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本申请涉及静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法,提供一种静电放电(ESD)保护装置,包括具有设置于其中的导电区域的基板,设置在导电区域内的第一终端区域和第二终端区域,以及场分布结构。所述场分布结构可包括设置在位于第一终端区域和第二终...该专利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过新加坡商格罗方德半导体私人有限公司授权不得商用。
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本申请涉及静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法,提供一种静电放电(ESD)保护装置,包括具有设置于其中的导电区域的基板,设置在导电区域内的第一终端区域和第二终端区域,以及场分布结构。所述场分布结构可包括设置在位于第一终端区域和第二终...