检测发光装置的异常状态的检测装置制造方法及图纸

技术编号:3036186 阅读:142 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术披露一种检测一发光装置的异常状态的检测装置。该发光装置包含至少一个发光二极管并且具有一高电位(potential)端。该检测装置包含一第一开关电路以及一第二开关电路。该第一开关电路电连接于一供电电源端与该发光装置的该高电位端之间。该第一开关电路中的一第一开关回应该供电电源端与该高电位端间的一电位差而开启或关闭。该第二开关电路电连接于该第一开关与一参考电源端之间。该第二开关电路中的一第二开关回应该第一开关的开启而开启,致使该第二开关电路进而输出一检测电压。该检测电压即代表该发光装置的异常状态。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

Detection device for detecting abnormal state of light emitting device

The utility model discloses a detection device for detecting the abnormal state of a light emitting device. The light emitting device includes at least one light emitting diode and has a high potential (potential) end. The detection device comprises a first switching circuit and a second switching circuit. The first switch circuit is electrically connected between the power supply end and the high potential end of the light emitting device. A first switch in the first switching circuit turns on or off by a potential difference between the power supply end and the high potential terminal. The second switching circuit is electrically connected between the first switch and a reference power supply end. A second switch back of the second switch circuit is opened and opened by the first switch, so that the switching circuit of the second switch outputs a detection voltage. The detection voltage represents the abnormal state of the light emitting device.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种检测装置,特别是涉及一种用以检测包含至少一个 发光二极管的 一发光装置的异常状态的检测装置。
技术介绍
目前为止,冷阴极灯管(cold cathode fluorescent lamp, CCFL)广泛 应用于大尺寸LCD、 LCD TV、扫描仪、广告灯箱以及笔记型计算机等电子设 备的背光源。这是因为冷阴极灯管具有灯管细小、结构简单、灯管表面温度 升幅小、灯管表面亮度高、易加工成各种形状、使用寿命长、显色性好以及 发光均匀等优点。然而,发光二极管(light-emitting diode, LED)比冷阴极灯管具有更 省电、寿命更长、色彩饱和度高、反应速度快、耐震耐压与体积小等多项优 点。所以,采用发光二极管灯管作为背光光源,是未来最有希望替代传统冷 阴极荧光管的技术。由于发光二极管灯管是由点光源组成线光源的,因此需使用到多颗发光 二极管。如果发光二极管灯管中的发光二极管发生断路或烧毁,将使得发光 二极管灯管的光线均匀度下降并影响电子设备的使用质量。因此,本技术的主要范畴在于提供一种检测装置,以解决上述问题。
技术实现思路
本技术的一范畴在于提供一种用以检测一发光装置的异常状态的 检测装置。该发光装置包含至少一个发光二极管并且具有一高电位端。在根据本技术的一具体实施例中,该检测装置包含一第一开关电路 以及一第二开关电路。该第一开关电路电连接于一供电电源端与该发光装置 的该高电位端之间。该第一开关电路包含一第一开关,并且该第一开关回应该供电电源端与该高电位端间的一电位差而开启或关闭。该第二开关电路电连接于该第一开关与一参考电源端之间。该参考电源3端供应一参考电压。该第二开关电路包含一第二开关,并且该第二开关回应 该第一开关的开启而开启,致使该第二开关电路进而基于该参考电压输出一 检测电压。该检测电压即代表该发光装置的异常状态。关于本技术的优点与精神可以通过以下的技术详述及附图得到进一步的了解。附图说明图1示出了根据本技术的一具体实施例的检测装置的电路图。 图2示出了由图1中的检测装置所延伸的另一具体实施例的电路图。附图符号说明1:检测装置 10:第一开关电路 14:晶体管 100:第一开关 Vs:供电电源端 Vd:斗企测电压2:发光装置 12:第二开关电路 20:发光二极管 120:第二开关 VR:参考电源端 Vc:控制电压具体实施方式请参考图1。