发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法技术方案

本发明专利技术公开一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。芯片移转系统包括液体容置槽、承载基板及连接层移除模块。多个发光二极管芯片结构随机分布在液态物质内。发光二极管芯片结构通过承载基板的黏附以从液体容置槽移转到黏着基板上，再从黏着基板移转到电路基板上。连接层移除模块设置在多个发光二极管芯片结构的上方。每一发光二极管芯片结构包括发光二极管芯片、金属材料层及连接于发光二极管芯片与金属材料层间的可移除式连接层。借此，发光二极管芯片结构能通过承载基板与黏着基板的配合从液体容置槽移转到电路基板上，且可移除式连接层能通过连接层移除模块被移除，所以金属材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。而脱离发光二极管芯片。而脱离发光二极管芯片。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法


[0001]本专利技术涉及一种芯片结构以及芯片移转系统与方法，特别是涉及一种发光二极管芯片结构以及发光二极管芯片移转系统与方法。

技术介绍

[0002]发光二极管芯片(LED chip)通常利用吸嘴(nozzle)，以从一附加电路板上移转到一电路板上，但是此种芯片移转方式仍具有可改善空间。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。
[0004]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是提供一种发光二极管芯片结构，其包括：一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一金属材料层。所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点。所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上。所述金属材料层设置在所述可移除式连接层上。其中，所述可移除式连接层连接于所述发光二极管芯片与所述金属材料层之间，以使得当所述可移除式连接层被移除后，所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。
[0005]进一步地，所述发光二极管芯片为无基底的微发光二极管，其包括一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个所述侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个所述侧面、所述可移除式连接层的多个所述侧面以及所述金属材料层的多个所述侧面都是切割面。
[0006]进一步地，所述发光二极管芯片为次毫米发光二极管，其包括一基底、设置在所述基底上的一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个所述侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个所述侧面、所述可移除式连接层的多个所述侧面以及所述金属材料层的多个所述侧面都是切割面。
[0007]进一步地，所述发光二极管芯片结构设置在一承载基板上，且所述承载基板包括承载有多个热熔材料层的一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器；其中，当多个所述微加热器分别对多个所述热熔材料层加热时，所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被黏附于相对应的所述热熔材料层，以定位所述发光二极管芯片结构
相对于所述承载本体的位置。
[0008]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案是提供一种芯片移转系统，其包括：一液体容置槽、一承载基板以及一连接层移除模块。所述液体容置槽内容置有一液态物质，多个发光二极管芯片结构随机分布在所述液态物质内。所述承载基板可移动地放置在所述液体容置槽内或者离开所述液体容置槽，所述承载基板包括承载有多个热熔材料层的一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器，所述发光二极管芯片结构通过所述承载基板的黏附以从所述液体容置槽移转到一黏着基板上，然后所述发光二极管芯片结构再从所述黏着基板移转到一电路基板上。所述连接层移除模块设置在多个所述发光二极管芯片结构的上方。其中，每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一金属材料层，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上，所述金属材料层设置在所述可移除式连接层上。
[0009]进一步地，当所述承载基板置入所述液体容置槽后，多个所述热熔材料层分别通过多个所述微加热器的加热而熔化，且每一所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被相对应的所述热熔材料层所黏附；其中，当所述承载基板离开所述液体容置槽后，被所述热熔材料层所黏附的所述发光二极管芯片结构通过所述承载本体的承载以移转到所述黏着基板的一黏着层上，然后所述发光二极管芯片结构再从所述黏着基板的所述黏着层移转到所述电路基板上；其中，当所述发光二极管芯片通过两个所述电极接点以电性连接于所述电路基板后，所述可移除式连接层通过所述连接层移除模块而被移除，以使得所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。
[0010]进一步地，所述承载基板包括多个电源控制开关，多个所述电源控制开关分别电性连接于多个所述微加热器，且每一所述微加热器通过相对应的所述电源控制开关的开启，以对相对应的所述热熔材料层进行加热；其中，多个所述微加热器排列成一矩阵，且每一所述微加热器可移动地设置在所述承载本体上，以使得相邻的任意两个所述热熔材料层之间的间距为可调整的；其中，所述可移除式连接层为一光阻层，且所述连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备。
