Al合金蒸镀膜、显示器用配线膜、显示器装置及溅射靶材制造方法及图纸

本发明专利技术的一个方式的Al合金蒸镀膜含有Al、及1.5atm％～6.0atm％的Zr或Zn，且进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，并且进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下。本发明专利技术涉及一种包括所述Al合金蒸镀膜的显示器用配线膜、显示器装置、及Al合金蒸镀膜形成用的溅射靶材。及Al合金蒸镀膜形成用的溅射靶材。及Al合金蒸镀膜形成用的溅射靶材。

【技术实现步骤摘要】
Al合金蒸镀膜、显示器用配线膜、显示器装置及溅射靶材


[0001]本专利技术涉及一种Al合金蒸镀膜、显示器用配线膜、显示器装置及溅射靶材。

技术介绍

[0002]近年来，对轻量薄型、且携带性优异的显示器装置的需求不断提高。其中，在像素的开关中使用了薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)的有源矩阵型(active matrix type)的液晶显示器装置由于可应对高精度的画质或高速动画，而得到普及。另外，目前，对能够折叠的柔性显示器装置的需求也在提高，在企业、大学、研究机构等中正在进行开发。
[0003]用于柔性显示器装置的基板具有可挠性以可进行自由弯曲。作为在所述柔性显示器装置中使用的扫描线或信号线、TFT的栅极电极、源极电极、漏极电极等配线的材料，采用Al或Al合金。对于所述配线，要求即使在反复弯曲的情况下也可抑制裂纹或断线的发生。
[0004]就此种观点而言，提出了如下技术：通过设置用于缓和弯曲显示器装置时产生的应力的应力缓和层，并将导电层层叠于此应力缓和层，来防止导电层的断裂(参照日本专利特开2007
‑
86771号公报)。
[0005][现有技术文献][0006][专利文献][0007][专利文献1]日本专利特开2007
‑
86771号公报

