LED器件以及LED显示装置制造方法及图纸

本申请涉及一种LED器件以及LED显示装置，LED器件包括衬底、形成于衬底一侧表面的外延结构、N型电极以及P型电极，外延结构包括形成在衬底一侧表面上的N型半导体层、形成在N型半导体层上的有源层以及形成在有源层上的P型半导体层，N型电极形成在N型半导体层上除形成有源层以外的其余区域中；P型电极形成在P型半导体层上；其特征在于：外延结构还包括光学增亮层，光学增亮层形成在P型半导体层上除形成P型电极以外的其余区域中。本申请的LED器件，通过在外延结构中增设光学增亮层，其能够显著提高发光亮度，从而提高LED器件效率。从而提高LED器件效率。从而提高LED器件效率。

【技术实现步骤摘要】
LED器件以及LED显示装置


[0001]本申请属于半导体显示器件
，特别涉及一种LED器件以及LED显示装置。

技术介绍

[0002]LED（Light Emitting Diode）的商业应用已经比较普遍，但仍面临着LED器件发光效率低的问题。
[0003]现有技术中，业界已有的解决方案包括基于湿法刻蚀硅表面镶嵌Ag纳米线陷光结构的制备方法，该制备方法采用低功率超声分散的手段，在乙醇溶液中对Ag纳米线进行有效的分散；将分散好的Ag纳米线通过旋涂的方式均匀涂布于硅片的表面；通过退火的方式，提高Ag纳米线与硅片之间的接触。通过刻蚀液刻蚀，将Ag纳米线镶嵌入硅表面，制备出新型复合陷光降阻增效结构。该结构显著的增大Ag纳米线与硅表面的接触面积，同时在可见光频谱范围内极大的提升Ag纳米线在硅内的陷光能力。
[0004]还有一些方案是通过优化器件结构，如设计优化MQW的结构来实现，但是其达到的效果均有限或加工难度大、制备成本高。
[0005]因此，如何通过低成本方法来提高LED器件成为亟需解决的问题。

技术实现思路

[0006]为了解决上述技术问题，本申请的目的是提供一种亮度更高的LED器件以及LED显示装置。
[0007]为了实现上述申请的目的，本申请一方面采用如下技术方案：一种LED器件，包括衬底、形成于所述衬底一侧表面的外延结构、N型电极以及P型电极，所述的外延结构包括形成在所述衬底一侧表面上的N型半导体层、形成在所述N型半导体层上的有源层以及形成在所述有源层上的P型半导体层，所述的N型电极形成在所述N型半导体层上除形成所述有源层以外的其余区域中；所述的P型电极形成在所述P型半导体层上；所述的外延结构还包括光学增亮层，所述光学增亮层形成在所述P型半导体层上除形成所述P型电极以外的其余区域中。
[0008]上述技术方案中，优选地，所述的光学增亮层由至少一层BEF层与/或至少一层DBEF层构成；其中，单层所述BEF层和单层所述DBEF层的厚度均为10
‑
230um。进一步优选，所述的光学增亮层由两层正交分布的所述BEF层叠合构成。或者进一步优选，所述的光学增亮层由单层所述BEF层和单层所述DBEF层叠合而成。
[0009]上述优选技术方案中，还可以优选，单层所述BEF层的厚度为10
‑
230um。
[0010]上述优选技术方案中，还可以优选，所述BEF层的出光面具有若干个微棱镜结构，相邻两个所述微棱镜结构的间距值为1~150um。进一步优选，相邻两个所述微棱镜结构交接处的顶角为80~120
°
。
[0011]上述优选技术方案中，还可以优选，所述BEF层由N值为1.35
‑
1.75的材料构成。更进一步优选，所述的材料为高透明有机胶。或者更进一步优选，所述BEF层由所述材料通过
依次进行的涂布、曝光、显影、剥离的工艺进行图形化制作而成。
[0012]上述优选技术方案中，还可以优选，所述DBEF层由至少两种高低折射率的无机或有机材料交替生长而成；其中，单层无机或有机材料的厚度0.5~30nm，无机或有机材料生长时交替的总层数为20
‑
2000。更进一步优选，所述DBEF层由所述的无机或有机材料通过PECVD、溅射、涂布中的一种工艺进行交替生长而成。
[0013]为了实现上述申请的目的，本申请另一方面采用如下技术方案：一种LED显示装置，其包括若干个如上述技术方案或优选技术方案中任意一项所述的LED器件。
[0014]本申请与现有技术相比获得如下有益效果：本案的LED器件以及LED显示装置，通过在外延结构中增设光学增亮层，其可以显著提升LED器件的亮度，从而达到提高LED器件效率的效果。
附图说明
[0015]附图1为本申请的LED器件的层结构示意图；
[0016]附图2为本申请实施例1中的BEF层结构示意图；
[0017]附图3为本申请实施例2中的DBEF层结构示意图。
具体实施方式
[0018]为详细说明申请的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对申请的各种示例性实施例或实施方式的详细说明。然而，各种示例性实施例也可以在没有这些具体细节或者在一个或更多个等同布置的情况下实施。此外，各种示例性实施例可以不同，但不必是排他的。例如，在不脱离申请构思的情况下，可以在另一示例性实施例中使用或实现示例性实施例的具体形状、构造和特性。
[0019]除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实现申请构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离申请构思的情况下，不同实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
[0020]在附图中，为了清楚性和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以不同地实施时，可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
[0021]当诸如层的元件被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。
[0022]虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
[0023]为了描述性目的，可以在此使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“在
……
下”、“下”、“在
……
上方”、“上”、“在
……
之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件与另一(其它)元件的关系。空间相对术语意图包括设备在使用、操作和/或制造中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在
……
下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，如此，相应地解释在此使用的空间相对描述语。
[0024]在此使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED器件，包括衬底、形成于所述衬底一侧表面的外延结构、n型电极以及P型电极，所述的外延结构包括形成在所述衬底一侧表面上的n型半导体层、形成在所述n型半导体层上的有源层以及形成在所述有源层上的p型半导体层，所述的n型电极形成在所述n型半导体层上除形成所述有源层以外的其余区域中；所述的P型电极形成在所述P型半导体层上；其特征在于：所述的外延结构还包括光学增亮层，所述光学增亮层形成在所述P型半导体层上除形成所述P型电极以外的其余区域中。2.根据权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述的光学增亮层由至少一层BEF层与/或至少一层DBEF层构成；其中，单层所述BEF层和单层所述DBEF层的厚度均为10
‑
230um。3.根据权利要求2所述的LED器件，其特征在于，所述的光学增亮层由两层正交分布的所述BEF层叠合构成。4.根据权利要求2所述的LED器件，其特征在于，所述的光学增亮层由单层所述BEF层和单层所述DBEF层叠合而成。5.根据权利要求2所述的LED器件，其特征在于，所述BEF层的出光面具有若干个微棱镜结构，相邻两个所述微棱镜结...

【专利技术属性】
技术研发人员：籍亚男，岳大川，
申请(专利权)人：深圳市奥视微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：