【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于存储器系统的功率管理
技术介绍
[0001]本公开涉及存储器系统及其操作方法。
[0002]闪存是一种可以电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性固态存储介质。随着NAND闪存平面数量的增加和读写性能的提升,峰值功率管理在固态存储产品中(尤其是在UFS(通用闪存)芯片中)变得越来越重要。现有的基于限制可存取NAND存储设备的数量和限制并行操作的总数的峰值功率控制方法不灵活,并且不能充分利用电源提供的可用裕量。因此,需要改进现有的功率管理方法以提高存储性能。
技术实现思路
[0003]在一方面,一种存储器系统可以包括至少一个存储设备和耦合到该至少一个存储设备的存储控制器。至少一个存储设备中的每一个可以包括存储单元阵列和耦合到存储单元阵列的控制逻辑单元。存储控制器和至少一个存储设备的控制逻辑单元可以由具有第一预定功耗阈值的第一电源供电。至少一个存储设备的存储单元阵列可以由具有第二预定功耗阈值的第二电源供电。存储控制器可以被配置为:维持存储器操作的第一队列,其中第一队列中的存储器操作的执行导致来自第一电源的功耗;维持存储器操作 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器系统,包括:至少一个存储设备,所述至少一个存储设备中的每一个包括存储单元阵列和耦合到所述存储单元阵列的控制逻辑单元;以及耦合到所述至少一个存储设备的存储控制器;其中:所述存储控制器和所述至少一个存储设备的所述控制逻辑单元由具有第一预定功耗阈值的第一电源供电;所述至少一个存储设备的所述存储单元阵列由具有第二预定功耗阈值的第二电源供电;并且所述存储控制器被配置为:维持存储器操作的第一队列,其中,所述第一队列中的所述存储器操作的执行导致来自所述第一电源的功耗;维持存储器操作的第二队列,其中,所述第二队列中的所述存储器操作的执行导致来自所述第二电源的功耗;单独确定所述第一队列和所述第二队列中的后续存储器操作的各自执行是否会导致对应的所述第一电源和所述第二电源过载;基于所述确定,执行所述第一队列或所述第二队列中不会导致对应的所述第一电源或所述第二电源过载的所述后续存储器操作;并且基于所述确定,使所述第一队列或所述第二队列中会导致对应的所述第一电源或所述第二电源过载的所述后续存储器操作延迟。2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中:所述第一队列中的所述存储器操作包括信息传输操作;并且所述第二队列中的所述存储器操作包括读取操作、编程操作或擦除操作中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的存储器系统,其中,所述存储控制器被配置为:确定指示并行执行多个存储器操作的总并发功耗的当前功耗值;确定指示执行所述第一队列或所述第二队列中的后续存储器操作的附加功耗的附加功耗值;确定所述当前功耗值和所述附加功耗值的总和是否超过与保持所述后续存储器操作的所述所述第一队列或所述第二队列对应的所述第一预定功耗阈值或所述第二预定功耗阈值;并且在确定所述当前功耗值和所述附加功耗值的所述总和未超过所述第一预定功耗阈值或所述第二预定功耗阈值后,确定执行所述后续存储器操作不会导致对应的所述第一电源或所述第二电源过载。4.根据权利要求3所述的存储器系统,其中,所述存储控制器被配置为:在确定所述当前功耗值和所述附加功耗值的所述总和超过所述第一预定功耗阈值或所述第二预定功耗阈值后,确定执行所述后续存储器操作会导致对应的所述第一电源或所述第二电源过载。5.根据权利要求3或4所述的存储器系统,其中,所述存储控制器被配置为:
确定所述多个存储器操作的相应类型;基于所述相应类型,分别确定对应于所述多个存储器操作的个体功耗值;并且基于所述个体功耗值来确定所述当前功耗值。6.根据权利要求5所述的存储器系统,其中,所述存储控制器被配置为:基于环境条件调整所确定的所述个体功耗值;并且基于调整后的所述个体功耗值来确定所述当前功耗值。7.根据权利要求5或6所述的存储器系统,其中:存储器操作的每种类型对应于预定功耗值;并且所述存储控制器配置为:基于将所述多个存储器操作的所述相应类型映射到对应的所述预定功耗值来确定所述个体功耗值。8.根据权利要求5至7中任一项所述的存储器系统,其中,所述多个存储器操作的类型包括读取操作、编程操作、擦除操作、多平面操作、单平面操作、信息传输操作、编码操作或解码操作中的至少一种。9.根据权利要求3至8中任一项所述的存储器系统,其中,所述当前功耗值、所述附加功耗值或所述预定功耗阈值中的至少一个为基于预定基准计算的相对值的形式。10.根据权利要求1至9中任一项所述的存储器系统,其中,所述存储设备包括三维(3D)NAND存储设备。11.一种用于管理存储器系统的功率的方法,其中:所述存储器系统包括:至少一个存储设备,所述至少一个存储设备中的每一个包括存储单元阵列和耦合到所述存储单元阵列的控制逻辑单元;以及耦合到所述至少一个存储设备的存储控制器;所述存储控制器和所述至少一个存储设备的所述控制逻辑单元由具有第一预定功耗阈值的第一电源供电;所述至少一个存储设备的所述存储单元阵列由具有第二预定功耗阈值的第二电源供电;并且所述方法包括:维持存储器操作的第一队列,其中,所述第一队列中的所述存储器操作的执行导致来自所述第一电源的功耗;维持存储器操作的第二队列,其中,所述第二队列中的所述存储器操作的执行导致来自所述第二电源的功耗;单独确定所述第一队列和所述第二队列中的后续存储器操作的各自执行是否会导致对应的所述第一电源和所述第二电源过载;基于所述确定,执行所述第一队列或所述第二队列中不会导致对应的所述第一电源或所述第二电源过载的所述后续存储器操作;并且基于所述确定,使所述第一队列或所述第二队列中会导致对应的所述第一电源或所述第二电源过载的所述后续存储器操作延迟。12.根据权利要求11所述的方法,其中:
所述第一队列中的所述存储器操作包括信息传输操作;并且所述第二队列中的所述存储器操作包括读取操作、编程操作或擦除操作中的至少一种。13.根据权利要求11或12所述的方法,包括:确定指示并行执行多个存储器操作的总并发功耗的当前功耗值;确定指示执行所述第一队列或所述第二队列中的后续存储器操作的附加功耗的附加功耗值;确定所述当前功耗值和所述附加功耗值的总和是否超过与保持所述后续存储器操作的所述所述第一队列或所述第二队列对应的所述第一预定功耗阈值或所述第二预定功耗阈值;并且在确定所述当前功耗值和所述附加功耗值的所述总和未超过所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱飞飞,何有信,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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