灯板及灯板制作方法技术

本发明专利技术关于一种灯板及灯板制作方法，灯板包含基板

【技术实现步骤摘要】
灯板及灯板制作方法


[0001]本专利技术涉及一种灯板及灯板制作方法，尤其涉及一种使用烧结的纳米金属层作为焊垫的灯板及其制作方法
。

技术介绍

[0002]有些发光键盘使用柔性印刷电路板
(Flexible Printed Circuit
，
FPC)
承载发光二极管
(Light
‑
Emitting Diode
，
LED)
以作为其背光光源
。
一般
FPC
制程是在高分子基材上形成铜线路，再将
LED
焊接到铜线路，以构成灯板
。
由于铜线路制程采湿式黄光蚀刻制程，制程工序复杂，造成制程与材料成本过高
。

技术实现思路

[0003]鉴于先前技术中的问题，本专利技术一目的在于提供一种灯板，于其焊垫区上使用烧结的纳米金属层，有助于焊接层与焊垫区之间的连接
。
[0004]根据本专利技术的一方面，本专利技术提出一种灯板，包含：
[0005]基板；
[0006]导线，位于该基板上，该导线具有焊垫区；
[0007]烧结的纳米金属层，位于该焊垫区上；
[0008]焊接层，位于该烧结的纳米金属层上；以及
[0009]发光件，固定于该焊接层上
。
[0010]作为可选的技术方案，该烧结的纳米金属层包含烧结的银纳米颗粒
、
烧结的铜纳米颗粒
、
烧结的镍纳米颗粒
、
烧结的金纳米颗粒或烧结的锡纳米颗粒
。
[0011]作为可选的技术方案，该烧结的纳米金属层包含烧结的多个金属纳米颗粒，该多个金属纳米颗粒的粒径在
10
纳米至
1000
纳米的范围内或该多个金属纳米颗粒的平均粒径在
50
纳米至
800
纳米的范围内
。
[0012]作为可选的技术方案，该烧结的纳米金属层包含多个烧结颈
。
[0013]作为可选的技术方案，该基板为聚对苯二甲酸乙二酯
、
聚酰亚胺
、
双马来酰亚胺三嗪或聚甲基丙烯酸甲酯的高分子基板
。
[0014]作为可选的技术方案，该基板为
IC
载板
。
[0015]作为可选的技术方案，该焊接层包含锡铋共化物
、
锡铋银共化物或锡银铜共化物
。
[0016]作为可选的技术方案，该导线包含固化的银浆
。
[0017]作为可选的技术方案，该导线的厚度在2微米至
30
微米的范围内
。
[0018]作为可选的技术方案，该烧结的纳米金属层的厚度在
0.5
微米至
30
微米的范围内
。
[0019]作为可选的技术方案，该焊接层的厚度在2微米至
50
微米的范围内
。
[0020]本专利技术之另一目的在于提供一种灯板制作方法，于其焊垫区上使用烧结的纳米金属层，其能与锡膏稳固连接
。
[0021]根据本专利技术的另一方面，本专利技术还提出一种灯板制作方法，包含下列步骤：
[0022](a)
提供基板；
[0023](b)
于该基板上形成导线，该导线具有焊垫区；
[0024](c)
于该焊垫区上形成烧结的纳米金属层；
[0025](d)
于该烧结的纳米金属层上形成锡膏层；
[0026](e)
将发光件放置于该锡膏层上；以及
[0027](f)
对该锡膏层实施回焊
。
[0028]作为可选的技术方案，步骤
(b)
由下列步骤实施：
[0029]使用银浆以在该基板上形成银浆线路；以及
[0030]固化该银浆线路以于该基板上形成该导线
。
[0031]作为可选的技术方案，步骤
(c)
由下列步骤实施：
[0032]于该焊垫区上涂覆纳米金属层；以及
[0033]烧结该纳米金属层以形成该烧结的纳米金属层
。
[0034]作为可选的技术方案，该烧结的温度在
100
摄氏度至
300
摄氏度的范围内
。
[0035]作为可选的技术方案，该纳米金属层包含银纳米颗粒
、
铜纳米颗粒
、
镍纳米颗粒
、
金纳米颗粒或锡纳米颗粒
