【技术实现步骤摘要】
用于干燥晶圆的方法和装置
[0001]本申请涉及清洗设备领域，更具体的，涉及一种用于干燥晶圆的方法和装置。
技术介绍
[0002]在半导体器件的制造工艺中，经常会对晶圆进行湿法清洗。在对晶圆进行湿法清洗后还需要对晶圆进行干燥。避免晶圆表面残留水痕等，以避免影响后续的工艺。
[0003]常用的干燥晶圆的方式有离心甩干、异丙醇(IPA)蒸汽干燥等。还有一种干燥晶圆的方式，是将浸泡在去离子水中的晶圆提拉出水面并进入水面之上的异丙醇蒸汽中。在晶圆从去离子水的水面拉出时，晶圆表面附着的水会在表面张力的作用下留下，进而晶圆在异丙醇蒸汽中可得到进一步干燥。
[0004]由于晶圆上所制造的半导体结构非常精细，例如三维存储器在制造过程中，将堆叠结构的牺牲层去掉后，剩下的氧化层很薄。这些薄薄的氧化层在表面张力的作用下会弯曲，进而影响后续的栅层填充。再例如半导体结构中有一些高深宽比的结构或一些具有脆弱材料的结构，在水的表面张力作用下，这些结构甚至可能被破坏。
技术实现思路
[0005]本申请的实施例提供了一种用于干...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于干燥晶圆的方法，其特征在于，包括：将去离子水和溶质混合得到表面张力低于所述去离子水的表面张力的溶液；在所述溶液上形成气体层；利用所述溶液浸泡所述晶圆；以及将所述晶圆经由所述溶液与所述气体层之间的气液界面从所述溶液移动至所述气体层中。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：将所述晶圆在所述气体层中停留预定时间，其中，所述气体层的气压低于标准大气压。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体层包括：氮气和所述溶质。4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过控制所述去离子水的流量和所述溶质的流量而控制所述溶液中的所述溶质的浓度。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述溶质包括有机化合物。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述溶质选自异丙醇、正丙醇、乙醇及甲醇中的至少一种。7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述溶质在所述溶液中的质量占比小于或等于30％。8.一种用于干燥晶圆的装置，其特征在于，包括：罐体，具有内腔；干燥槽，包括与所述内腔连通、且适于容纳所述晶圆的凹槽；供液装置，与所述凹槽连通以向所述凹槽中输送溶液，其中，所述溶液由去离子水和溶质混合得到、且表面张力低于所述去离子水的表面张力；以及供气装置，与所述内腔连通以向所述内腔输送用于形成在所述溶液上并与所述溶液之间具有气液界面的气体层的气体。9.根据权利要求8所述的装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨永刚，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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