高电位梯度压敏电阻片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高电位梯度压敏电阻片的制备方法，该方法经准备电阻片的原料、混合粉料的制备、总浆料的制备、坯体的制备和烧结五大步骤制备得到压敏电阻片；本发明专利技术方法在引入Ga(NO3)3添加剂的同时，引入预煅烧合成工艺，提高了压敏电阻片的电位梯度的同时，也具备优秀的通流能力；本发明专利技术方法简单易行，成本低，适合推广使用。适合推广使用。

【技术实现步骤摘要】
高电位梯度压敏电阻片的制备方法


[0001]本专利技术涉及电阻电气元件领域，具体涉及一种高电位梯度压敏电阻片的制备方法。

技术介绍

[0002]压敏电阻片是一种具有明显的非线性伏安特性的半导体陶瓷电阻。压敏电阻片普遍存在电压阈值，一般称之为临界电压。当外加电压低于临界电压时，通过压敏电阻片的电流很小，压敏电阻片自身内阻很大，当外加电压超过临界电压时，内阻急剧减小，流过压敏电阻片的电流呈指数倍增加。压敏电阻片因此而得到了广泛的应用。
[0003]ZnO压敏电阻片的操作机制是当线路中发生瞬态浪涌时，压敏电阻片的内阻急剧下降并迅速导通，因此有效的保护了设备绝缘免受浪涌电流的侵害。ZnO压敏电阻片的关键指标是电位梯度、残压比以及能量吸收能力。通过增加ZnO压敏电阻片的晶粒尺寸，可以达到提高压敏电阻片阻能量吸收能力的目的，但是这种方式降低了压敏电阻片电位梯度，无法满足超/特高压输电系统对高性能避雷器的要求。
[0004]现有的ZnO压敏电阻片的非线性和能量吸收能力有限，无法很好地满足超/特高压系统深度限值电网过电压的需求，需要开发非线性伏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电位梯度电阻片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：a.按照组分质量百分比计算，采用如下原料配方准备原料：ZnO：84～94wt.％，Bi2O3：1～5wt.％，Sb2O3：1～5wt.％，Ga(NO3)3：0～2wt.％，Cr2O3：0～2wt.％，MnO2：0.5～5wt.％，Co2O3：0.5～5wt.％，SiO2：0.5～3wt.％，含Ag和B的玻璃粉：0.5～3wt.％；b.将在所述步骤a中准备的ZnO、Sb2O3、SiO2、玻璃粉和去离子水混合后，制成第一混合粉体；同时，将在所述步骤a中准备的Bi2O3、Ga(NO3)3、Cr2O3、MnO2、Co2O3与去离子水混合，制成第二混合粉体；c.将在所述步骤b得到第一混合粉体和第二混合粉体与分散剂、粘结剂、去离子水继续进行混合，将混合液处理得到总浆料；d.将在所述步骤c中制备的总浆料进行喷雾造粒，得到造粒料；再向造粒料加入去离子水和脱模剂，混合均匀后过筛，然后对过筛收集的粉料进行陈腐处理得到制坯粉料；将制坯粉料压制成型得到坯体；e.将在所述步骤d中制备的坯体处理得到电阻片坯体，在电阻片坯体表面制备金属电极，得到高电位梯度电阻片。2.根据权利要求1所述高电位梯度电阻片的制备方法，其特征在于：所述步骤b中，第一混合粉体的制备方法如下：i.将在所述步骤a中准备的ZnO、Sb2O3、SiO2、玻璃粉和去离子水混合，球磨，过筛，收集混合浆料，然后将混合浆料烘干后粉碎得到混合粉体；ii.将在所述步骤i中得到的混合粉体进行预煅烧，冷却、粉碎成第一混合粉体。3.根据权利要求2所述高电位梯度电阻片的制备方法，其特征在于：所述步骤i中，球磨时间为8
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12h，筛的目数为120目；烘干温度为100
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120℃。4.根据权利要求2所述高电位梯度电阻片的制备方法，其特征在于：所述步骤ii中，预煅烧温度为700
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900℃，时间为1
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3h。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：万帅，曹伟，谷山强，谭进，刘新，杜雪松，王智凯，刘子皓，
申请(专利权)人：国网电力科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：