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本公开描述了一种用于存储单元中的条带区域的图案化工艺，用于移除多晶硅线之间的材料。图案化工艺包括：在插入第一多晶硅栅极结构和第二多晶硅栅极结构之间的多晶硅层的顶部上形成的皮层中沉积第一硬掩模层；在第一硬掩模层上沉积第二硬掩模层。图案化工艺还...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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