电压准位转换电路制造技术

本公开涉及电压准位转换电路。本发明专利技术包含一种电压准位转换电路，包含：第一及第二N型驱动晶体管、电压供应电路、电流源、第一及第二连接晶体管。第一及第二N型驱动晶体管在第一供应电压源提供高态电压时导通。电压供应电路传送反相的第一及第二输入电压至第一及第二N型驱动晶体管的源极。电流源根据第二供应电压源运作，具有第一及第二输出端。第一及第二连接晶体管分别电性耦接于第一N型驱动晶体管的汲极与第二输出端间及第二N型驱动晶体管的汲极与第一输出端间。第一及第二连接晶体管分别在第一供应电压源提供高态电压时及提供低态电压时导通及关闭。压时导通及关闭。压时导通及关闭。

【技术实现步骤摘要】
电压准位转换电路


[0001]本专利技术是关于电压转换技术，尤其是关于一种电压准位转换电路。

技术介绍

[0002]集成电路中通常会有两到三个不同电压电位的电源，而跨电压电位间的讯号连接就会需要电压准位的转换器。依照需求，电压准位转换器可将低电压准位转换为高电压准位，或者是将高电压准位转至低电压准位。
[0003]然而，目前的电压准位转换器经常受到寄生电容的影响，导致操作速度无法提升。并且，在一些应用的情境中，电压准位转换器赖以运作的供应电压源可能会因为部分未关闭而导致漏电流的产生。再者，电压准位转换器在启动之时，输出电压亦会因为状态未稳定，而无法输出确定的电压值。

