半导体元件以及半导体元件的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体元件以及半导体元件的封装结构。半导体元件包括第一半导体层以及绝缘层。第一半导体层具有第一表面。绝缘层直接接触一部分的第一表面且具有第一侧壁及第二侧壁。第一侧壁相对于第一表面倾斜一第一角度θ1，第二侧壁相对于第一表面倾斜第二角度θ2，第一角度θ1不同于第二角度θ2且第一角度θ1及第二角度θ2均不等于90

【技术实现步骤摘要】
半导体元件以及半导体元件的封装结构


[0001]本技术涉及一种半导体元件，且特别是涉及一种半导体发光元件，例如发光二极管(Light emitting diode，LED)。

技术介绍

[0002]半导体元件的用途十分广泛，相关材料的开发研究也持续进行。举例来说，包含三族及五族元素的III
‑
V族半导体材料可用于各种光电半导体元件如发光二极管、激光二极管(Laser diode，LD)、光电检测器或太阳能电池(Solarcell)等，或者可以是例如开关或整流器的功率元件，而能应用于照明、医疗、显示、通讯、感测、电源系统等领域。作为半导体发光元件之一的发光二极管具有耗电量低、反应速度快、体积小、工作寿命长等优点，因此大量被应用于各种领域。

技术实现思路

[0003]本技术的一目的为提供一种半导体元件以及半导体元件的封装结构，其在光取出效率等光电特性以及生产效率和稳定性方面可获得改善。
[0004]为达上述目的，本技术提供一种半导体元件，包括第一半导体层以及绝缘层。第一半导体层具有第一表面，第一表面具有第一部分。绝缘层直接接触第一部分且具有第一侧壁及第二侧壁。第一侧壁相对于第一表面倾斜一第一角度θ1，第二侧壁相对于第一表面倾斜第二角度θ2，第一角度θ1不同于第二角度θ2且第一角度θ1及第二角度θ2均不等于90
°
。
[0005]根据一实施例，该半导体元件还包含发光叠层，其具有第二表面，且该第一半导体层及该绝缘层位于该第二表面。
[0006]根据一实施例，该绝缘层直接接触该第二表面。
[0007]根据一实施例，该第一半导体层具有第三侧壁以及第四侧壁，且该绝缘层连续分布于该第二表面的一部分、该第一表面的一部分、该第三侧壁以及该第四侧壁。
[0008]根据一实施例，该第一半导体层具有第三侧壁以及第四侧壁，且该第三侧壁与该发光叠层之间具有第三角度θ3大于90
°
，该第四侧壁与该发光叠层之间具有第四角度θ4大于90
°
。
[0009]根据一实施例，该第三侧壁以及该第四侧壁完全被绝缘层遮盖。
[0010]根据一实施例，该第一角度θ1大于该第二角度θ2。
[0011]根据一实施例，该第一角度θ1小于90
°
且该第二角度θ2小于90
°
。
[0012]根据一实施例，该第一角度θ1大于90
°
且该第二角度θ2小于90
°
。
[0013]根据一实施例，该第一角度θ1大于90
°
且该第二角度θ2大于90
°
。
[0014]根据一实施例，该第一角度θ1小于该第二角度θ2。
[0015]根据一实施例，该第一角度θ1小于90
°
且该第二角度θ2大于90
°
。
[0016]根据一实施例，该第一角度θ1小于90
°
且该第二角度θ2小于90
°
。
[0017]根据一实施例，该第一角度θ1大于90
°
且该第二角度θ2大于90
°
。
[0018]根据一实施例，该绝缘层还具有第三表面及第四表面，该第一侧壁延伸于该第一表面与该第三表面之间且该第一角度θ1大于90
°
。
[0019]根据一实施例，该第一半导体层包含二元III
‑
V族半导体材料。
[0020]根据一实施例，该半导体元件还包含第一电极，位于该发光叠层上，且该第一电极与该第一半导体层在垂直方向上不重叠。
[0021]根据一实施例，该第一电极包含电极垫及多个延伸电极连接于该电极垫。
[0022]根据一实施例，该绝缘层与该电极垫在该垂直方向上不重叠。
[0023]根据一实施例，该第一半导体层的剖面呈倒梯形。
[0024]根据一实施例，该半导体元件还包含第二半导体层，位于该第一半导体层或该绝缘层与该发光叠层之间。
[0025]根据一实施例，该第二半导体层包括彼此分离的第一部分以及第二部分，且该第二部分具有阶梯状结构。
[0026]根据一实施例，该发光叠层包含第一半导体结构，且该第一半导体结构具有粗化结构。
[0027]根据一实施例，该半导体元件还包含导电层，直接接触该第一半导体层及该绝缘层。
[0028]根据一实施例，该半导体元件还包含第二半导体层，位于该第一半导体层或该绝缘层与该发光叠层之间，且该第二半导体层有一部分与该导电层直接接触。
[0029]本技术又提供一种半导体元件的封装结构，包含载体以及如上述的半导体元件，该半导体元件位于载体上。
