金锡烧结的氮气保护装置及具有其的恒温型共晶机制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种金锡烧结的氮气保护装置及具有其的恒温型共晶机。金锡烧结的氮气保护装置包括保护盒、两个输气管、两个分散壳及底片。保护盒的盒体中部设有上下贯穿的通口，在盒体两侧侧壁上各设有一个进气口。输气管分别与一个进气口连通。两个分散壳位于盒体内，并分别临近其中一个进气口。分散壳开设有若干气孔。底片设于盒体外部，底片具有与通口正对的作业口。在金锡烧结时，通口可供芯片通过并被放置在管壳上方，盒体内的两股氮气流从管壳处相遇，并对管壳和芯片提供氮气保护。分散壳上的气孔能够使氮气分散均匀，形成一股平稳氮气流。由于盒体底部设有底片且盒体内的两股氮气流从管壳处相遇，故金锡烧结时能够对管壳和芯片提供氮气保护。芯片提供氮气保护。芯片提供氮气保护。

【技术实现步骤摘要】
金锡烧结的氮气保护装置及具有其的恒温型共晶机


[0001]本专利技术属于微电子组装
，更具体地说，是涉及一种金锡烧结的氮气保护装置及具有其的恒温型共晶机。

技术介绍

[0002]在微电子组装技术中，由于金锡烧结的具有性能好、接头强度高、润湿性好的特点，故多采用金锡共晶的工艺实现对电子器件的组装。但在使用金锡烧结的时，如果在无气氛保护的条件下进行，焊料易被氧化，从而产生焊料堆积的问题以及出现焊接分层的现象，严重影响了焊接质量。
[0003]现有脉冲型共晶机上生产效率比较低。而相对于脉冲型共晶机，恒温型共晶机的生产效率约为脉冲型共晶机的3倍，综合考虑生产效率和设备成本的因素，企业迫切需要通过使用恒温型共晶机来完成金锡烧结的工艺。但因恒温型共晶机加热部位为非密闭结构，即加热部位氧气浓度较高，故易导致在加热过程中焊料氧化严重的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一个目的在于提供了一种可形成平稳氮气流的金锡烧结的氮气保护装置及具有其的恒温型共晶机。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：本专利技术提供了一种金锡烧结的氮气保护装置，用于对管壳和芯片进行金锡烧结时提供氮气保护，包括：
[0006]保护盒，所述保护盒的盒体中部设有上下贯穿的通口，在所述盒体两侧侧壁上各设有一个进气口；
[0007]两个输气管，所述输气管分别与一个所述进气口连通，用于将所述氮气输送至所述盒体内；
[0008]两个分散壳，位于所述盒体内，并分别临近其中一个所述进气口；所述分散壳开设有可供氮气通过的若干气孔，所述气孔能够使氮气在所述分散壳处分散均匀，以形成一股填满所述盒体的平稳的氮气流；以及
[0009]底片，设于所述盒体外部，所述底片具有与所述通口正对的对所述管壳进行定位的作业口；
[0010]在金锡烧结时，所述通口可供所述芯片通过并被放置在所述管壳上方，所述盒体内的两股所述氮气流从所述管壳处相遇，并对所述管壳和所述芯片提供氮气保护。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述保护盒包括：
[0012]本体，所述本体上设有开口向上的凹槽；以及
[0013]盖板，所述盖板盖设于所述凹槽上，可形成所述保护盒的盒体。
[0014]在一种可能的实现方式中，还包括压钳，所述压钳包括与所述保护盒连接的连接部和位于所述连接部一侧的限位部；所述限位部斜向下弯曲至所述作业口内，用于限制所述管壳在所述作业口内时竖直方向上的位置。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述限位部自靠近所述连接部至远离所述连接部呈由宽变窄的T型状。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述压钳为锰钢压钳。
[0017]在一种可能的实现方式中，所述分散壳包括一个顶板和与所述顶板相连的三个侧板，所述分散壳扣设于所述盒体底壁上，且与所述盒体侧壁和底壁形成封口式的盒状结构。
[0018]在一种可能的实现方式中，所述分散壳的顶板与所述盒体顶壁有一定距离，所述分散壳的顶板上开设有若干所述气孔，且所述分散壳与所述盒体上的所述进气口相对的侧板上开设有若干所述气孔，以使进入所述盒体的氮气流经所述分散壳后向斜向上方流动。
[0019]在一种可能的实现方式中，所述作业口形状与所述管壳外部形状相适配，且所述作业口尺寸较所述管壳的外部尺寸大0.2mm。
[0020]第二方面，本专利技术提供一种恒温型共晶机，包括金锡烧结的氮气保护装置。
