【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于封装，具体涉及一种应用于半导体封装管壳的预处理方法。
技术介绍
1、随着集成电路(ic)中功率放大器(pa)的功率密度越来越大，对于产品的散热要求越来越高，纳米银烧结技术的应用也越来越普遍。纳米银与管壳芯区焊盘表面(管壳芯区焊盘表面为纳米银点涂后贴装芯片的位置)的烧结质量对半导体器件的可靠性影响非常大，而管壳芯区焊盘表面的状态对于烧结质量有着重要影响。
2、现有技术中，通常采用微波等离子清洗管壳芯区焊盘表面或者将管壳在贴片前进行烘烤，提高表面活性，增强粘接强度，从而提高与纳米银的烧结质量。在通过微波等离子清洗管壳芯区焊盘表面时，只可以清洗掉微量的氧化物，当氧化物较多时，尤其是氧化深度较大时，微波等离子清洗效果不明显。而烘烤仅能去除管壳表面吸附的水汽，高熔点的氧化物(如氧化镍)无法去除。因此，对于熔点比较高，氧化深度较大的氧化物，采用微波等离子清洗和烘烤的方式均无法有效去除。管壳芯区焊盘表面存在难以去除的氧化物时，会阻挡纳米银与管壳芯区焊盘表面之间的原子扩散，导致管壳芯区焊盘表面与纳米银的粘接强度低，进而影响半导体器件的可靠性。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，旨在能够解决现有技术中无法有效的清除管壳表面氧化物的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，包括以下步骤：
3、去除氧化物：对管壳进行稀盐酸清洗处理，去除管壳芯区焊盘表面的无机氧
4、去离子水清洗：将经过稀盐酸清洗处理后的管壳放入去离子水喷淋设备中，对管壳芯区焊盘表面进行去离子水清洗；
5、超声清洗：将管壳浸泡在酒精里并放入超声清洗设备中，对管壳芯区焊盘表面进行超声清洗；
6、烘干：将管壳放置于烘箱设备中，对管壳芯区焊盘表面进行烘干。
7、在一种可能的实现方式中，所述稀盐酸清洗处理为对管壳采用盐酸浸泡。
8、在一种可能的实现方式中，所述盐酸浸泡时间为10～120s。
9、在一种可能的实现方式中，所述去离子水清洗为对管壳芯区焊盘表面的稀盐酸进行稀释，稀释至盐酸浓度低于1％。
10、在一种可能的实现方式中，所述去离子水清洗次数为2～3次。
11、在一种可能的实现方式中，所述酒精的浓度为99％。
12、在一种可能的实现方式中，所述超声清洗的时间为3～5min。
13、在一种可能的实现方式中，所述烘箱设备的温度为100～150℃。
14、在一种可能的实现方式中，所述烘箱进行烘干的时间为15～30min。
15、本专利技术提供的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法的有益效果在于：与现有技术相比，通过稀盐酸对管壳表面的无机氧化物进行清洗，将管壳表面的无机氧化物有效去除。然后通过去离子水喷淋设备将管壳表面的稀盐酸清洗掉，再通过超声清洗设备进行进一步清洗管壳表面的水溶剂，最后通过烘箱设备将管壳芯区焊盘表面烘干。保证管壳芯区焊盘表面与纳米银的粘接强度，提高管壳与纳米银的烧结质量，进而提高半导体器件的可靠性，提高成品率，实用性好。
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1.一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述稀盐酸清洗处理为对管壳采用盐酸浸泡。
3.如权利要求2所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述盐酸浸泡时间为10～120s。
4.如权利要求2所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述去离子水清洗为对管壳芯区焊盘表面的稀盐酸进行稀释，稀释至盐酸浓度低于1％。
5.如权利要求4所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述去离子水清洗次数为2～3次。
6.如权利要求1所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述酒精的浓度为99％。
7.如权利要求1所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述超声清洗的时间为3～5min。
8.如权利要求1所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述烘箱设备的温度为100～150℃。
9.如权利要求1所述的一种应用
...【技术特征摘要】
1.一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述稀盐酸清洗处理为对管壳采用盐酸浸泡。
3.如权利要求2所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述盐酸浸泡时间为10～120s。
4.如权利要求2所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述去离子水清洗为对管壳芯区焊盘表面的稀盐酸进行稀释，稀释至盐酸浓度低于1％。
5.如权利要求4所述的一种应用于半导体封装管壳的...
【专利技术属性】
技术研发人员：高群星，要旭，王艺菲，段磊，郭跃伟，崔健，
申请(专利权)人：河北博威集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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