。
[0036]作为可选的技术方案，该纳米金属层包含多个金属纳米颗粒，该多个金属纳米颗粒的粒径在
10
纳米至
1000
纳米的范围内或该多个金属纳米颗粒的平均粒径在
50
纳米至
800
纳米的范围内
。
[0037]综上所述，于灯板中，烧结的纳米金属层与导线的焊垫区有较佳的结合度，烧结的纳米金属层可作为焊垫，使得焊接层可通过烧结的纳米金属层与导线电性连接
。
藉此，灯板的导线可采用简便的方式形成，例如印刷银浆线路并固化之，此相对于目前以蚀刻制程制作
FPC
上的线路而言，具有制程简单，制程与材料成本较低等优势
。
[0038]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定
。
附图说明
[0039]图1为根据第一实施例的灯板的剖面图；
[0040]图2为根据第二实施例的灯板制作方法的流程图；
[0041]图3为根据该灯板制作方法提供的基板的示意图；
[0042]图4为根据该灯板制作方法于该基板上形成导线后的示意图；
[0043]图5为根据该灯板制作方法于该导线的焊垫区上形成烧结的纳米金属层后的示意图；
[0044]图6为根据该灯板制作方法于该烧结的纳米金属层上形成一锡膏层后的示意图；
[0045]图7为根据该灯板制作方法于该锡膏层上放置发光件后的示意图；
[0046]图8为根据该灯板制作方法于回焊后的
SEM
图
。
具体实施方式
[0047]请参阅图
1。
图1为根据第一实施例的灯板1的剖面图，灯板1包含基板
12、
两根导线
14、
两个烧结的纳米金属层
16、
两个焊接层
18
及发光件
20。
导线
14
位于基板
12
上
。
每根导线
14
各自具有一焊垫区
142。
该两个烧结的纳米金属层
16
分别位于该两个焊垫区
142
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种灯板，其特征在于，包含：基板；导线，位于该基板上，该导线具有焊垫区；烧结的纳米金属层，位于该焊垫区上；焊接层，位于该烧结的纳米金属层上；以及发光件，固定于该焊接层上
。2.
根据权利要求1所述的灯板，其特征在于，该烧结的纳米金属层包含烧结的银纳米颗粒
、
烧结的铜纳米颗粒
、
烧结的镍纳米颗粒
、
烧结的金纳米颗粒或烧结的锡纳米颗粒
。3.
根据权利要求1所述的灯板，其特征在于，该烧结的纳米金属层包含烧结的多个金属纳米颗粒，该多个金属纳米颗粒的粒径在
10
纳米至
1000
纳米的范围内或该多个金属纳米颗粒的平均粒径在
50
纳米至
800
纳米的范围内
。4.
根据权利要求1所述的灯板，其特征在于，该烧结的纳米金属层包含多个烧结颈
。5.
根据权利要求1所述的灯板，其特征在于，该基板为聚对苯二甲酸乙二酯
、
聚酰亚胺
、
双马来酰亚胺三嗪或聚甲基丙烯酸甲酯的高分子基板
。6.
根据权利要求1所述的灯板，其特征在于，该基板为
IC
载板
。7.
根据权利要求1所述的灯板，其特征在于，该焊接层包含锡铋共化物
、
锡铋银共化物或锡银铜共化物
。8.
根据权利要求1所述的灯板，其特征在于，该导线包含固化的银浆
。9.
根据权利要求1所述的灯板，其特征在于，该导线的厚度在2微米至
30
微米的范围内
。10.
根据权利要求9所述的灯板，其特征在于，该烧结的纳米金属层的厚度在
0.5
微米至
30
微米的范围内
。11.
根据权利要求
10
所述的灯板，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈在宇，郑鸿川，黄恒仪，何信政，
申请(专利权)人：达方电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：