GaN基HEMT器件筛选方法、装置、终端及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种GaN基HEMT器件筛选方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：获取对应直流筛选状态的第一电压控制参数，并获取对应夹断筛选状态的第二控制参数；其中，第一电压控制参数包括：脉宽和周期；第二电压控制参数包括：斜坡电压起始值、斜率、脉宽和周期；在第一电压控制参数对应的测试条件下，获取待测GaN基HEMT器件的直流特性参数；在第二电压控制参数对应的测试条件下，获取待测GaN基HEMT器件的夹断特性参数；在直流特性参数满足直流筛选条件，且夹断特性参数满足夹断筛选条件时，确定待测GaN基HEMT器件合格。本发明专利技术结合夹断筛选和直流筛选方式，在保证可有效筛选介质问题的同时还能有效剔除因外延缺陷造成漏电增长的器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件测试，尤其涉及一种gan基hemt器件筛选方法、装置、终端及存储介质。

技术介绍

1、氮化镓(gan)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)以其较大的禁带宽度、高击穿电压、快速的电子漂移速度以及卓越的抗辐射能力，在5g通信和卫星通讯领域得到了广泛应用。尽管gan基hemt器件具备优越的器件结构优势，但其可靠性问题亦不容忽视，例如由介质缺陷引发的经时介质击穿，以及由外延缺陷和离子刻蚀导致的开路泄漏电流增加等问题。然而，目前常规的晶圆和封测端测试手段并无法有效筛选出gan基hemt器件的缺陷产品。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供了一种gan基hemt器件筛选方法、装置、终端及存储介质，以解决目前常规的晶圆和封测端测试手段并无法有效筛选出gan基hemt器件的缺陷产品的问题。

2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种gan基hemt器件筛选方法，包括：

3、获取对应直流筛选状态的第一电压控制参数，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN基HEMT器件筛选方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述获取对应直流筛选状态的第一电压控制参数之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取对应直流筛选状态的第一电压控制参数，包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取对应夹断筛选状态的第二控制参数，包括：

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述设定热容器为散热器或导热板。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述直流筛选条件，包括：

7.根据权利要求1所述的方法，...

【技术特征摘要】

1.一种gan基hemt器件筛选方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述获取对应直流筛选状态的第一电压控制参数之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取对应直流筛选状态的第一电压控制参数，包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取对应夹断筛选状态的第二控制参数，包括：

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述设定热容器为散热器或导热板。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述直流...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子浩，王鹏，白雪，赵光远，郭跃伟，段磊，崔健，卢啸，于长江，孔令旭，
申请(专利权)人：河北博威集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：