图1示出了根据本技术的一具体实施例的检测装置1 的电路图。检测装置1用以检测发光装置2的异常状态。举例而言,发光装 置2可以是LCD、 LCD TV、扫描仪、广告灯箱、笔记型计算机等的背光源。 发光装置2包含至少一个发光二极管20,并且该异常状态可以指发光装置2 中的发光二极管20断路或烧毁。如图1所示,发光装置2可以包含多个发光二极管20并且具有一高电 位端。检测装置l包含第一开关电路10以及第二开关电路12。第一开关电 路10电连接于一供电电源端Vs与发光装置2的该高电位端之间。第一开关 电^各10包含第一开关100,并且第一开关100回应该供电电源端Vs与该高 电位端间的一电位差而开启或关闭。在实际应用中,第一开关100可以是一金属氧化物半导体场效晶体管 (metal—oxide—semiconductor field—effect transistor, MOSFET )或一双接面晶体管(bipolar junction transistor, BJT),但不以此为P艮。第二开关电路12电连接于第一开关100与参考电源端VR之间。参考电 源端VR供应一参考电压。第二开关电路12包含第二开关120,并且第二开 关120回应第一开关100的开启而开启,致使第二开关电路12进而基于该 参考电压输出检测电压Vd。检测电压Vd可以代表发光装置2的异常状态。在实际应用中,第二开关120可以是一金属氧化物半导体场效晶体管、 一双接面晶体管或一光耦合器(photo co叩ler),但不以此为限。如图l所示,在此实施例中,第一开关100可以是一PM0S晶体管,并 且第二开关120可以是一光耦合器。节点A代表发光装置2的该高电位端, 并且节点B代表PM0S晶体管的源极。当发光装置2中的每一个发光二极管20在正常工作时,节点A的电压 小于节点B的电压。因此,该PM0S晶体管会导通,并且该光耦合器也跟着 导通。此时,该光耦合器输出第一检测电压Vd。第一检测电压Vd即代表发 光装置2处于正常工作状态。当发光装置2中的任一个发光二极管20断路或烧毁时,节点A的电压 会等于节点B的电压。因此,该PMOS晶体管会截止,并且该光耦合器也跟 着截止。此时,该光耦合器输出第二检测电压Vd。第二检测电压Vd即代表 发光装置2发生异常状态。请参考图2。图2示出了由图1中的检测装置1所延伸的另一具体实施 例的电路图。如图2所示,该光耦合器所产生的检测电压Vd可以输出至一 晶体管14的一端点。在实际应用中,晶体管14可以是一金属氧化物半导体 场效晶体管14或一双接面晶体管14。在此实施例中,晶体管14可以是一 画0S晶体管14,并且该端点是丽0S 晶体管14的栅极(Gate)。由于第二检测电压Vd代表发光装置2发生异常状态,假设该光耦合器 输出第二检测电压Vd至画0S晶体管14的栅极,根据第二检测电压Vd,画0S 晶体管14会输出一相对应的控制电压Vc至一保护电路(未显示于图2中)。当该保护电鴻4妄收到控制电压Vc后,该保护电路可以将供应发光装置 2的供电电源端Vs关闭以避免更多发光二极管20受损。或者,该保护电路 可以发出一警告讯号,以告知使用者发光装置2发生异常状态。在实际应用 中,该保护电路的功用可依实际需求而设计,但不以此为限。相较于现有技术,根据本技术的检测装置可以检测LCD或笔记型计算机中的由发光二极管所构成的背光源是否发生异常状态。针对该异常状 态,根据本技术的检测装置也可以搭配一保护电路以保护该背光源,进 而确保应用该背光源的电子设备的使用质量。通过以上较佳具体实施例的详述,希望能更加清楚描述本技术的特 征与精神,而并非以上述所披露的较佳具体实施例来对本技术的范畴加 以限制。相反地,其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本实用 新型的权利要求的范畴内。因此,本技术的权利要求的范畴应该根据上 述的说明作最宽广的解释,以致使其涵盖所有可能的改变以及具相等性的安本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测一发光装置的异常状态的检测装置,该发光装置包含至少一个发光二极管并且具有一高电位端,其特征是,该检测装置包含:一第一开关电路,该第一开关电路电连接于一供电电源端与该发光装置的该高电位端之间,该第一开关电路包含一第一开关,并且该第一开关回应该供电电源端与该高电位端间的一电位差而开启或关闭;以及  一第二开关电路,该第二开关电路电连接于该第一开关与一参考电源端的间,该参考电源端供应一参考电压,该第二开关电路包含一第二开关,该第二开关回应该第一开关的开启而开启,致使该第二开关电路进而基于该参考电压输出一检测电压,其中该检测电压即代表该发光装置的异常状态。

【技术特征摘要】
1.一种检测一发光装置的异常状态的检测装置,该发光装置包含至少一个发光二极管并且具有一高电位端,其特征是,该检测装置包含一第一开关电路,该第一开关电路电连接于一供电电源端与该发光装置的该高电位端之间,该第一开关电路包含一第一开关,并且该第一开关回应该供电电源端与该高电位端间的一电位差而开启或关闭;以及一第二开关电路,该第二开关电路电连接于该第一开关与一参考电源端的间,该参考电源端供应一参考电压,该第二开关电路包含一第二开关,该第二开关回应该第一开关的开启而开启,致使该第二开关电路进而基于该参考电压输出一检测电压,其中该检测电压即代表该发光装置的异常状态。2. 如权利要求1所述的检测装置,其特征是,其中该第一开关为一金属 氧化物半导体场效晶体管或一双接面晶体管。3. 如权利要求2所述的检测装置...

【专利技术属性】
技术研发人员:张洪德谢景昌吴明彦
申请(专利权)人:达方电子股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利