【技术实现步骤摘要】
用于图案化的方法以及存储器结构
[0001]本专利技术的实施例涉及用于图案化的方法以及存储器结构。
技术介绍
[0002]非易失性存储器件(例如闪存)广泛用于各种电子器件或仪器(例如, 计算机、手机、平板电脑、数码相机、科学仪器等)中,以存储数据和/或 编程指令,其可以随后被读取、擦除、编程和在断电时被保存。因此,非 易失性存储器(NVM)单元是现代芯片的重要元件。
技术实现思路
[0003]根据本专利技术实施例的一个方面,提供了一种用于图案化的方法,包括: 在衬底上形成具有第一宽度的第一多晶硅线和具有第二宽度的第二多晶硅 线,其中,第一多晶硅线和第二多晶硅线由多晶硅层间隔开,并且第一多 晶硅线和第二多晶硅线中的每一个包括宽于第一宽度和第二宽度的接触区 域;在第一多晶硅线、第二多晶硅线的接触区域和多晶硅层上沉积掩模层; 用干法蚀刻工艺从多晶硅层蚀刻掩模层,以移除掩模层的部分并暴露出多 晶硅层的第一部分;用湿法蚀刻工艺从多晶硅层蚀刻掩模层的未移除部分, 以暴露出多晶硅层的比第一部分大的第二部分,其中,第二部分比 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于图案化的方法,包括:在衬底上形成具有第一宽度的第一多晶硅线和具有第二宽度的第二多晶硅线,其中,所述第一多晶硅线和所述第二多晶硅线由多晶硅层间隔开,并且所述第一多晶硅线和所述第二多晶硅线中的每一个包括宽于所述第一宽度和所述第二宽度的接触区域;在所述第一多晶硅线、所述第二多晶硅线的所述接触区域和所述多晶硅层上沉积掩模层;用干法蚀刻工艺从所述多晶硅层蚀刻所述掩模层,以移除所述掩模层的部分并暴露出所述多晶硅层的第一部分;用湿法蚀刻工艺从所述多晶硅层蚀刻所述掩模层的未移除部分,以暴露出所述多晶硅层的比所述第一部分大的第二部分,其中,所述第二部分比插入在所述第二多晶硅线的所述接触区域和所述第一多晶硅线之间的所述多晶硅层窄;以及移除所述多晶硅层的暴露的所述第二部分,以在所述第二多晶硅线的所述接触区域和所述第一多晶硅线之间形成间隔。2.根据权利要求1所述的方法,其中,蚀刻所述掩模层包括:移除设置在氧化物掩模层上的氮化物掩模层,其中,所述氧化物掩模层设置在所述第一多晶硅线上;以及移除所述氧化物掩模层、所述第二多晶硅线的接触区域和所述多晶硅层的部分。3.根据权利要求1所述的方法,其中,蚀刻所述掩模层的所述未移除部分包括:蚀刻设置在所述第一多晶硅线、所述第二多晶硅线的所述接触区域和所述多晶硅层上的氧化物掩模层。4.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述多晶硅层上沉积所述掩模层包括:用所述掩模层覆盖形成在所述多晶硅层的顶表面上的皮层的侧壁和底表面。5.根据权利要求1所述的方法,其中,用所述干法蚀刻工艺蚀刻所述掩模层包括:在所述掩模层上图案化光刻胶层,以在所述多晶硅层上方暴露出所述掩模层的区域,其中,所述掩模层的暴露的...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴彦柔,李智铭,廖耕颍,谢炳邦,叶书佑,林欣慧,王育良,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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