[0030]本技术的优点在于，提供的一种半导体元件以及半导体元件的封装结构，其结构设计有助于改善如光取出效率等光电特性，在生产效率及稳定性方面也可获得改善。本技术的半导体元件或半导体封装结构可应用于照明、医疗、显示、通讯、感测、电源系统等领域的产品，例如灯具、监视器、手机、平板计算机、车用仪表板、电视、计算机、穿戴装置(如手表、手环、项链等)、交通号志、户外显示器、医疗器材等。
附图说明
[0031]图1为本技术一实施例的半导体元件的剖面结构及局部放大示意图；
[0032]图2A至图2C分别为本技术一实施例的半导体元件的局部剖面结构示意图；
[0033]图3为本技术一实施例的半导体元件的结构上视示意图。
[0034]图4为本技术一实施例的半导体元件的剖面结构示意图。
[0035]图5为本技术一实施例的半导体元件的剖面结构示意图。
[0036]图6为本技术一实施例的半导体元件的剖面结构示意图。
[0037]图7为本
技术实现思路
一实施例的半导体元件的封装结构示意图。
[0038]符号说明
[0039]10、20、20
’
、20”、60：半导体元件
[0040]100：发光叠层
[0041]100a：第一半导体结构
[0042]100b：第二半导体结构
[0043]100c：活性结构
[0044]101：接触结构
[0045]102：第一半导体层
[0046]104：绝缘层
[0047]104a：第一区域
[0048]104b：第二区域
[0049]106：第一电极
[0050]108：导电层
[0051]110：反射层
[0052]112：接合层
[0053]114：基底
[0054]116：第二电极
[0055]118：第二半导体层
[0056]118a：第一部分
[0057]118b：第二部分
[0058]600：封装结构
[0059]61：封装基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：第一半导体层，具有第一表面，该第一表面具有第一部分；以及绝缘层，直接接触该第一部分且具有第一侧壁及第二侧壁；其中，该第一侧壁相对于该第一表面倾斜第一角度θ1，该第二侧壁相对于该第一表面倾斜第二角度θ2，该第一角度θ1不同于该第二角度θ2且该第一角度θ1及该第二角度θ2均不等于90
°
。2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体元件还包含发光叠层，其具有第二表面，且该第一半导体层及该绝缘层位于该第二表面。3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，该绝缘层直接接触该第二表面。4.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，该第一半导体层具有第三侧壁以及第四侧壁，且该绝缘层连续分布于该第二表面的一部分、该第一表面的一部分、该第三侧壁以及该第四侧壁。5.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，该第一半导体层具有第三侧壁以及第四侧壁，且该第三侧壁与该发光叠层之间具有第三角度θ3大于90
°
，该第四侧壁与该发光叠层之间具有第四角度θ4大于90
°
。6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该第三侧壁以及该第四侧壁完全被绝缘层遮盖。7.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一角度θ1大于该第二角度θ2。8.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，该第一角度θ1小于90
°
且该第二角度θ2小于90
°
。9.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，该第一角度θ1大于90
°
且该第二角度θ2小于90
°
。10.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，该第一角度θ1大于90
°
且该第二角度θ2大于90
°
。11.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一角度θ1小于该第二角度θ2。12.如权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，该第一角度θ1小于90
°

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏成，陈鼎尧，吴振铨，伍金记，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：