晶圆厚度的测量方法及其测量装置制造方法及图纸

本申请提供了一种晶圆厚度的测量方法及其测量装置。该晶圆厚度的测量方法包括：利用干涉仪获取晶圆的第一表面的形貌图，以根据形貌图获取晶圆的损失体积V

【技术实现步骤摘要】
晶圆厚度的测量方法及其测量装置


[0001]本申请涉及晶圆厚度测量
，具体涉及一种晶圆厚度的测量方法及其测量装置。

技术介绍

[0002]随着电子时代的快速发展，半导体行业成为研究重点。由于晶圆是制造半导体芯片的基本材料，因而晶圆的几何参数如晶圆的厚度、形状和平整度等对晶圆的质量起着至关重要的作用。其中，如何精确地获取晶圆的厚度，是目前亟需解决的技术问题。
[0003]然而，由于晶圆的制备工艺如晶圆磨削过程等的影响，晶圆表面不同位置处厚度存在偏差，这使得难以精准地获取晶圆的厚度。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例致力于提供一种晶圆厚度的测量方法及其测量装置，以减少晶圆厚度的测量误差。
[0005]本申请的第一方面提供了一种晶圆厚度的测量方法。该晶圆厚度的测量方法包括：利用干涉仪获取晶圆的第一表面的形貌图，以根据形貌图获取晶圆的损失体积V
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，其中，晶圆的损失体积V
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为晶圆相对于晶圆对应的标准晶圆所失去的体积；针对位于卡盘上方的晶圆利用干涉仪获取晶圆和卡盘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆厚度的测量方法，其特征在于，包括：利用干涉仪获取晶圆的第一表面的形貌图，以根据所述形貌图获取所述晶圆的损失体积V
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，其中，所述晶圆的损失体积V
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为所述晶圆相对于所述晶圆对应的标准晶圆所失去的体积；针对位于卡盘上方的所述晶圆利用所述干涉仪获取所述晶圆和所述卡盘对应的干涉强度图或干涉条纹图，以根据所述干涉强度图或所述干涉条纹图获取所述晶圆的表面面积A0并根据所述V
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和所述A0结合所述晶圆的体积V获取所述晶圆的厚度T0，其中，所述晶圆的表面面积A0小于所述卡盘的表面面积A
卡盘
。2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述利用干涉仪获取晶圆的第一表面的形貌图，以根据所述形貌图获取所述晶圆的损失体积V
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，包括：利用所述干涉仪获取所述晶圆的第一表面的形貌图；根据所述形貌图获取所述晶圆的边缘的高度变化线，以根据所述高度变化线获取所述晶圆的损失体积V
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，其中，所述晶圆的边缘为所述晶圆上与所述晶圆的轴线之间的距离大于预设值P对应的区域。3.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述根据所述形貌图获取所述晶圆的边缘的高度变化线，以根据所述高度变化线获取所述晶圆的损失体积V
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，包括：根据所述形貌图获取所述晶圆的边缘的高度变化线对应的第一半径R1、斜率K或弯曲度C；根据所述第一半径R1、所述斜率K或所述弯曲度C获取所述晶圆的损失体积V
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。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的测量方法，其特征在于，所述针对位于卡盘上的所述晶圆利用所述干涉仪获取所述晶圆和所述卡盘对应的干涉强度图或干涉条纹图，以根据所述干涉强度图或所述干涉条纹图获取所述晶圆的表面面积A0并根据所述V
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和所述A0结合所述晶圆的体积V获取所述晶圆的厚度T0，包括：针对位于所述卡盘上的所述晶圆利用所述干涉仪获取所述晶圆和所述卡盘对应的干涉强度图或干涉条纹图；根据所述干涉强度图或所述干涉条纹图确定所述晶圆的半径R0；根据所述晶圆的半径R0计算得到所述晶圆的表面面积...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐寿鸿，曾安，陈建强，
申请(专利权)人：南京中安半导体设备有限责任公司，
类型：发明
国别省市：