封装结构和其制造方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构和制造方法。所述封装结构包含第一电路层、第一电介质层、电子装置和第一导电结构。所述第一电路层包含第一对准部分。所述第一电介质层覆盖所述第一电路层。所述电子装置安置在所述第一电介质层上，且包含与所述第一对准部分对准的电触点。所述第一导电结构延伸穿过所述第一对准部分，且电连接所述电触点和所述第一对准部分。连接所述电触点和所述第一对准部分。连接所述电触点和所述第一对准部分。

【技术实现步骤摘要】
封装结构和其制造方法


[0001]本公开涉及一种封装结构和制造方法，且涉及包含延伸穿过电路层并连接电子装置的导电结构的封装结构以及其制造方法。

技术介绍

[0002]在常规半导体倒装芯片接合方法中，焊料形成于衬底的电路层上。接着，在衬底上放置半导体裸片，使得焊料与半导体裸片的裸片衬垫接触。在回焊工艺之后，使焊料熔融以接合到裸片衬垫，从而形成半导体倒装芯片接合装置。在回焊工艺期间，焊料可与半导体裸片的裸片衬垫反应，从而形成金属间化合物(intermetallic compound,IMC)。通常，焊料的材料是锡银合金(例如，SnAg)，裸片衬垫的材料是铜(Cu)，且IMC的材料因此是锡、银与铜的组合，例如Cu6Sn5、Ni6Sn5、Cu3Sn4或Ni3Sn4。较厚IMC层将会降低半导体倒装芯片接合装置的剪切强度，因为IMC易碎，这可能产生接点裂纹(joint crack)。此外，焊料的材料与裸片衬垫和电路层的材料不同，这可能会不利地影响裸片衬垫与电路层之间的电传输。另外，在回焊工艺期间，半导体裸片的一些裸片衬垫可能因衬底的翘曲而未接触焊料。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其包括：第一电路层，其包含第一对准部分；第一电介质层，其覆盖所述第一电路层；电子装置，其安置在所述第一电介质层上且包含与所述第一对准部分对准的电触点；以及第一导电结构，其延伸穿过所述第一对准部分且电连接所述电触点和所述第一对准部分。2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一电路层进一步包含电连接到所述第一对准部分的第一迹线部分。3.根据权利要求2所述的封装结构，其中所述第一对准部分的下表面、所述第一迹线部分的下表面和所述电介质层的下表面基本上共面。4.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一对准部分和所述第一导电结构并非同时形成。5.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一导电结构的侧表面直接物理连接到所述第一电路层的所述第一对准部分。6.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一导电结构的上表面直接物理连接到所述电子装置的所述电触点。7.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一导电结构延伸超出所述第一电路层的所述第一对准部分的下表面。8.根据权利要求7所述的封装结构，其中所述第一导电结构物理接触所述第一电路层的所述下表面。9.根据权利要求8所述的封装结构，其中所述第一导电结构物理接触所述第一电路层的所述第一对准部分的所述下表面的一部分。10.根据权利要求1所述的封装结构，其进一步包括：包封物，其覆盖所述电子装置和所述第一电介质层，其中所述包封物的侧表面与所述第一电介质层的侧表面基本上共面。11.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一电路层进一步包含第一衬垫部分，其通过第一迹线部分电连接到所述第一对准部分。12.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜尤龙，博恩，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：