技术实现思路

[0008][专利技术所要解决的问题][0009]然而，根据专利文献1记载的构成，无法提高导电层自身的耐弯曲性。另外，根据专利文献1记载的构成，需要另外设置与导电层不同的应力缓和层，因此零件数量增加，与显示器装置的薄型化的要求相反。
[0010]本专利技术是基于所述情况而成，且其目的在于提供一种耐弯曲性优异的Al合金蒸镀膜。另外，本专利技术的目的在于提供一种耐弯曲性优异的显示器用配线膜及包括所述显示器用配线膜的显示器装置。另外，本专利技术的目的在于提供一种能够制造耐弯曲性优异的Al合金蒸镀膜的溅射靶材。
[0011][解决问题的技术手段][0012]为了解决所述课题而完成的本专利技术的一个方式的Al合金蒸镀膜含有Al及Al以外的其他金属元素，且进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，并且进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下。
[0013]所述Al合金蒸镀膜含有Al及Al以外的其他金属元素，所述其他金属元素固溶于Al或与Al形成金属间化合物。对于所述Al合金蒸镀膜，由于进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，且进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下，因此耐弯曲性优异。
[0014]所述其他金属元素为Zr或Zn，所述其他金属元素的含量为1.5atm％以上且6.0atm％以下即可。如此，通过所述其他金属元素为Zr或Zn，且所述其他金属元素的含量在所述范围内，可进一步提高所述Al合金蒸镀膜的耐弯曲性。
[0015]作为Al晶粒的平均粒径，优选为20nm以上且150nm以下。如此，通过使Al晶粒的平均粒径在所述范围内，可进一步提高所述Al合金蒸镀膜的耐弯曲性。
[0016]为了解决所述课题而完成的本专利技术的另一方式的显示器用配线膜包括所述Al合金蒸镀膜。
[0017]所述显示器用配线膜由于包括所述Al合金蒸镀膜，因此耐弯曲性优异。
[0018]为了解决所述课题而完成的本专利技术的另一方式的显示器装置包括所述配线膜。
[0019]所述显示器装置由于包括所述配线膜，因此耐弯曲性优异。
[0020]也可为：所述显示器装置包括层叠有所述配线膜的基板，并且所述配线膜的平均厚度相对于所述基板的平均厚度之比为0.005以上且0.05以下。如此，通过使所述配线膜的平均厚度相对于所述基板的平均厚度之比在所述范围内，容易提高耐弯曲性。
[0021]为了解决所述课题而完成的本专利技术的另一方式的溅射靶材是Al合金蒸镀膜形成用的溅射靶材，其含有Al及Al以外的其他金属元素，且所述Al合金蒸镀膜进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，且所述Al合金蒸镀膜进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下。
[0022]所述溅射靶材可制造耐弯曲性优异的所述Al合金蒸镀膜。
[0023]再者，在本专利技术中，所谓“弯曲试验”是指以曲率半径1mm，依据国际电工委员会(International Electrotechnical commission，IEC)62715
‑6‑
1进行的试验。
[0024][专利技术的效果][0025]如以上所说明般，本专利技术的一个方式的Al合金蒸镀膜、以及另一方式的显示器用配线膜及显示器装置的耐弯曲性优异。另外，本专利技术的另一方式的溅射靶材可制造耐弯曲性优异的Al合金蒸镀膜。
附图说明
[0026]图1是表示本专利技术的一实施方式的Al合金蒸镀膜层叠在基板上的状态的示意剖面图。
[0027]图2是表示本专利技术的一实施方式的Al合金蒸镀膜的制造方法的流程图。
[0028]图3是表示No.1～No.4的蒸镀膜的弯曲次数与电阻率的关系的图表。
[0029][符号的说明][0030]1：Al合金蒸镀膜
[0031]10：基板
[0032]S1：形成工序
[0033]S2：热处理工序。
具体实施方式
[0034]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。
[0035][Al合金蒸镀膜][0036]如图1所示，所述Al(铝)合金蒸镀膜1例如设置在具有可挠性的基板10的表面。所述Al合金蒸镀膜1可直接层叠在基板10上，也可经由其他层而层叠在基板10上。所述Al合金蒸镀膜1含有Al及Al以外的其他金属元素。关于所述Al合金蒸镀膜1，进行1万次弯曲试验后的电阻率ρ1相对于进行所述弯曲试验前的电阻率ρ0之比(ρ1/ρ0)为1.1以下，且进行10万次所述弯曲试验后的电阻率ρ10相对于进行所述弯曲试验前的电阻率ρ0之比(ρ10/ρ0)为1.3以下。
[0037]所述Al合金蒸镀膜1含有Al及所述其他金属元素，剩余部分包含不可避免的杂质。
[0038]本专利技术人等人为了提供一种可用于具有可挠性、可自由弯曲的柔性显示器装置的金属配线用、即使对于反复的弯曲也可抑制电阻率的上升或断线的Al合金膜，进行了深入研究。其结果，发现含有Al及Al以外的其他金属、且剩余部分包含不可避免的杂质的Al合金蒸镀膜即使在反复弯曲的情况下也可抑制电阻率的上升或断线。
[0039]所述Al合金蒸镀膜1例如经过400℃以上且500℃以下的热处理而形成。所述热处理例如也可由在TFT的制造工艺中实施的热处理来兼用。作为在TFT的制造工艺中实施的热处理，例如可列举用于非晶硅的结晶化的退火处理、用于形成低电阻的多晶硅层的活性化热处理等。这些热处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Al合金蒸镀膜，包含：Al及Al以外的其他金属元素，且进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，且进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下。2.根据权利要求1所述的Al合金蒸镀膜，其中，所述其他金属元素为Zr或Zn，所述其他金属元素的含量为1.5atm％以上且6.0atm％以下。3.根据权利要求1或2所述的Al合金蒸镀膜，其含有Al晶粒，且所述Al晶粒的平均粒径为20nm以上且150nm以下。4.一种显示器用配线膜，包括如权利要求1或2所述的A...

【专利技术属性】
技术研发人员：仓千晴，越智元隆，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：