技术实现思路

[0004]鉴于先前技术的问题，本专利技术的一目的在于提供一种讯号输出装置及方法，以改善先前技术。
[0005]本专利技术包含一种电压准位转换电路，其一实施例包含：第一N型驱动晶体管、第二N型驱动晶体管、电压传送电路、电流源、第一连接晶体管以及第二连接晶体管。第一N型驱动晶体管以及第二N型驱动晶体管分别包含闸极、汲极以及源极，其中闸极电性耦接于第一供应电压源，以在第一供应电压源提供第一高态电压时导通。电压传送电路配置以传送第一输入电压至第一N型驱动晶体管的源极以及传送第二输入电压至第二N型驱动晶体管的源极，其中第一输入电压以及第二输入电压互为反相。电流源配置以根据第二供应电压源提供的第二高态电压运作，并具有第一输出端以及第二输出端。第一连接晶体管电性耦接于第一N型驱动晶体管的汲极以及第二输出端间，第二连接晶体管电性耦接于第二N型驱动晶体管的汲极以及第一输出端间。其中第一连接晶体管以及第二连接晶体管依据致能电压控制，配置以在第一供应电压源提供第一高态电压时导通而使第一输出端产生输出电压，并在第一供应电压源提供低态电压时关闭。
[0006]有关本案的特征、实作与功效，兹配合图式作较佳实施例详细说明如下。
附图说明
[0007]图1显示本专利技术的一实施例中，一种电压准位转换电路的电路图；
[0008]图2显示本专利技术的一实施例中，第一供应电压源提供的电压以及致能电压的波型图；
[0009]图3显示本专利技术的一实施例中，一种电压准位转换电路的电路图；以及
[0010]图4显示本专利技术的一实施例中，一种电压准位转换电路的电路图。
具体实施方式
[0011]本专利技术的一目的在于提供一种电压准位转换电路，可具有漏电流的防止机制，降低寄生电容的影响而具有较快的操作速度，且可在供应电压源未稳定前提供预设的稳定输出。
[0012]请参照图1。图1为本专利技术的一实施例中，一种电压准位转换电路100的电路图。电压准位转换电路100配置以将具有第一电压准位的实际输入电压VIN进行电压转换，以输出具有第二电压准位的实际输出电压VOUT。
[0013]电压准位转换电路100包含：第一N型驱动晶体管MD1、第二N型驱动晶体管MD2、电压传送电路110、电流源120、第一连接晶体管MC1以及第二连接晶体管MC2。
[0014]第一N型驱动晶体管MD1以及第二N型驱动晶体管MD2分别包含闸极、汲极以及源极。其中，第一N型驱动晶体管MD1以及第二N型驱动晶体管MD2闸极均电性耦接于第一供应电压源VDDL，以在第一供应电压源VDDL提供高态电压时导通，并在第一供应电压源VDDL提供低态电压时关闭。
[0015]电压传送电路110配置以传送第一输入电压INB至第一N型驱动晶体管MD1的源极，以及传送第二输入电压INBB至第二N型驱动晶体管MD2的源极。其中，第一输入电压IN以及第二输入电压INBB互为反相。
[0016]于一实施例中，电压传送电路110包含第一反相器130以及第二反相器140。第一反相器130配置以接收实际输入电压VIN，并输出为第一输入电压INB。第二反相器140配置以接收第一输入电压INB，并输出为第二输入电压INBB。其中，第一反相器130以及第二反相器140是根据第一供应电压源VDDL提供的高态电压运作。
[0017]电流源120配置以根据第二供应电压源VDDH提供的高态电压运作，并具有第一输出端OUT以及第二输出端OUTB。于一实施例中，第二供应电压源VDDH所提供的高态电压大于第一供应电压源VDDL所提供的高态电压。在一数值范例中，第二供应电压源VDDH所提供的高态电压为例如，但不限于3.3伏特，而第一供应电压源VDDL所提供的高态电压为例如，但不限于0.9伏特。
[0018]于一实施例中，电流源120包含第一P型晶体管MS1以及第二P型晶体管MS2。第一P型晶体管MS1包含闸极、汲极以及源极，其中闸极电性耦接于第一输出端OUT，源极电性耦接于第二供应电压源VDDH，汲极电性耦接于第二输出端OUTB。第二P型晶体管MS2亦包含闸极、汲极以及源极，其中闸极电性耦接于第二输出端OUTB，源极电性耦接于第二供应电压源VDDH，汲极电性耦接于第一输出端OUT。
[0019]上述电流源120的结构仅为一范例。于其他实施例中，电流源120亦可由其他的电路结构实现。
[0020]第一连接晶体管MC1电性耦接于第一N型驱动晶体管MD1的汲极以及第二输出端OUTB间，第二连接晶体管MC2电性耦接于第二N型驱动晶体管MD2的汲极以及第一输出端OUT间。其中，第一连接晶体管MC1以及第二连接晶体管MC2依据致能电压RSTB控制。
[0021]于一实施例中，第一供应电压源VDDL提供的电压状态决定致能电压RSTB的电压状态。更详细地说，当第一连接晶体管MC1以及第二连接晶体管MC2是以N型晶体管实现时，在第一供应电压源VDDL供应高态电压的状况下，致能电压RSTB为高态，以使第一连接晶体管MC1以及第二连接晶体管MC2导通。而在第一供应电压源VDDL因为关闭而提供低态电压的状
况下，致能电压RSTB为低态，以使第一连接晶体管MC1以及第二连接晶体管MC2关闭。
[0022]请参照图2。图2为本专利技术一实施例中，第一供应电压源VDDL提供的电压以及致能电压RSTB的波型图。其中，第一供应电压源VDDL提供的电压在图2中仍以VDDL标示。
[0023]如图2所示，第一供应电压源VDDL在时间点T1前为关闭，因此提供的为低态电压。在时间点T1后，第一供应电压源VDDL开始启动以提供高态电压，并在时间点T2关闭而回复至低态电压的输出。
[0024]于一实施例中，致能电压RSTB在时间点T1前，第一供应电压源VDDL输出低态电压时为抑能态(于本实施例中为低态)。在第一供应电压源VDDL起始提供高态电压特定时间，例如达到稳定电压输出的时间点T3后，才转换为致能态(于本实施例中为高态)，并在时间点T2后，第一供应电压源VDDL回复至低态电压时立刻转换为抑能态。
[0025]藉由这样的设计，当电压准位转换电路100在一使用情境中使第二供应电压源VDDH运作且使第一供应电压源VDDL关闭时，将可避免漏电流的产生。
[0026]以下将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压准位转换电路，包含：一第一N型驱动晶体管以及一第二N型驱动晶体管，分别包含一闸极、一汲极以及一源极，其中该闸极电性耦接于一第一供应电压源，以在该第一供应电压源提供一第一高态电压时导通；一电压传送电路，配置以传送一第一输入电压至该第一N型驱动晶体管的该源极以及传送一第二输入电压至该第二N型驱动晶体管的该源极，其中该第一输入电压以及该第二输入电压互为反相；一电流源，配置以根据一第二供应电压源提供的一第二高态电压运作，并具有一第一输出端以及一第二输出端；以及一第一连接晶体管以及一第二连接晶体管，其中该第一连接晶体管电性耦接于该第一N型驱动晶体管的该汲极以及该第二输出端间，该第二连接晶体管电性耦接于该第二N型驱动晶体管的该汲极以及该第一输出端间；其中该第一连接晶体管以及该第二连接晶体管依据一致能电压控制，配置以在该第一供应电压源提供该第一高态电压时导通而使该第一输出端产生一输出电压，并在该第一供应电压源提供一低态电压时关闭。2.根据权利要求1所述的电压准位转换电路，其中该第二高态电压大于该第一高态电压。3.根据权利要求1所述的电压准位转换电路，更包含一输出电路，配置以依据该致能电压控制产生一实际输出电压，其中该实际输出电压在该第一供应电压源提供该第一高态电压时输出该输出电压，并在该第一供应电压源提供该低态电压时输出一预设电压。4.根据权利要求3所述的电压准位转换电路，其中该输出电路根据该第二供应电压源提供的该第二高态电压运作。5.根据权利要求3所述的电压准位转换电路，其中该第一连接晶体管以及该第二连接晶体管分别为一N型晶体管，该输出电路包含：一与非门，配置以接收该输出电压以及该致能电...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宗延，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：