[0011]进一步地，所述承载基板包括一电源控制开关，所述电源控制开关电性连接于多个所述微加热器，且多个所述微加热器通过所述电源控制开关的开启，以分别对多个所述热熔材料层进行加热；其中，多个所述微加热器排列成一矩阵，且每一所述微加热器可移动地设置在所述承载本体上，以使得相邻的任意两个所述热熔材料层之间的间距为可调整的；其中，所述可移除式连接层为一光阻层，且所述连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备。
[0012]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外再一技术方案是提供一种芯片移转方法，其包括：首先，将多个发光二极管芯片结构随机分布在一液体容置槽的一液态物质内，每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一金属材料层以及连接于所述发光二极管芯片与所述金属材料层之间的一可移除式连接层；接着，通过一承载基板的黏附，以将所述发光二极管芯片结构从所述液体容置槽移转到一黏着基板上；接下来，通过一连接层移除模块，以移除所述可移除式连接层，并使得所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片；紧接着，将所述发光二极管芯片结构从所述黏着基板移转到一电路基板上；然后，
将所述发光二极管芯片电性连接于所述电路基板。
[0013]进一步地，所述承载基板包括承载有多个热熔材料层一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器，且所述承载基板可移动地放置在所述液体容置槽内或者离开所述液体容置槽；其中，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上，且所述发光二极管芯片的两个所述电极接点分别通过两个锡球以电性连接于所述电路基板；其中，所述可移除式连接层为一光阻层，且所述连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备；其中，当所述承载基板置入所述液体容置槽后，多个所述热熔材料层分别通过多个所述微加热器的加热而熔化，且每一所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被相对应的所述热熔材料层所黏附；其中，当所述承载基板离开所述液体容置槽后，被所述热熔材料层所黏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片结构包括：一发光二极管芯片，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点；一可移除式连接层，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上；以及一金属材料层，所述金属材料层设置在所述可移除式连接层上；其中，所述可移除式连接层连接于所述发光二极管芯片与所述金属材料层之间，以使得当所述可移除式连接层被移除后，所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为无基底的微发光二极管，其包括一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个侧面、所述可移除式连接层的多个侧面以及所述金属材料层的多个侧面都是切割面。3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为次毫米发光二极管，其包括一基底、设置在所述基底上的一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个侧面、所述可移除式连接层的多个侧面以及所述金属材料层的多个侧面都是切割面。4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片结构设置在一承载基板上，且所述承载基板包括承载有多个热熔材料层的一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器；其中，当多个所述微加热器分别对多个所述热熔材料层加热时，所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被黏附于相对应的所述热熔材料层，以定位所述发光二极管芯片结构相对于所述承载本体的位置。5.一种芯片移转系统，其特征在于，所述芯片移转系统包括：一液体容置槽，所述液体容置槽内容置有一液态物质，多个发光二极管芯片结构随机分布在所述液态物质内；一承载基板，所述承载基板可移动地放置在所述液体容置槽内或者离开所述液体容置槽，所述承载基板包括承载有多个热熔材料层的一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器，所述发光二极管芯片结构通过所述承载基板的黏附以从所述液体容置槽移转到一黏着基板上，然后所述发光二极管芯片结构再从所述黏着基板移转到一电路基板上；以及一连接层移除模块，所述连接层移除模块设置在多个所述发光二极管芯片结构的上方；其中，每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及
一金属材料层，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上，所述金属材料层设置在所述可移除式连接层上。6.根据权利要求5所述的芯片移转系统，其特征在于，当所述承载基板置入所述液体容置槽后，多个所述热熔材料层分别通过多个所述微加热器的加热而熔化，且每一所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被相...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖建硕，
申请(专利权)人：台湾爱司帝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：