静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法制造方法及图纸

本申请涉及静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法，提供一种静电放电(ESD)保护装置，包括具有设置于其中的导电区域的基板，设置在导电区域内的第一终端区域和第二终端区域，以及场分布结构。所述场分布结构可包括设置在位于第一终端区域和第二终端区域之间的导电区域内的中间区域，设置在中间区域上方的隔离元件，设置在隔离元件上方的第一导电板和第二导电板。第一导电板可电性连接第一终端区域，而第二导电板可电性连接第二终端区域。域。域。

【技术实现步骤摘要】
静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法


[0001]本专利技术通常涉及静电放电(electrostatic discharge；ESD)保护装置以及形成ESD保护装置的方法。

技术介绍

[0002]ESD保护装置通常用于保护电气装置免受ESD事件的损坏。图1A示出了示例性现有技术的ESD保护装置100的简化截面图。如图1A所示，现有技术ESD保护装置100包括p型基板102和设置在p型基板102内的深n阱104。集电极区域106和发射极/基极区域108设置在深n阱104内。集电极区域106包括高压p阱1061、高压p阱1061内的p阱1062和p阱1062内的p型接触件1063。发射极/基极区域108包括n阱1081，以及n阱1081内的p型接触件1082和n型接触件1083。p型接触件1082和n型接触件1083通过二者之间的隔离结构110彼此电性隔离。在现有技术的ESD保护装置100的相对两侧还提供进一步的隔离结构112、114。集电极区域106电性连接到端点116，发射极/基极区域108电性连接到端点118。r/>[0003]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护装置，包括：基板，包括设置在其中的导电区域；第一终端区域和第二终端区域，设置在所述导电区域内；以及场分布结构，包括：中间区域，设置在所述第一终端区域和所述第二终端区域之间的所述导电区域内；隔离元件，设置在所述中间区域上方；第一导电板和第二导电板，设置在所述隔离元件上方；其中，所述第一导电板电性连接所述第一终端区域，而所述第二导电板电性连接所述第二终端区域。2.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述导电区域的一部分设置在所述中间区域和所述第一终端区域之间；且其中，所述导电区域的另一部分设置在所述中间区域和所述第二终端区域之间。3.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述中间区域和所述第一终端区域之间设置有第一横向间隔；且其中，所述中间区域和所述第二终端区域之间设置有第二横向间隔。4.根据权利要求3所述的静电放电保护装置，其中，所述第一横向间隔的长度和所述第二横向间隔的长度大致相等。5.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述中间区域包括埋置层和设于所述埋置层上方的漂移区域。6.根据权利要求5所述的静电放电保护装置，其中，所述漂移区域的第一侧和所述埋置层的第一侧为垂直对齐，而所述漂移区域的第二侧相对于所述漂移区域的所述第一侧，所述埋置层的第二侧相对于所述埋置层的所述第一侧，所述漂移区域的所述第二侧和所述埋置层的所述第二侧为垂直对齐。7.根据权利要求5所述的静电放电保护装置，其中，所述基板、所述第一终端区域、所述第二终端区域、和所述埋置层具有第一导电类型；且其中，所述导电区域和所述漂移区域具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型。8.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述隔离元件邻接所述第一终端区域和所述第二终端区域。9.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述隔离元件在所述第一终端区域和所述第二终端区域之间连续地延伸。10.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述导电区域包括高压阱。11.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，还包括设置在所述导电区域内的埋置...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾杰，R，
申请(专利权)人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：