二节点的电压设置为不同，其中，n和m是两个不同的自然数，并且i和j是两个不同的自然数，以及其中，在所述低功率模式发生时，所述第一节点的电压与所述第二节点的电压不同。11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑慎铉，金秀桓，洪基汶，姜智孝，梁宰赫，权大汉，金东铉，
申请(专利权)人：首尔大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：