[0021]本专利技术提供的一种金锡烧结的氮气保护装置的有益效果在于：与现有技术相比，本专利技术中的分散壳上开设的若干气孔能够使氮气在分散壳处分散均匀，故可形成一股填满盒体的平稳的氮气流。由于本专利技术中保护盒上设有两个进气口，且两个进气口处对应设有输气管和分散壳，故有两股平稳的氮气流分别从两侧流入盒体内。由于盒体底部设有底片且盒体内的两股氮气流从管壳处相遇，故当芯片通过通口被放置在管壳上方，进行金锡烧结时，能够对管壳和芯片提供氮气保护。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本专利技术实施例提供的金锡烧结的氮气保护装置的结构示意图；
[0024]图2为图1中金锡烧结的氮气保护装置的爆炸结构示意图；
[0025]图3为使用图1中金锡烧结的氮气保护装置对管壳和芯片进行金锡烧结时的主视结构示意；
[0026]图4为图2中压钳的结构示意图。
[0027]图中：1、保护盒；11、盒体；12、通口；13、进气口；14、本体；15、盖板；2、输气管；3、分散壳；31、气孔；4、底片；41、工作口；5、压钳；51、连接部；52、限位部；6、管壳；7、芯片。
具体实施方式
[0028]为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0029]请参阅图1至图4，本专利技术提供的一种金锡烧结的氮气保护装置及具有其的恒温型共晶机。该金锡烧结的氮气保护装置用于对管壳6和芯片7进行金锡烧结时提供氮气保护，其包括保护盒1、两个输气管2、两个分散壳3以及底片4。
[0030]保护盒1的盒体11中部设有上下贯穿的通口12，在盒体11两侧侧壁上各设有一个
进气口13。两个输气管2，其中输气管2分别与一个进气口13连通，用于将氮气输送至盒体11内。两个分散壳3位于盒体11内，并分别临近其中一个进气口13。分散壳3开设有可供氮气通过的若干气孔31，气孔31能够使氮气在分散壳3处分散均匀，以形成一股填满盒体11的平稳的氮气流。底片4设于盒体11外部，且底片4具有与通口12正对的对管壳6进行定位的作业口。在金锡烧结时，通口12可供芯片7通过并被放置在管壳6上方，盒体11内的两股氮气流从管壳6处相遇，并对管壳6和芯片7提供氮气保护。
[0031]与现有技术相比，本专利技术中的分散壳3上开设的若干气孔31能够使氮气在分散壳3处分散均匀，故可形成一股填满盒体11的平稳的氮气流。由于本专利技术中设有两个进气口13，且两个进气口13处分别对应设有输气管2和分散壳3，故有两股平稳的氮气流分别从两侧流入盒体11内，可避免高速的氮气流在盒体11中心区域内形成涡流，将空气吸入。盒体11内的两股氮气流从管壳6处相遇，在金锡烧结时，芯片7通过通口12被放置在管壳6上方，从而对管壳6和芯片7提供氮气保护。
[0032]参阅图2所示，保护盒1包括本体14以及盖板15。其中本体14上设有开口向上的凹槽。将盖板15盖设于凹槽上可形成保护盒1的盒体11。将保护盒1设置成拆分式，从而降低保护盒1的加工和安装难度。当然保护盒1也可以为整体式。
[0033本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金锡烧结的氮气保护装置，用于对管壳和芯片进行金锡烧结时提供氮气保护，其特征在于，包括：保护盒，所述保护盒的盒体中部设有上下贯穿的通口，在所述盒体两侧侧壁上各设有一个进气口；两个输气管，所述输气管分别与一个所述进气口连通，用于将所述氮气输送至所述盒体内；两个分散壳，位于所述盒体内，并分别临近其中一个所述进气口；所述分散壳开设有可供氮气通过的若干气孔，所述气孔能够使氮气在所述分散壳处分散均匀，以形成一股填满所述盒体的平稳的氮气流；以及底片，设于所述盒体外部，所述底片具有与所述通口正对的对所述管壳进行定位的作业口；在金锡烧结时，所述通口可供所述芯片通过并被放置在所述管壳上方，所述盒体内的两股所述氮气流从所述管壳处相遇，并对所述管壳和所述芯片提供氮气保护。2.如权利要求1所述的金锡烧结的氮气保护装置，其特征在于，所述保护盒包括：本体，所述本体上设有开口向上的凹槽；以及盖板，所述盖板盖设于所述凹槽上，可形成所述保护盒的盒体。3.如权利要求1所述的金锡烧结的氮气保护装置，其特征在于，还包括压钳，所述压钳包括与所述保护盒连接的连接部和位于所述连接部一侧的限位部；所述限位部斜向下弯...

【专利技术属性】
技术研发人员：张意驰，常农凯，闫志峰，
申请(专利权)人：河北博威集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：