【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于封装，具体涉及一种应用于半导体封装管壳的预处理方法。
技术介绍
1、随着集成电路(ic)中功率放大器(pa)的功率密度越来越大，对于产品的散热要求越来越高，纳米银烧结技术的应用也越来越普遍。纳米银与管壳芯区焊盘表面(管壳芯区焊盘表面为纳米银点涂后贴装芯片的位置)的烧结质量对半导体器件的可靠性影响非常大，而管壳芯区焊盘表面的状态对于烧结质量有着重要影响。
2、现有技术中，通常采用微波等离子清洗管壳芯区焊盘表面或者将管壳在贴片前进行烘烤，提高表面活性，增强粘接强度，从而提高与纳米银的烧结质量。在通过微波等离子清洗管壳芯区焊盘表面时，只可以清洗掉微量的氧化物，当氧化物较多时，尤其是氧化深度较大时，微波等离子清洗效果不明显。而烘烤仅能去除管壳表面吸附的水汽，高熔点的氧化物(如氧化镍)无法去除。因此，对于熔点比较高，氧化深度较大的氧化物，采用微波等离子清洗和烘烤的方式均无法有效去除。管壳芯区焊盘表面存在难以去除的氧化物时，会阻挡纳米银与管壳芯区焊盘表面之间的原子扩散，导致管壳芯区焊盘表面与纳米银的粘接强度低，进而影响半导
【技术保护点】
1.一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述稀盐酸清洗处理为对管壳采用盐酸浸泡。
3.如权利要求2所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述盐酸浸泡时间为10～120s。
4.如权利要求2所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述去离子水清洗为对管壳芯区焊盘表面的稀盐酸进行稀释，稀释至盐酸浓度低于1％。
5.如权利要求4所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述去离子...
【技术特征摘要】
1.一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述稀盐酸清洗处理为对管壳采用盐酸浸泡。
3.如权利要求2所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述盐酸浸泡时间为10～120s。
4.如权利要求2所述的一种应用于半导体封装管壳的预处理方法，其特征在于，所述去离子水清洗为对管壳芯区焊盘表面的稀盐酸进行稀释，稀释至盐酸浓度低于1％。
5.如权利要求4所述的一种应用于半导体封装管壳的...
【专利技术属性】
技术研发人员：高群星，要旭，王艺菲，段磊，郭跃伟，崔健，
申请(专利权)人：河北博威集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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