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本发明提供一种GaN基HEMT器件筛选方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：获取对应直流筛选状态的第一电压控制参数，并获取对应夹断筛选状态的第二控制参数；其中，第一电压控制参数包括：脉宽和周期；第二电压控制参数包括：斜坡电压起始值、斜率、...
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