半导体器件及其制造方法技术

提供了半导体器件及其制造方法，其中，在半导体衬底上方附接半导体器件。在半导体衬底上方的金属化层和半导体衬底内形成开口，并且放置密封剂以填充开口。一旦放置密封剂，则分割半导体衬底以分隔器件。通过使金属化层的材料凹进并且形成开口，可以减少或消除分层损坏。坏。坏。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速的增长。在大多数情况下，集成密度的提高来自最小部件尺寸的重复减小(例如，将半导体工艺节点朝着20nm以下节点缩小)，这允许将更多的组件集成至给定区域中。随着近来对小型化、更高速度和更大带宽以及更低功耗和等待时间的需求增长，对半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求日益增长。
[0003]随着半导体技术的进一步进步，已经出现作为进一步减小半导体器件的物理尺寸的有效选择的堆叠和接合的半导体器件。在堆叠的半导体器件中，诸如逻辑、存储器、处理器电路等的有源电路至少部分在不同的衬底上制造，并且然后物理和电接合在一起以形成功能器件。这种接合工艺利用复杂的技术，并且期望改进。

技术实现思路

[0004]本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：金属化层，连接半导体衬底上的有源器件；第一半导体器件，连接至所述金属化层；第二半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：金属化层，连接半导体衬底上的有源器件；第一半导体器件，连接至所述金属化层；第二半导体器件，连接至所述金属化层；以及密封剂，密封所述第一半导体器件和所述第二半导体器件，所述密封剂与所述金属化层和所述半导体衬底物理接触。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封剂包括模塑料。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封剂包括氧化硅。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，支撑结构附接至所述氧化硅。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封剂的宽度随着所述密封剂延伸至所述半导体衬底中而减小。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：衬底通孔，延伸穿过所述半导体衬底；再分布层，连接至所述衬底通孔；以及钝化层，与所述再分布层相邻。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪伟，陈明发，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：